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[实用新型]一种易于安装的建筑用防火墙-CN201620064226.2有效
发明人：郭文英;陈邦法;宋立巍;王永武;郭文杰 -专利权人：四川启程得瑞绿色建材有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种易于安装的建筑用防火墙，属于建筑材料领域，包括墙体、隔离层和保护层，隔离层贴合墙体，墙体和保护层分别设置在隔离层的两侧，隔离层包括第一定位件、第二定位件和活动件，第一定位件设置在活动件的顶部，第二定位件设置在活动件的底部，第一定位件的底部设置有凹陷的第一槽道，第二定位件的顶部设置有凸起的第一定位凸起，活动件能够与第一槽道和第一定位凸起配合，进而固定在第一定位件和第二定位件之间，隔离层由不燃烧体制成包括第一定位件、第二定位件和活动件的隔离层在装配时可以现场进行组装，不需要作为一个固定的整体进行转移，降低了防火墙组装的难度。
一种易于安装建筑防火墙

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710442424.7有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有鳍部，鳍部包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区，鳍部第二区内具有开口；在基底上、鳍部侧壁和开口内形成初始隔离层；在初始隔离层和初始隔离层两侧的鳍部部分第一区上形成保护结构，保护结构包括：第一保护层和位于在第一保护层侧壁的第二保护层；采用刻蚀工艺去除部分初始隔离层，形成隔离层，隔离层的表面低于鳍部的顶部，且覆盖鳍部的部分侧壁，在刻蚀去除部分初始隔离层的过程中，刻蚀第一保护层的速率小于刻蚀第二保护层的速率
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710202667.3在审
发明人：张城龙;肖芳元;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部部分侧壁，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；形成隔离结构之后，在所述鳍部和隔离结构上形成牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口，所述第一开口底部暴露出所述鳍部部分顶部表面，且所述第一开口在垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述牺牲层；以所述牺牲层为掩膜对所述鳍部进行刻蚀，在所述鳍部中形成第二开口；在所述第二开口中形成隔离层；形成隔离层之后，去除所述牺牲层。隔离层材料能够充分填充所述第二开口，从而能够提高形成的隔离层的隔离性能，进而改善所形成半导体结构性能。
鳍部牺牲层开口隔离结构半导体结构隔离层衬底顶部表面隔离结构表面隔离层材料隔离性能侧壁刻蚀去除掩膜填充垂直暴露覆盖贯穿延伸

[发明专利]半导体结构以及半导体结构的形成方法-CN202011043756.6在审
发明人：于有权;吴公一;张仕然 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构以及半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：基底，包括阵列区和外围区，外围区内具有第一隔离结构，阵列区内具有第二隔离结构，第一隔离结构的顶部开口面积大于第二隔离结构的顶部开口面积；第一隔离结构中具有第一凹槽，以及用于填充第一凹槽的第一绝缘结构；第一绝缘结构至少包括顶隔离层，顶隔离层顶部表面与基底顶部表面齐平，且顶隔离层至少包括低介电常数材料。本发明实施例通过外围区的第一绝缘结构填充第一隔离结构中的第一凹槽，从而防止外围区浅沟槽隔离结构出现边缘漏电等缺陷，以提高形成的最终器件的良率，并防止浅沟槽隔离结构的性能损失。
半导体结构以及形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610531703.6有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于衬底上相邻的第一鳍部和第二鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第一鳍部和第二鳍部侧壁，所述隔离结构的表面高于或齐平于所述第一鳍部和第二鳍部顶部表面；对所述第一鳍部和第二鳍部之间的隔离结构进行离子注入，形成隔离层；形成隔离层之后，对所述隔离结构进行刻蚀，使所述隔离结构暴露出鳍部部分侧壁，对所述隔离结构进行刻蚀的过程中，所述隔离层的刻蚀速率低于所述隔离结构的刻蚀速率所述隔离层的刻蚀速率小于所述隔离结构的刻蚀速率，能够降低对隔离层的刻蚀损耗，从而能够改善晶体管性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911174508.2在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，提供衬底，衬底上具有鳍部，鳍部沿第一方向延伸，鳍部上包括多个第一区和至少一个第二区，第二区位于相邻的两个第一区之间；在衬底上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖鳍部部分侧壁，第一隔离层表面低于鳍部顶部表面；在各第一区上分别形成横跨鳍部的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂区，第一栅极结构覆盖鳍部部分侧壁与顶部表面；在第二区内形成第二隔离层，第二隔离层沿第二方向贯穿鳍部；在第二隔离层上形成第二栅极结构通过在第二隔离层上形成第二栅极结构，利用第二栅极结构中的金属材料具有较好的导热性能，能够将半导体结构产生的热能及时有效的导出，有效提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及晶体管的形成方法-CN201711324835.2有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构及晶体管的形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上具有预制柱；在预制柱的部分侧壁上形成底部前驱层；对底部前驱层进行第一退火处理；去除经第一退火处理的底部前驱层；形成底部插塞；在底部插塞上形成底部隔离层；在底部隔离层上形成全包围栅极结构；在全包围栅极结构上形成顶部隔离层；在预制柱的部分侧壁上形成顶部前驱层；对顶部前驱层进行第二退火处理；去除经第二退火处理的顶部前驱层；在顶部隔离层上形成顶部插塞。本发明技术方案能够实现在垂直沟道的全包围栅极晶体管中形成与源漏掺杂区相接触的插塞，并实现对预制柱部分侧壁进行底部掺杂和顶部掺杂，以实现改善晶体管电学性能的目的。
半导体结构晶体管形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910973259.7在审
发明人：余兴;蒋维楠 -专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：所述衬底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区以及分别位于第一区两侧的第二区和第三区，所述第一区、第二区和第三区沿所述鳍部延伸方向排布；在所述第一区内形成凹槽，所述凹槽沿垂直于所述鳍部延伸方向贯穿所述鳍部；在所述凹槽内形成隔离层，所述隔离层还位于所述第二区的部分顶部表面和所述第三区的部分顶部表面；在所述鳍部的第二区内和所述鳍部的第三区内形成外延层，所述外延层分别位于所述隔离层两侧且所述外延层与所述隔离层相邻。本发明的形成方法可以得到完全填充所述鳍部的第一区的凹槽的隔离层，从而能提高隔离层的隔离性能，进而改善所形成的半导体结构的性能。
鳍部隔离层第一区外延层半导体结构顶部表面衬底隔离性能延伸排布填充垂直贯穿

