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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法-CN201710859678.9有效
发明人：周成;袁志龙;杨晓东;张春鹏;李飞;胡岩;袁洪光;黄政仕;苏国玮;张宇;吕祖彬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01B21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法，用以使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导，本发明提供的一种晶粒尺寸测量方法，包括：获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。
一种晶粒尺寸测量方法装置多晶薄膜生产方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜的检测装置及检测方法-CN201410767367.6有效
发明人：叶昱均;黄政仕;方赞源;任东;韩开 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜的检测装置及检测方法，该检测装置包括：供发射光束的一发射单元、供接收反射光束的一接收单元、一控制单元、以及一影像侦测单元，所述控制单元分别连接控制所述发射单元、所述接收单元和所述影像侦测单元，所述控制单元接收所述发射单元、所述接收单元和所述影像侦测单元传送的信号，通过接收到的信号逻辑判断所述多晶硅薄膜的图像缺陷。提高多晶硅薄膜的检测准确度，减少人眼主观判断的错误率，相对于传统的裂片检测有效地缩短检测时间。
一种多晶薄膜检测装置方法

[发明专利]一种多晶硅膜制备方法-CN201510106473.4在审
发明人：方赞源;黄政仕;叶昱均;任东 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅膜制备方法，属于半导体技术领域。该方法首先利用微透镜组进行单次曝光显影定位晶粒，进而利用准分子激光透过微透镜组聚焦，并使焦点接近定位位置，形成晶粒。利用该方法能在多晶硅膜制备过程中提高多晶硅薄膜晶体管的载子移动率，提升多晶硅薄膜晶体管的整体性能，且本发明的多晶硅膜制备方法，其实现方式简单，实现成本低廉。
一种多晶制备方法

[发明专利]一种多晶硅制作方法-CN201310280262.3在审
发明人：叶昱均;黄德伦;黄政仕 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种多晶硅制作方法，包括：S11.用固态激光器发射激光来照射非晶硅层的下表面，以对所述非晶硅层进行预热；以及S12.用准分子激光器发射激光来照射所述非晶硅层的上表面，以将所述非晶硅层晶化成多晶硅，其中所述步骤S11先于所述步骤S12一预定时间执行或同时执行。本申请不但能够大大缩短非晶硅熔化而晶化成多晶硅的时间，从而有效提高多晶硅的产量，而且，由于降低了非晶硅的熔化和晶化时的温度梯度，从而能够有效增加多晶硅的结晶率并改善多晶硅的结晶质量，另外，还可以减少昂贵的准分子激光器的发射次数，从而延长准分子激光器的使用寿命，进一步降低成本。
一种多晶制作方法

[发明专利]一种提高多晶硅层均匀性的方法-CN201310284536.6在审
发明人：任东;黄政仕;叶昱均;方赞源 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种提高多晶硅层均匀性的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；对非晶硅层进行干式表面处理，以形成第一氧化硅层；从非晶硅层的表面去除第一氧化硅层；在非晶硅层的表面形成第二氧化硅层；以及通过结晶化处理使非晶硅层形成多晶硅栅极层。根据本发明的方法，对非晶硅层进行干式表面处理，避免了湿式处理臭氧水残留的问题，同时起到清洗、氧化和避免下层伤害的作用，可有效提高结晶化处理后多晶硅层的晶粒大小的均匀性。此外，本发明方法有利于提高生产效率和产能，且操作更安全、维护更便捷。
一种提高多晶均匀方法

[发明专利]激光源的质量检测装置及其质量检测方法-CN201310287546.5在审
发明人： 黄政仕 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本公开提供一种激光源的质量检测装置及其质量检测方法，该质量检测装置用于检测该激光源是否为异常光源，该装置设于激光源的光束出口端，该装置包括：反射镜组，位于该激光源的出光范围内，接收来自该激光源的全部光束，该反射镜组包括至少一个反射镜，该激光源的出光在经过该反射镜组的反射后，在该光束出口端投射出与激光源的出光轮廓相同的反射光；及传感器，该光束出口端上限定出正常出光范围，该传感器设置在该正常出光范围的外周，当反射光超出该正常出光范围时，该传感器能够接收到该反射光，从而判断出激光源为异常光源。本公开能够及早发现光源的异常，从而提早预警，达到高效益的质量控制，降低人力耗损。
激光质量检测装置及其方法

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