专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]集成光学强度调制器-CN200920217531.0有效
  • 向美华;耿凡;薛挺 - 北京浦丹光电技术有限公司
  • 2009-09-27 - 2010-09-01 - G02F1/035
  • 本实用新型涉及一种光学强度调制器,特别是一种具有对温度不敏感,波长相关带宽宽,制作工艺容差大等特点的集成光学强度调制器,其由晶体基底、Y型波导、斜通臂波导波导电极构成;在晶体基底上制有Y型波导和斜通臂波导Y型波导与斜通臂波导共同构成一个集成耦合器,晶体基底的输入端和输出端分别设有一个集成耦合器,两个耦合器的两条分支分别相互连通,在晶体基底之上、集成耦合器两分支的两侧和中央制有波导电极,本实用新型利用集成耦合器中
  • 集成光学强度调制器
  • [发明专利]原位监测控制光波导器件温度和光功率的系统和方法-CN202110908898.2有效
  • 胡小龙;张子彧;王昭;邹锴 - 天津大学
  • 2021-08-09 - 2023-10-27 - G01D21/02
  • 本发明公开了一种原位监测控制光波导器件温度和光功率的系统和方法,系统包括:CLIPP通过测量光波导在不同频率的导纳变化量,联立不同测试频率下的函数关系同时原位监测集成波导器件的光功率、温度;反馈控制电路根据信号读出电路得到的导纳变化量反馈控制集成波导器件温度和光功率方法包括:选取多个驱动频率,分别拟合温度、光功率与导纳变化量的二元函数关系;读取驱动频率下的CLIPP的导纳变化量,反推出集成波导器件的温度和光功率;利用信号读出电路得到的集成波导器件温度和光功率,PID调节器反馈调节温度控制器提供给TEC的电流以及激光器的输出光功率,调整集成波导器件的温度和光功率至设定值。
  • 原位监测控制波导器件温度功率系统方法
  • [发明专利]多模基片集成波导单脉冲天线-CN200910035828.X无效
  • 洪伟;程钰间 - 东南大学
  • 2009-09-23 - 2010-03-10 - H01Q13/08
  • 多模基片集成波导单脉冲天线可直接应用于微波毫米波跟踪、探测、通讯、测量、天文观察等系统,也可作为抛物反射面天线、卡塞格伦天线的馈源,该天线的上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)分别位于介质基片(3)的正反两侧,金属化通孔(4)穿过介质基片(3)与上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)相连接形成依次排列的基片集成波导3dB定向耦合器(5)、基片集成波导90度移相器(6)、基片集成波导波型器(7)、主波导(8),即前一个部件的输出端接后一个部件的输入端;基片集成波导3dB定向耦合器(5)分别与第一输入端口(101)、第二输入端口(102)相连,主波导(8)的输出端接喇叭天线(9)的输入端。
  • 多模基片集成波导脉冲天线
  • [发明专利]共面波导到槽线到基片集成非辐射介质波导的过渡电路-CN201610161318.7在审
  • 许锋;李丹丹 - 南京邮电大学
  • 2016-03-21 - 2016-06-15 - H01P5/08
  • 本发明公开了一种共面波导到槽线到基片集成非辐射介质波导的过渡电路,是一种由一层改进的共面波导到槽线的过渡电路和三层基片集成非辐射介质波导构成的三层电路结构,改进的共面波导到槽线的过渡电路通过三角形渐变结构接入基片集成非辐射介质波导;底层介质板的两端还开了矩形槽,在稳定电路的同时避免了对改进的共面波导到槽线的过渡电路性能的影响;从底层金属层两端开的梯形槽,与中间介质板处的三角形渐变结构相吻合,更好的实现过渡处的阻抗匹配。本发明能顺利实现改进的共面波导到槽线到基片集成非辐射介质波导的过渡,同时实现了微波毫米波混合多层电路的集成,有利于毫米波频段电路的设计,制作工艺简单,成本低廉。
  • 波导到槽线到基片集成辐射介质波导过渡电路
  • [发明专利]多导向垂直堆栈中用于波长解复用的集成光学设备-CN200780043128.4无效
  • 瓦莱里·托斯蒂凯恩;尤里·洛格文;基里尔·皮梅诺韦 - 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
  • 2007-11-21 - 2009-12-02 - G02B6/12
