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[发明专利]一种晶圆临时键合方法-CN201610285817.7在审
发明人：赵滨;陈勇辉 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆临时键合方法，包括步骤1、提供一载片，在所述载片的第一面上开设多个真空槽；步骤2、提供一晶圆，在真空环境下将所述晶圆的键合面与所述载片的第一面贴合，并通过键合胶将所述键合面的边缘与所述载片的第一面键合形成键合片本发明提供晶圆临时键合方法，在真空环境下将所述晶圆的键合面与所述载片的第一面贴合，并通过键合胶将所述键合面的边缘与所述载片的第一面键合形成键合片，通过键合片中的真空槽来实现键合，对键合胶处理简单方便，工艺简单
一种临时方法

[实用新型]一种键帽组装机-CN202120545109.9有效
发明人：彭友品 -专利权人：深圳市富云帝科技有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01H11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及键盘组装技术领域，特别涉及一种键帽组装机，包括装配机构，装配机构包括平行设置的按压板和接触板，按压板设置有按压柱，接触板远离按压板的一侧设置有键帽容纳槽，工作时键帽被吸取并定位于键帽容纳槽中，界定键帽容纳槽与键帽接触的面为抵靠面，抵靠面为一斜面，抵靠面设置有压柱孔，按压柱与压柱孔对应设置，通过将键帽容纳槽设置为斜面，当吸取键帽时，键帽的非安装面贴合倾斜的抵靠面，键帽的安装面上设置的勾扣和卡扣均可精确对位安装，解决现有键帽组装设备难以精确对位的问题。
一种组装

[发明专利]一种SOI晶圆及制造方法-CN202210526183.5在审
发明人：蒋兴教;梁昕;郭晨浩;宋飞;张涛 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆及制造方法，该制造方法包括：提供第一硅晶圆和第二硅晶圆；分别在第一硅晶圆的键合面和第二硅晶圆的键合面形成键合面氧化层；分别对第一硅晶圆的键合面及第二硅晶圆的键合面进行等离子体注入；将等离子体注入后的第一硅晶圆的键合面与第二硅晶圆的键合面键合；键合后，对第一硅晶圆的非键合面进行第一次减薄；第一次减薄后，在第二硅晶圆的非键合面形成介质层。本发明在SOI晶圆的第二硅晶圆背面沉积一层介质层，可降低SOI晶圆的应力和弯曲度，并且该介质层是在第一硅晶圆与第二硅晶圆键合后且对第一硅晶圆第一次减薄后形成，有利于减少第一硅晶圆与第二硅晶圆键合面的键合空洞
一种 soi 制造方法

[实用新型]双面显示屏手机-CN200420063893.6无效
发明人：马占祥 -专利权人：马占祥
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面显示屏手机，由外壳、机芯、电池、卡构成，手机A面有显示屏、接听或呼出键、通话结束或关机键、按键式数码键、功能键；B面有显示屏、接听或呼出键、通话结束或关机键、功能键；A面、B面各自装有机芯、机卡，两套机芯与一块电池构成实现各自功能的通路，A、B面之间合页连接。手机A面的数码键由麻将中的“并”、“条”、“万”标示符对应表示，“0”键由“白板”、“中”、“发”表示，A面“※、#”功能键由“东、西”或“南、北”表示。具有民族特色，手感强烈，适合特殊人群需要；手机一面正常显示，另一面为超大屏幕显示，为增加显示内容提供硬件支持；双屏显示，双面使用，拨出、接听方便。
双面显示屏手机

[实用新型]一种圆形金属发光键帽-CN201721886960.8有效
发明人：周飞跃 -专利权人：东莞市艾佛杜电子科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01H13/83 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种圆形金属发光键帽，它涉及计算机配件领域，包括圆形透明塑胶键帽、圆形金属面盖、键帽外圈，所述的圆形透明塑胶键帽的侧边设置有一卡槽，所述的圆形金属面盖一侧设置有一与卡槽相配套的卡键，所述的圆形金属面盖表面雕刻有由若干镂空的小点组成的字符，所述的圆形金属面盖和圆形透明塑胶键帽通过卡键和卡槽卡接相连接，所述的键帽外圈包裹设置在圆形透明塑胶键帽和圆形金属面盖的外侧，所述的键帽外圈上设置有显示孔。该圆形金属发光键帽上的字符镂空雕刻在金属面盖上，PCB板上的LED灯发出的光线透过圆形透明塑胶键帽，然后光线透过镂空的字符，从而显现出发光的字符效果，满足了人们对金属发光键帽的需求。
圆形金属键帽透明塑胶面盖发光键帽光线透过镂空卡槽本实用新型计算机配件包裹设置表面雕刻金属面盖镂空雕刻卡槽卡显示孔侧边卡键小点发光金属配套

