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[发明专利]一种显示面板、彩膜基板及彩膜基板的制备方法-CN202310677783.6在审
发明人：马玉洁;陈牡丹;董耀龙 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板、彩膜基板及彩膜基板的制备方法，彩膜基板包括多个光阻单元，每个光阻单元包括第一光阻块、第二光阻块、第三光阻块，且相邻两个光阻块之间设置有遮光层，遮光层包括层叠设置的第一子遮光层、第二子遮光层和第三子遮光层；其中，第一光阻块和第一子遮光层由第一光阻层图案化形成，第二光阻块和第二子遮光层由第二光阻层图案化形成，第三光阻块和第三子遮光层由第三光阻层图案化形成，第一光阻层、第二光阻层以及第三光阻层的颜色不同，且其中两个为正性光阻层，另外一个为负性光阻层。上述彩膜基板的结构设计，可以只利用两张掩膜版形成，从而简化彩膜基板的制备工艺，且节省成本。
一种显示面板彩膜基板制备方法

[发明专利]金属框多层线路基板先镀后蚀金属线路减法工艺方法-CN201310188937.1有效
发明人：梁志忠;陈灵芝;王新潮;梁新夫 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属框多层线路基板先镀后蚀金属线路减法工艺方法，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面镀铜箔；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀第一金属线路层；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀第二金属线路层；去除光阻膜；贴压不导电胶膜作业；研磨不导电胶膜；不导电胶膜表面金属化预处理；电镀第三金属线路层；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；蚀刻作业；去除光阻膜；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀第四金属线路层；去除光阻膜；环氧树脂塑封；研磨环氧树脂表面；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；蚀刻作业；去除光阻膜；电镀金属层。
金属多层线路基板先镀后蚀减法工艺方法

[发明专利]金属框多层线路基板先镀后蚀工艺方法-CN201310188048.5有效
发明人：陈灵芝;王新潮;梁新夫;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属框多层线路基板先镀后蚀工艺方法，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面镀铜箔；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀第一金属线路层；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀第二金属线路层；去除光阻膜；贴压不导电胶膜作业；研磨不导电胶膜；不导电胶膜表面金属化预处理；电镀第三金属线路层；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀第四金属线路层；微型蚀刻；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀第五金属线路层；去除光阻膜；环氧树脂塑封；研磨环氧树脂表面；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；蚀刻作业；去除光阻膜；电镀金属层。
金属多层线路基板先镀后蚀工艺方法

[发明专利]一种阻焊干膜光阻剂、其制备方法及应用-CN202210223873.3有效
发明人：杜永杰;邓晓明;张卫国;彭威;杨炀;李智新 -专利权人：珠海市能动科技光学产业有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻焊干膜光阻剂、其制备方法及应用，属于线路板生产制作技术领域。该阻焊干膜光阻剂具有3层结构，分别为光阻剂层1、光阻剂层2和光阻剂层3；其中光阻剂层1含有环氧丙烯酸酯主体树脂、可光固化单体、热固化催化剂和自由基引发剂；光阻剂层2含有羧基的丙烯酸酯化合物、具有可热固化官能团的热固化树脂、具有至少两个可光固化不饱和官能团的光聚合单体、光引发剂、热固化催化剂；光阻剂层3包含有羧基的高分子粘合剂、光聚合单体、热聚合抑制剂、自由基光引发剂。本发明提供的阻焊干膜光阻剂，能结合阻焊干膜及高解析度的干膜光阻剂形成各方面性能较好的干膜。
一种阻焊干膜光阻剂制备方法应用

[发明专利]TFT基板制作方法-CN201711245330.7有效
发明人：江志雄 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层；对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。
tft 制作方法

