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[发明专利]生理检测系统及生理检测装置-CN202111287198.2在审
发明人：林炯彣;韩威如;周洋铭;蔡政男;古人豪;庄智元 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： A61B5/026 文献下载
摘要：一种生理检测系统，所述生理检测系统包含阵列式传感器以及处理单元。所述阵列式传感器可用于输出阵列式变化信号，所述处理单元用于根据所述阵列式变化信号建立三维能量分布并具以判断不同微循环状态。
生理检测系统装置

[发明专利]阵列式生理检测系统及其运作方法-CN201510303889.5有效
发明人：韩威如;庄智元;蔡政男;古人豪 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： A61B5/02 文献下载
摘要：一种生理检测系统，所述生理检测系统包含阵列式传感器以及处理单元。所述阵列式传感器可用于输出阵列式变化信号，所述处理单元用于根据所述阵列式变化信号建立三维能量分布并具以判断不同微循环状态。
阵列生理检测系统及其运作方法

[发明专利]阵列式生理检测系统及生理检测装置-CN201811257149.2有效
发明人：林炯彣;韩威如;周洋铭;蔡政男;古人豪;庄智元 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： A61B5/026 文献下载
摘要：一种生理检测系统，所述生理检测系统包含阵列式传感器以及处理单元。所述阵列式传感器可用于输出阵列式变化信号，所述处理单元用于根据所述阵列式变化信号建立三维能量分布并具以判断不同微循环状态。
阵列生理检测系统装置

[发明专利]阵列式油包液滴结构的制备方法-CN201810184688.1有效
发明人：巫金波 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列式油包液滴结构的制备方法，该阵列式油包液滴结构的制备建立在制备PDMS模板的基础上，包括如下步骤：步骤a，在硅片表面的刻蚀区域，刻蚀出圆柱形的、由微柱构成的微柱阵列，以获得微柱硅片；步骤b，对获得的微柱硅片的表面进行疏水性处理；步骤c，于所述微柱阵列所在的刻蚀区域处，滴加PDMS材料并涂抹均匀；步骤d，使PDMS材料固化以形成PDMS薄膜，将PDMS薄膜和所述微柱硅片分离后，获得带有微柱通孔的本发明的PDMS模板的制备方法制得的PDMS模板，其上带有微柱通孔的阵列，便于后续阵列式油包液滴结构的制备，并降低了阵列式油包液滴结构的制备难度以及油包液滴制备中试剂的使用量，可重复使用。
制备微柱液滴油包阵列式硅片刻蚀区域微柱阵列通孔硅片表面后续阵列涂抹均匀可重复疏水性包液滴加固化刻蚀式油

[实用新型]一种柔性干式电极-CN201720704397.1有效
发明人：舒琳;张发华;徐向民;邢晓芬 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： A61B5/0478 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种柔性干式电极，该电极包括电极本体和电联接件，其中电极本体包括电极底部和排布在电极底部上的阵列式结构探针；电联接件从电极底部引出，与阵列式结构探针电连接；阵列式结构探针包括若干沿着电极底部环形排布的探针，若干探针排布后所形成的探针阵列中探针的末端形成凹陷状的三维弧形曲面。
电极探针阵列式结构本实用新型电极本体电联接件干式排布长期稳定弧形曲面环形排布探针阵列凹陷状导电胶电连接中探针穿戴阻抗三维安全

[发明专利]一种阵列式位移计的多点位移传递计算方法及安装装置-CN202211237450.3有效
发明人：张义 -专利权人：深圳市瑞芬科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01B21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列式位移计的多点位移传递计算方法及安装装置，包括：步骤S1，将预设数量N的阵列式位移计依次串联后水平放置并固定，读取并保存阵列式位移计相对于第一个阵列式位移计的相对旋转角度；步骤S2，将阵列式位移计压入至预设管道中，在安装完成之后读取每个阵列式位移计的X轴转动角度；步骤S3，将预设数量N的阵列式位移计按顺序编号，将第一个阵列式位移计的载体坐标系定义为基准坐标系，计算自第二个阵列式位移计起，每个阵列式位移计相对于第一个阵列式位移计的三维位移；步骤S4，根据三维位移，计算位移和。
一种阵列位移多点传递计算方法安装装置