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111116498.4在审
发明人：陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在隔离区的衬底顶部、最靠近隔离区的凸起部的侧壁、以及刻蚀停止层的顶部形成保护层；在隔离区中，在保护层的侧壁形成牺牲层；去除高于刻蚀停止层顶部的保护层和牺牲层；在隔离区的保护层顶部、以及器件单元区的第一凹槽中形成第一隔离层，第一隔离层的顶部与刻蚀停止层的顶部相齐平；去除牺牲层，在隔离区中形成由第一隔离层的侧壁、位于衬底上的保护层顶部、以及保护层的侧壁围成的开口；在开口中形成导电层，导电层的顶部低于底部鳍部的顶部。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构-CN202110925394.1在审
发明人：郑孟晟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构，该浅槽隔离结构的制备方法包括：提供基底，于基底上形成多个第一沟槽，且第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；于基底的顶部和多个第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，且第一隔离层位于第一沟槽内的部分形成第二沟槽；第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变；于第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，且第二隔离层位于第二沟槽内的部分将第二沟槽完全填满。这样，由于第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势，可以直接对第一沟槽进行隔离层的填充，不仅简化了浅槽隔离结构的制程，而且提高了该隔离结构的绝缘性能。
隔离结构制备方法半导体

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710443157.5有效
发明人：周飞;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有鳍部，鳍部包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区，鳍部第二区内具有开口；在基底上、鳍部侧壁和开口内具有初始隔离层；在初始隔离层和初始隔离层两侧的鳍部部分第一区上形成保护结构，保护结构包括：第一保护层和位于第一保护层侧壁的第二保护层，第一保护层密度较第二保护层密度大；采用刻蚀工艺去除部分初始隔离层，形成隔离层，隔离层的表面低于鳍部的顶部，且覆盖鳍部的部分侧壁。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种无电式保鲜保湿容器-CN201210045489.5有效
发明人：叶建伟 -专利权人：成都川盛塑胶有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B65D81/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无电式保鲜保湿容器，属一种食品或农产品的保鲜装置，包括容器内室(5)与隔离层，隔离层设置在容器内室(5)的侧壁上，所述的隔离层分别与容器内室(5)、以及容器外部相连通，隔离层中填充有保鲜介质(2)；所述的容器内室(5)的顶部还设置有封盖组件，容器内室(5)的底部还设置有水箱(6)，且水箱(6)与容器内室(5)侧面的隔离层相连通。利用隔离层中湿润保鲜介质中的水分向外蒸发吸热，以及保鲜介质导热率低的原理，使得容器内室中的温度恒定在理想的保鲜温度区间内，同时本发明所提供的一种无电式保鲜保湿容器结构简单，应用范围广阔，且易于推广。
一种无电式保鲜保湿容器

[实用新型]简易型灌肠器-CN201620264195.5有效
发明人：姚志超;朱兰兵;郑志强 -专利权人：温州医科大学附属第二医院
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： A61M3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及灌肠器领域，尤其是公开了一种简易型灌肠器，包括用于盛装灌肠液的袋体、一端连接袋体的管体及连接于管体另一端的软插头，所述软插头上设有出水口；还包括一套设于袋体外的保温外套，保温外套的顶部设有悬挂绳；保温外套包括贴紧袋体的内隔离层、位于内隔离层外的外隔离层及位于内隔离层和外隔离层之间的发热层，所述发热层连接一穿出外隔离层的电源线；所述保温外套底部设有拉链和供管体穿出的通孔。
简易灌肠

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110240323.8有效
发明人：王景皓;辛欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：制造方法包括：提供基底以及位于基底上的位线结构；形成第一隔离层，第一隔离层位于位线结构的侧壁以及基底上；形成第二隔离层，第二隔离层覆盖位于位线结构侧壁的第一隔离层，且露出位于基底上的第一隔离层；去除被第二隔离层暴露的第一隔离层以及位于第二隔离层正下方的部分第一隔离层，以使剩余第一隔离层相较于第二隔离层朝向位线结构侧壁方向内凹以形成凹槽；形成填充凹槽的第三隔离层，第三隔离层覆盖凹槽露出的第一隔离层表面，且第三隔离层的材料与第一隔离层的材料不同；刻蚀位于相邻第二隔离层之间的基底
半导体结构及其制造方法

[发明专利]浅沟道隔离区的制作方法-CN201010229234.5有效
发明人：宁振佳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟道隔离区的制作方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成掩膜层，刻蚀所述半导体衬底形成沟道，形成氧化隔离层填充所述沟道，对氧化隔离层施行平坦化过程后，对所述掩膜层进行回刻处理，在所述氧化隔离层与所述掩膜层之间形成间隙本发明通过在所述掩膜层与所述氧化隔离层之间形成间隙，并在所述间隙中填充氧化层，不仅避免了在所述氧化隔离层内部形成空洞问题，同时在后续湿法清洗过程中不容易被腐蚀，有效减小了浅沟道隔离区顶部边缘的缺角的形成问题
沟道隔离制作方法

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