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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法-CN201911112877.9在审
发明人：李东成;徐宗吾;苏炳洙;李童敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：公开了多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法。用于显示装置的多晶硅层的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成非晶硅层；用氢氟酸清洗非晶硅层；用氢化去离子水漂洗非晶硅层；以及用激光束照射非晶硅层以形成多晶硅层。
多晶制造方法显示装置

[发明专利]硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟的清洗方法-CN202010448482.2在审
发明人：张梦葛;张胜军;沈梦超;绪欣;吴智涵;顾振华;黄海冰 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B08B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟的清洗方法，包括碱洗步骤：通过碱液清除石墨舟上的非晶硅。本发明采用碱液清洗硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟，能清除石墨舟上沉积的非晶硅，避免石墨舟上沉积的非晶硅影响硅片PECVD镀非晶硅膜的效果，避免出现镀膜不均，硅片及舟壁表面爆膜、脱膜，镀膜速率下降，甚至出现无法继续镀膜的情形
硅片 pecvd 镀非晶硅用石墨清洗方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法-CN01108131.7无效
发明人：秦明;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2001-03-15 - 公布日： 2001-10-10 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：多晶硅薄膜的制造方法是一种用镍诱导非晶硅晶化获得高质量多晶硅薄膜的方法，其具体的方法为①在绝缘衬底上淀积一层非晶硅材料；②用二氧化硅覆盖非晶硅薄膜；③在二氧化硅上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出并采用干法工艺刻蚀掉露出非晶硅；④在二氧化硅及其上所开的小窗口上蒸发一层金属镍层作为诱导层；⑤在500～650℃的环境下退火以实现非晶硅的晶化。
多晶薄膜制造方法

[发明专利]一种微晶硅薄膜的沉积方法-CN201010206866.X无效
发明人：肖金泉;赵彦辉;崔连武;华伟刚;宫骏;孙超;黄荣芳 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，是一种微晶硅薄膜的制备方法。具体是在玻璃基板上沉积的非晶硅薄膜表面采用激光表面晶化的方法制备一薄层微晶硅层的方法。将直接沉积在玻璃板上的非晶硅薄膜，用激光加热晶化的方法使非晶硅薄膜部分转化为微晶硅；所用的激光加热晶化的方法是将非晶硅薄膜样品置于激光器的样品台上，用激光束进行照射，非晶硅薄膜吸收了激光的能量转换为自身能量，发生局部熔化再结晶，经表面晶化处理使得非晶硅转变为微晶硅。本发明可以解决现有技术中存在的生长速率低、结晶度低、迁移率低、光电转换效率低等问题，利用准分子激光晶化的微晶硅薄膜具有结晶度高、晶粒均匀、可实现大面积低温制备、工艺周期短等优点。
一种微晶硅薄膜沉积方法

[发明专利]薄膜晶体管用非晶硅的结晶方法-CN200310123853.6有效
发明人：金营株 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用具有光透射部的掩模使非晶硅连续横向凝固(SLS)结晶。一种用掩模使非晶硅薄膜结晶的方法，包括在一个衬底上方形成非晶硅层；在非晶硅层上形成一个金属层；对金属层构图暴露出要形成薄膜晶体管的一个TFT区内的一部分非晶硅层；将掩模设置在被金属层暴露出的那一部分非晶硅层上方；并且用透过掩模的光透射部的激光束照射被金属层暴露出的那一部分非晶硅层，使那一部分非晶硅层结晶，并且在晶粒区内形成横向生长的晶粒。
薄膜晶体管用非晶硅结晶方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN99126727.3无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体电路及半导体器件-CN99110391.2无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
半导体电路半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN94104267.7无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： H01L29/768 文献下载
摘要：本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种金属元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将金属元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体电路及其制造方法-CN01116633.9无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手,然后,如此形成含至少一种催化元素的第二层,以便与非晶硅膜紧密连接,或将催化元素掺入非晶硅膜中,用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射,再使该非晶硅膜晶化
半导体电路及其制造方法

[发明专利]一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法-CN202011551208.4在审
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法，其中，非晶锗硅薄膜结构，包括：U型非晶锗硅薄膜结构，在该U型非晶锗硅薄膜结构的下方、外侧和内侧均设置有高阻非晶硅层。在本发明的中，采用了U型的嵌套结构，通过将大部分的非晶锗硅薄膜层用高阻非晶硅层覆盖住，从而避免受到接触膜层、相关工艺的影响，实现高质量的产品特性。
一种非晶锗硅薄膜结构集成以及制造方法

[发明专利]具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法-CN200410046199.8有效
发明人：徐铉植;金荣柱;金商铉 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-06-02 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：用于液晶(LCD)显示器的阵列基板的制造方法，包括：在具有显示区和包围显示区的非显示区的基板上形成对准键；对准键上形成非晶硅层；用对准键作基准，结晶非晶硅层的预定部分；用对准键作基准，对非晶硅层进行构图，形成多晶硅层，其中，多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成；在半导体层上形成栅绝缘层；用对准键作基准，在栅绝缘层上形成栅极；在栅极上形成隔层绝缘层和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。
具有多晶薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅制作方法-CN201310280262.3在审
发明人：叶昱均;黄德伦;黄政仕 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种多晶硅制作方法，包括：S11.用固态激光器发射激光来照射非晶硅层的下表面，以对所述非晶硅层进行预热；以及S12.用准分子激光器发射激光来照射所述非晶硅层的上表面，以将所述非晶硅层晶化成多晶硅，其中所述步骤本申请不但能够大大缩短非晶硅熔化而晶化成多晶硅的时间，从而有效提高多晶硅的产量，而且，由于降低了非晶硅的熔化和晶化时的温度梯度，从而能够有效增加多晶硅的结晶率并改善多晶硅的结晶质量，另外，还可以减少昂贵的准分子激光器的发射次数
一种多晶制作方法

[发明专利]形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管和有机发光装置-CN201110241085.9有效
发明人：朴炳建;朴钟力;郑胤谟;李卓泳;徐晋旭;李基龙;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;李东炫;李吉远;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成多晶硅层的方法，包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层，和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。
形成多晶方法薄膜晶体管有机发光装置

[发明专利]晶体管和半导体电路-CN94102725.2无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;竹村保彦;山本睦夫 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。
晶体管半导体电路

[发明专利]晶体管、半导体电路及其制造方法-CN98116320.3无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;竹村保彦;高山彻;山本睦夫 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 1999-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触,或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜,使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT,从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。
晶体管半导体电路及其制造方法

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