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN201810532487.6有效
发明人：冯校亮 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制作方法，该制作方法包括：在基板上形成器件层；在器件层上定义光阻图案，其中，光阻图案包括光阻部分以及裸露部分，裸露部分未被光阻覆盖；依据光阻图案进行镀膜，使得裸露部分以及光阻部分均覆盖有相应的膜层；剥离光阻部分以及覆盖在光阻部分上的膜层，进而形成相应的目标膜层。该制作方法依据黄光、镀膜、剥离的顺序进行膜层的制作，由于不会用到蚀刻工艺，所有作为基底的工艺层均不会遭到蚀刻的破坏，可以确保良好的界面接触。
显示面板及其制作方法

[发明专利]栅极制造方法-CN200910052545.6无效
发明人：齐龙茵;奚裴;石小兵;黄莉;杨昌辉;张振兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明揭露了一种栅极制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层、硬掩膜层和图案化光阻层；以所述图案化光阻层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，形成图案化硬掩膜层，同时所述图案化光阻层被部分移除；以剩余的图案化光阻层和所述图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层和栅氧化层，同时所述剩余的图案化光阻层被完全移除，所述图案化硬掩膜层被部分移除；移除剩余的图案化硬掩膜层，形成栅极。本发明可避免光阻残渣现象的出现，提高了半导体器件的良率，并可节约生产成本，提高生产效率。
栅极制造方法

[发明专利]金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜-CN201711396854.6在审
发明人：蔡丰豪 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属光掩膜的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成正性光阻层；在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。本发明的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
负性光阻正性光阻光掩膜金属层制作金属基板完全分离制作过程光阻介体良率去除

[发明专利]液晶显示面板-CN202310216300.2在审
发明人：罗妮;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本申请公开了一种液晶显示面板，包括显示面板主体，以及设置所述显示面板主体内的色阻层和遮光膜层，所述色阻层和所述遮光膜层在所述显示面板主体的出光方向上依次设置，所述色阻层包括红色色阻层、绿色色阻层和蓝色色阻层，所述遮光膜层对应所述红色色阻层和绿色色阻层设置，对应所述蓝色色阻层不设置所述遮光膜层。本申请在液晶显示面板的出光方向上依次设置色阻层和遮光膜层，即遮光膜层设置在色阻层后，遮光膜层对应红色色阻层和绿色色阻层设置，对应所述蓝色色阻层不设置所述遮光膜层，从而降低红光和绿光的透过率，避免蓝光穿透弱，导致混光后得到的颜色偏黄，影响显示效果。
液晶显示面板

[实用新型]光伏电池封装结构-CN202020706208.6有效
发明人：张裕洋;刘修铭;陈耀宗;黄松建 -专利权人：位元奈米科技股份有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：一种光伏电池封装结构，包括：一下阻水阻气膜、一光伏电池、一电极导线、一上阻水阻气膜、一上透明盖板及一下透明盖板。光伏电池设于下阻水阻气膜的一侧面上，该光伏电池依序具有一基板、一下导电层、一光伏层及一导电层。电极导线设于基板一侧面上并与下导电层电性连接。该上阻水阻气膜位于上导电层的一侧面上。上透明盖板位于该上阻水阻气膜的另一侧面上。该下透明盖板位于该下阻水阻气膜的另一侧面上。其中，上透明盖板及下透明盖板封装上阻水阻气膜、下阻水阻气膜与光伏电池后，使该电极导线引出上透明盖板与下透明盖板的结构外。
电池封装结构

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN201711461556.0有效
发明人：欧甜;徐洪远 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述制备方法包括步骤：在薄膜晶体管层上沉积钝化材料层，所述钝化材料层包括交替设置的第一膜层和第二膜层，所述钝化材料层的顶层为所述第二膜层，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同；以光阻层为掩模，对所述钝化材料层进行刻蚀，直至刻蚀至露出所述第一膜层，形成与所述光阻层对应的图案结构；在所述光阻层及暴露的所述第一膜层上沉积ITO薄膜；将所述光阻层剥离，获得阵列基板。由于不同材料的刻蚀速率不同，从而可以在间隔物的边缘与光阻的边缘形成较大的间隔，使得剥离液能够更好的对光阻进行剥离，提升剥离效率和剥离均一性，降低光阻残留的概率。
钝化材料层第一膜层光阻层阵列基板剥离刻蚀膜层制备光阻沉积薄膜晶体管层边缘形成交替设置图案结构剥离液间隔物均一性顶层掩模残留暴露概率