[外观设计]带分组交互图形用户界面的显示屏幕面板-CN202230139118.8有效
发明人：许均海;王丽 -专利权人：亮风台(上海)信息科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：在设计1界面变化状态图1中点击组1的“+”键（或通过快捷键“shift+数字1键”）进入设计1界面变化状态图2或设计1界面变化状态图3或设计1界面变化状态图4，或者在设计1主视图中通过快捷键（“shift在设计1界面变化状态图2中点击队员对应的添加键（“+”键）进入设计1界面变化状态图5、添加该队员到组1内，同时该队员对应的添加键（“+”键）变为删除键（“‑”键）。同理，在设计1界面变化状态图4中点击队员对应的添加键（“+”键）进入设计1界面变化状态图6、添加该队员到组1内，同时该队员对应的添加键（“+”键）变为删除键（“‑”键）。在设计1界面变化状态图7中点击组队键（或通过快捷键“shift键”）进入设计1界面变化状态图8，在设计1界面变化状态图8中点击组1对应键（或通过快捷键“shift+数字1键”）重新进入设计1界面变化状态图在设计1界面变化状态图7中通过快捷键（“shift+数字7键”）或在设计1界面变化状态图8中点击组7的“+”键（或通过快捷键“shift+数字7键”）添加队员后点击完成键后进入设计1界面变化状态图9。
分组交互图形用户界面显示屏幕面板

[发明专利]一种片上单晶材料的制备方法-CN201911278691.0在审
发明人：殷华湘;林翔;罗彦娜;刘占峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上单晶材料的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，其具有第一键合互连面；于第一键合互连面，对半导体衬底进行热氧化处理，在半导体衬底上形成热氧化层；提供芯片；其中，芯片具有第二键合互连面；对半导体衬底的热氧化层与芯片的第二键合互连面进行低温键合处理；对半导体衬底的另一面进行减薄处理，以在芯片上保留预设厚度的半导体衬底。本发明提供的片上单晶材料的制备方法，在进行键合互连前，于第一键合互连面，对后续与芯片进行键合的半导体衬底进行热氧化处理，在半导体衬底的上表面形成热氧化层，这样在后续进行热氧化层与芯片的第二键合互连面进行低温键合处理时，可以大幅度的提升氢键成键比例、提升键合强度。
一种片上单晶材料制备方法

[实用新型]一种遥控器按键结构-CN202222575235.6有效
发明人：黄雪明 -专利权人：广东辰奕智能科技股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01H13/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种遥控器按键结构，包括底壳、电路板、弹性内衬件、确认键、方向键和面壳，在面壳上设置有通孔，通孔的周边设置键位槽，确认键安装于通孔，并在边缘设置台阶部，弹性内衬件与确认键抵接，键位槽设有若干挂孔，方向键上则设有挂钩，方向键安装于键位槽，且挂钩扣入挂孔，弹性内衬件与方向键抵接。本实用新型遥控器按键结构，将确认键安装在通孔中，方向键则安装在键位槽中，即可降低通孔的开设面积，缩小面壳的减胶范围，使面壳整体强度更好，同时弹性内衬件分别对确认键和方向键进行抵接，从而使确认键与面壳之间、方向键与面壳之间均无间隙，故避免异响，且确认键与方向键之间无关联，因此不会发生联动情况。
一种遥控器按键结构

[发明专利]一种PMMA芯片与PDMS芯片的不可逆键合方法-CN201110107372.0无效
发明人：杨乾乾;丁继亮;孙晓朋 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：一种PMMA芯片与PDMS芯片的不可逆键合方法，将PMMA芯片与PDMS芯片分开加工。利用反应离子刻蚀机的B室对PMMA芯片的键合面进行氧等离子体处理，用电晕放电仪对PDMS芯片的键合面进行处理，并合理控制处理参数。将处理后的PDMS芯片的键合面和PMMA芯片的键合面相互贴合并固紧，得到不可逆键合的芯片。本发明充分利用了PMMA和PDMS的优点，使PMMA芯片的键合面和PDMS芯片的键合面由亲水性变为疏水性，从而提高了键合成功率，增强了PMMA芯片与PDMS芯片的键合强度。
一种 pmma 芯片 pdms 可逆方法