[发明专利]一种400G LR4光接收次组件结构及其制造方法-CN202110128817.7在审
发明人：黃劲威;周书刚;陈正刚;赵永成;黄敏华;陈斌 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-01-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种400G LR4光接收次组件结构及其制造方法，该结构包括光分波器、可对光进行设定角度反射的阵列式耦合透镜、阵列式光电二极管、键合金丝、跨阻放大器和装配印刷电路板，所述光分波器将合束在一起的LR4平行光，分为独立的四路平行光，四路平行光经过所述阵列式耦合透镜，光转过设定角度并汇聚到所述阵列式光电二极管的光敏面，所述阵列式光电二极管将光信号转化为电信号，所述电信号通过所述键合金丝传输到所述跨阻放大器该结构不仅有利于优化信号，而且简化了制造过程。
一种 400 lr4 接收组件结构及其制造方法

[发明专利]一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法-CN202110212399.X有效
发明人：张嘉伟;刘朝辉;王力;汝艳 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置包括磁屏蔽桶，放置在磁屏蔽桶内且与磁屏蔽桶相连接的磁屏蔽结构，磁屏蔽桶的两端设有桶盖，桶盖上设有换气孔和出线孔，磁屏蔽结构包括三轴阵列式磁通门、铜板、接地线，铜板放置在磁屏蔽桶内，铜板上放置测试样品，测试样品上放置三轴阵列式磁通门。一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量方法，包括：打开桶盖，将经过表面放电处理的测试样品放置于铜板之上，然后将三轴阵列式磁通门放置于测试样品之上，关闭桶盖进行测试样品表面的电势分布的测量；最后测量结果可通过数据传输线传输到电脑上进行后续分析本发明具有测量精度高、结构简单、抗干扰能力强、操作简单等优点。
一种阵列式磁通门表面电势分布衰减测量装置方法

[发明专利]一种阵列式光束聚焦组件的基准校核方法-CN202211389334.3在审
发明人：卢礼华;曹永智;高思煜;赵航;于福利;缪浩然;张鹏 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列式光束聚焦组件的基准校核方法，涉及光学技术领域。本发明所述的阵列式光束聚焦组件的基准校核方法，包括:安装自准直仪组件、标准镜组件和阵列式光束聚焦组件；根据所述标准镜组件调整所述自准直仪组件的位姿，以使所述自准直仪组件与所述标准镜组件准直；根据所述自准直仪组件和所述标准镜组件对所述阵列式光束聚焦组件定轴校准本发明所述的技术方案，通过自准直仪组件和标准镜组件调整阵列式光束聚焦组件的姿态，实现对阵列式光束聚焦组件定轴，有效提高了阵列式光束聚焦组件的聚焦能力；同时由于采用离线调整方式对阵列式光束聚焦组件的位姿进行调整
一种阵列光束聚焦组件基准校核方法

[实用新型]一种阵列式LED电子屏-CN202220834747.7有效
发明人：周江辉 -专利权人：江西睿芯科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列式LED电子屏。所述阵列式LED电子屏包括底座、高度调节机构、方位调节机构和阵列式LED电子屏本体，所述底座的前端面开设有滑槽，所述滑槽内连接有高度调节机构。本实用新型提供的阵列式LED电子屏，通过设置的高度调节机构，能方便快捷的调节阵列式LED电子屏本体的高度，调节起来方便快捷，方便不同身体的人利用电子屏进行教学，提高了装置的适用性，通过设置的方位调节机构，能够对阵列式LED电子屏本体的展示方位进行调节，调节起来方便快捷，方便不同方位的展示，方便教学的使用，并且，阵列式LED电子屏本体的拆装方便快捷，方便对阵列式LED电子屏本体的检修。
一种阵列 led 电子