[发明专利]手机玻璃后盖制作方法-CN201810586372.5有效
发明人：兰颖脱 -专利权人：深圳市骏达光电股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C03C17/38 文献下载
摘要：本发明公开了手机玻璃后盖制作方法，包括：在素玻璃的上表面涂布并固化一层全覆盖素玻璃的透明树脂，以得到保护光阻层；通过真空溅镀方式在保护光阻层的上表面镀一层金属膜；在金属膜的上表面制作过渡光阻层；利用蚀刻液蚀刻掉金属膜的暴露于过渡光阻层外的部分；剥离过渡光阻层；印刷并固化全覆盖保护光阻层和金属膜的油墨，以得到衬底。在素玻璃上进行真空溅镀前，先在素玻璃上固化一层透明树脂得到保护光阻层，大大地提高了玻璃后盖的强度，金属膜牢牢附着于保护光阻层上，避免出现层间分离，再利用过渡光阻层辅助对真空溅渡于玻璃后盖上的金属膜的蚀刻
手机玻璃制作方法

[发明专利]光阻层剥离方法-CN201711453565.5有效
发明人：尹易彪 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种光阻层剥离方法，包括以下的步骤：在基板上依次层叠设置保护层、金属层及光阻层；图案化所述光阻层；蚀刻所述金属层和所述保护层，以形成过孔，所述过孔贯穿所述光阻层、所述金属层及所述保护层；通过所述过孔蚀刻所述金属层，使所述金属层的边缘相对所述光阻层的边缘和所述保护层的边缘内缩，以在所述过孔的内壁上形成凹槽；沉积功能膜层，所述功能膜层包括多个功能膜层块及连接所述多个功能膜层块之间的间隙，所述间隙连通所述过孔；喷洒溶解试剂，所述溶解试剂通过所述间隙填充所述凹槽，以去除所述光阻层。本发明能够提高光阻层的剥离效率。
光阻层剥离方法

[发明专利]显示装置、COA基板及其制造方法-CN201510697888.3在审
发明人：武岳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种COA基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成色阻层；在色阻层上形成第三绝缘层；形成露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；在第三绝缘层上形成ITO膜层；在ITO膜层上形成光阻层；对过孔区域ITO膜层上的光阻层进行遮光处理，并对非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行曝光处理；对过孔区域ITO膜层上的光阻层和非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行显影处理，以得到覆盖在过孔区域ITO膜层上的光阻层塞子。通过上述方式，本发明利用光阻将过孔的洞口填满，能够提高显示装置的面板的品质。
显示装置 coa 及其制造方法

[发明专利]一种掩膜图案的形成方法及鳍式场效应晶体管-CN201910091989.4有效
发明人：李庆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜图案的形成方法，包括沉积形成掩膜层；在掩膜层上形成光阻层图案；经由光阻层图案的间隔，向掩膜层中植入掩膜层空隙填充物；经由光阻层图案的间隔，向掩膜层中植入掩膜层植入物；去除光阻层图案，及光阻层图案遮挡的掩膜层。本发明提供的掩膜图案的形成方法，通过向掩膜层中植入掩膜层空隙填充物，进而减小了掩膜层植入物的扩散和散射现象。由此，掩膜层植入物会按照预设的路径扩散和散射，使得掩膜图案形状变得规则，提高了掩膜图案的质量。本发明还提供了一种由该方法形成的掩膜质量更高、性能更好的鳍式场效应晶体管。
一种图案形成方法场效应晶体管

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