[发明专利]一种新型用于银行客户休息室的集成型键盘装置-CN201410642586.1在审
发明人：肖长明 -专利权人：成都汇合乾元科技有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G06F3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型用于银行客户休息室的集成型键盘装置，包括功能键工作面、触摸式鼠标、壳体、发光灯；触摸式鼠标安装于工作平台上；触摸式鼠标上安装有按摩小点；功能键工作面安装在工作平台上；功能键工作面上安装有功能输入键；功能输入键设置在壳体上方；功能键工作面设置于壳体上方；发光灯安装在工作平台上；功能键工作面上方安装有功能指示灯；功能指示灯左侧安装有方向键工作面；方向键工作面上方设置有方向输入键；方向键工作面左侧设置有主键盘工作面；主键盘工作面上方安装有主键盘输入键。
一种新型用于银行客户休息室集成键盘装置

[实用新型]一种金属发光键帽-CN201721886981.X有效
发明人：周飞跃 -专利权人：东莞市艾佛杜电子科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01H13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属发光键帽，它涉及计算机配件领域，包括金属面盖和透明塑胶键帽，所述的金属面盖表面雕刻有由若干镂空的小点组成的字符，所述金属面盖罩设在透明塑胶键帽上端；所述的金属面盖的形状与所述透明塑胶键帽的形状相同，且金属面盖的内腔容积大于透明塑胶键帽的体积；所述的金属面盖为铝面盖。该金属发光键帽上的字符是镂空雕刻在金属盖面上的，透明塑胶键帽可以被PCB板上的LED灯发出的光线透过，然后光线透过镂空的字符，从而显现出发光的字符效果，实现人们对金属发光键帽的需求。
金属面盖透明塑胶键帽发光键帽金属光线透过镂空本实用新型计算机配件表面雕刻镂空雕刻上端金属盖铝面内腔小点发光

[实用新型]单键槽对称度的检测装置-CN201520760708.7有效
发明人：周梅斌;江长娟;朱昌平;杨远航 -专利权人：泰尔重工股份有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： G01B21/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了单键槽对称度的检测装置，它包括固定测量块、一对楔形键；固定测量块为方形，其上端有一凸出限位块；楔形键分为固定楔形键和活动楔形键：固定楔形键为“T”形、两边的凸耳为限位块，固定楔形键和活动楔形键的配合面为楔形面，固定楔形键的楔形面距左侧面的距离上小下大，活动楔形键的楔形面距右侧面的距离上大下小。
键槽对称检测装置

[实用新型]一种数控加工中心可更换式电主轴结构-CN202120099067.0有效
发明人：李文兴 -专利权人：无锡鸣山机电科技有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B23B19/02 文献下载
摘要：一种数控加工中心可更换式电主轴结构，包括轴芯本体和锥孔组件，所述的轴芯本体和锥孔组件之间设置驱动键组件，所述的轴芯本体上与锥孔组件的连接面为锥孔定位面，所述的轴芯本体上与驱动键组件位于的连接面为驱动键定位面，所述的驱动键定位面位于锥孔定位面内侧且驱动键定位面在轴芯本体上位内凹环面、锥孔定位面为外凸环面，内凹环面的驱动键定位面通过驱动键螺钉固定驱动键组件，外凸环面的锥孔定位面通过锥孔螺钉固定锥孔组件。
一种数控加工中心更换主轴结构

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201811352970.2有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：所述三维存储器包括：第一晶圆，具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；第二晶圆，具有朝向所述第一键合面设置的第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；粘合层，位于所述第一键合面与所述第二键合面之间，并与所述第一键合面、第二键合面连接，所述粘合层具有用于电性连接所述第一导电层与所述第二导电层的掺杂部，所述掺杂部中包括自所述第一导电层和/或所述第二导电层扩散而来的导电粒子。本发明提高了第一晶圆与第二晶圆的键合强度，改善了键合后形成的三维存储器的性能。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]硅与硅真空键合装置及键合方法-CN03104016.0无效
发明人：冯勇建;吴青海 -专利权人：厦门大学
申请日： 2003-02-11 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：涉及一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置及键合方法。设有上盖、底座和密封圈，密封圈设于上盖与底座之间，在上盖和底座中设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。键合方法为在键合装置的密封真空键合腔体中灌入氧气或氮气，在腔体内形成正压，将硅片清洗，甩干后放入键合装置的上盖的下方和底座的上方，打开阀门，抽真空。可实用于硅与硅、硅与玻璃、硅与硅重掺杂P+面、硅与碳化硅、硅与砷化镓材料的预键合。预键合强度极强，广泛应用在SOI硅片的生产，微机电器件中硅面与硅面、硅面与氧化层面、硅面与P+掺杂面、硅面与碳化硅面、硅与玻璃材料键合的工艺。制作成本低，键合成功率高，容易成批量生产。
真空装置方法