[发明专利]一种基于阵列式触觉传感器的情感识别装置及方法-CN201810323983.0有效
发明人：刘华平;魏佳琪;王博文;孙富春 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提出一种基于阵列式触觉传感器的情感识别装置及方法，属于电子信息、模式识别和人工智能领域。该装置包括：电源、阵列式触觉传感器及载体、微控制器和上位机；所述电源分别与阵列式触觉传感器、微控制器、上位机连接为其提供电力；阵列式触觉传感器放置在载体上并和微控制器连接，用于采集参与者执行动作的压力值数据并发送给微控制器；微控制器与上位机连接，用于控制阵列式触觉传感器工作，接收阵列式触觉传感器采集的压力值数据并保存，然后发送到上位机；上位机对从微控制器接收到的压力值数据进行保存，经过分析处理后实时显示情感识别的结果。本发明装置结构简单，方法易操作，可准确识别使用者的不同情绪，有很高的实用价值。
一种基于阵列触觉传感器情感识别装置方法

[发明专利]基于体硅的三维阵列式后栅型SiNWFET制备方法-CN201210093631.3有效
发明人：黄晓橹;傅昶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于体硅的三维阵列式后栅型SiNWFET制备方法，包括：提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成阵列式鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；通过选择性刻蚀去除所述阵列式鳍形有源区中的SiGe层，形成三维阵列式硅纳米线；在所述源漏区之间的体硅衬底上形成虚拟隔离层；在所述虚拟隔离层内形成栅极沟槽；在所述三维阵列式硅纳米线上形成栅极氧化层本发明采用虚拟隔离层，利于栅极沟槽轮廓控制；采用常规的栅极氧化层；三维阵列式硅纳米线结构，利于增大器件集成度和器件电流驱动能力。
基于三维阵列式后栅型 sinwfet 制备方法

[发明专利]基于体硅的三维阵列式后栅型SiNWFET制备方法-CN201210094052.0无效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于体硅的三维阵列式后栅型SiNWFET制备方法，包括：提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成阵列式鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；通过选择性刻蚀去除所述阵列式鳍形有源区中的SiGe层，形成三维阵列式硅纳米线；在所述源漏区之间的体硅衬底上形成隔离介质层；对所述隔离介质层进行光刻和刻蚀，形成栅极沟槽；在所述三维阵列式硅纳米线上形成栅极氧化层本发明采用后栅工艺，利于栅极轮廓控制和器件电性控制；采用三维阵列式硅纳米线结构，使器件集成度和器件电流驱动能力成倍数增大。
基于三维阵列式后栅型 sinwfet 制备方法

[实用新型]一种造型有趣的阵列式礼花弹-CN200320131628.2无效
发明人：张军 -专利权人：张军
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： F42B4/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种造型有趣的阵列式礼花弹，属于花炮烟花领域。它克服了现有阵列式礼花弹外观单调、缺乏艺术感趣味感的不足，提出把阵列式礼花弹做成捆绑式火箭、航天飞机、集群导弹阵列之外观造型。本实用新型显著增强了阵列式礼花弹的燃放情趣，增加了阵列式礼花弹的娱乐价值，会得到人们特别是孩子和青少年的喜爱。
一种造型有趣阵列礼花弹

[发明专利]一种阵列式紫外LED平行光源-CN201810866647.0在审
发明人：李治显 -专利权人：苏州汇影光学技术有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种阵列式紫外LED平行光源，属于LED光源技术领域。该阵列式紫外LED平行光源，包括透镜阵列、紫外LED光源、导热板、散热底板和散热底板支撑框架。该阵列式紫外LED平行光源中的透镜阵列由多个小透镜组成，每一个小透镜独立工作，将紫外LED发出的光束汇聚成近似平行的光束；紫外LED光源位于透镜下方，并且与导热板紧密接触，由导热板将紫外LED光源工作产生的热量传导出去，散热底板接收导热板传递的热量，散热底板通过散热底板支撑框架同时支撑透镜阵列，保证紫外LED光源始终位于透镜阵列的焦点附近。总之，该阵列式紫外LED平行光源结构设计合理，散热效果好，适合推广使用。
紫外LED 平行光源散热底板阵列式紫外LED光源透镜阵列导热板支撑框架小透镜透镜光束汇聚热量传导散热效果近似平行传递焦点支撑保证