  • 本发明描述了一种集成光子设备,在由IH-V半导体构成的多导向垂直集成结构上实施,并以一个外延生长步骤生长,所述集成光子设备允许将在公共被动式波导内同向或双向传播的光学信号垂直和横向分裂成多个垂直集成的被动式或者主动式波长指定(wavelength designated)的波导,因此,使得在不同波长运行的波长指定波导被同一集成到相同的结构上,并连接到公用的被动式波导。在本发明的示范性实施例中,两个主动式波长指定波导中的每一个是激光器或者光电检测器,这两个主动式波长指定波导垂直集成在公共被动式波导上,其中该公共被动式波导连接到运行波长共用的输入/输出端口,从而形成单光纤、双波长接收器(两个波长指定的波导都是波导光电检测器)或者发射器(两个波长指定的波导都是边缘发射半导体注入式激光器)或者收发器(一个波长指定的波导波导光电检测器,另一个是边缘发射半导体注入式激光器)。
  • 导向垂直堆栈用于波长解复用集成光学设备
  • [发明专利]一种基于基片集成波导的Ka波段功率合成器-CN201110328981.9无效
  • 林先其;江源;朱忠博;于家伟;樊勇 - 电子科技大学;西安空间无线电技术研究所
  • 2011-10-26 - 2012-03-21 - H01P5/12
  • 一种基于基片集成波导的Ka波段功率合成器,属于微波/毫米波器件技术领域。包括输入信号功分结构和功率合成输出结构。所述输入信号功分结构包括第一级Y型微带线2等分功分器和第二级半模基片集成波导2等分功分器,两个半模基片集成波导2等分功分器背靠背设置并向两外侧输出。所述功率合成输出结构包括两个半模基片集成波导功率合成器和一个半模-全模基片集成波导功率合成器。整个功率合成器结构呈中心线对称;两个半模基片集成波导功率合成器形成对两个半模基片集成波导2等分功分器的半包围结构,使得功率合成输出结构与输入信号功分结构形成嵌入式结合,实现结构上的紧缩。本发明具有尺寸小、性能优良、成本低、重量轻、易于移植和便于集成的特点。
  • 一种基于集成波导ka波段功率合成器
  • [实用新型]一种基于基片集成波导的Ka波段功率合成器-CN201120412384.X有效
  • 林先其;江源;朱忠博;于家伟;樊勇 - 电子科技大学;西安空间无线电技术研究所
  • 2011-10-26 - 2012-06-13 - H01P5/12
  • 一种基于基片集成波导的Ka波段功率合成器,属于微波/毫米波器件技术领域。包括输入信号功分结构和功率合成输出结构。所述输入信号功分结构包括第一级Y型微带线2等分功分器和第二级半模基片集成波导2等分功分器,两个半模基片集成波导2等分功分器背靠背设置并向两外侧输出。所述功率合成输出结构包括两个半模基片集成波导功率合成器和一个半模-全模基片集成波导功率合成器。整个功率合成器结构呈中心线对称;两个半模基片集成波导功率合成器形成对两个半模基片集成波导2等分功分器的半包围结构,使得功率合成输出结构与输入信号功分结构形成嵌入式结合,实现结构上的紧缩。本实用新型具有尺寸小、性能优良、成本低、重量轻、易于移植和便于集成的特点。
  • 一种基于集成波导ka波段功率合成器
  • [实用新型]基于基片集成波导的衰减器-CN201220585895.6有效
  • 谢治毅;崔颖 - 王雅慧
  • 2012-11-08 - 2013-03-27 - H01P1/22
  • 本发明涉及一种基于基片集成波导的衰减器,该衰减器采用矩形基片集成波导腔体结构,其结构为:矩形基片集成波导腔体(1)由基板(2)、上下表面金属镀层(3)和位于上下表面金属镀层(3)边缘的连续的金属化通孔(4)共同构成;矩形基片集成波导腔体(1)的上下表面金属镀层(3)由输入部分金属镀层(3a)、衰减部分金属镀层(3b)和输出部分金属镀层(3c)共同构成;信号经过衰减部分金属镀层(3b)时发生衰减。基于基片集成波导的衰减器不仅衰减精确,而且剖面低、成本低、结构紧凑、易于集成,适合大规模生产和应用。
  • 基于集成波导衰减器
  • [发明专利]一种单片集成波导装置及其集成半导体芯片-CN202110176830.X有效
  • 陈伯庄 - 桂林雷光科技有限公司
  • 2021-02-07 - 2022-03-08 - H01S5/20
  • 本发明提供了一种单片集成波导装置,包括激光段以及调制器段,激光段包含波长选择元件,激光段和调制器段分别包含光模在其中传播的激光波导和调制器波导,调制器段用于调制相位和/或振幅。单片集成波导装置采用一个单片装置,由多个激光器段组成,每个激光器段都具有独立的激光条;或者采用由多个激光器段和多个用于调制相位的调制器段组成dev单片器件,并共同形成在同一个芯片上。一种集成半导体芯片,包括:单片集成波导装置以及前后视镜,单片集成波导装置具有多个段,与前后视镜成一定角度,激光器段发射的激光直接耦合到调制器段。
  • 一种单片集成波导装置及其半导体芯片

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