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[发明专利]一种制备镧钙锰氧纳米颗粒带阵列的方法-CN201710323610.9有效
发明人：陈清明;杨盛安;张辉;刘翔;金菲 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C25D11/10 文献下载
摘要：本发明公开一种制备镧钙锰氧纳米颗粒带阵列的方法，属于制备纳米材料技术领域；通过配套负压抽滤和中低压直流择优电沉积生长过程可得到大长径比镧钙锰氧纳米溶胶颗粒带阵列，后对其进行快速干燥凝胶等热处理工艺得到大长径比镧钙锰氧纳米颗粒带阵列；该工艺突破了现有技术只能制备较低量级长径比镧钙锰氧纳米阵列的技术限制，同时为如何高效提高纳米阵列材料长径比提供一个很好的借鉴工艺手段；丰富了镧钙锰氧纳米阵列作为微纳物理基础研究对象的磁学性能表现力，同时拓宽了其作为磁学器件的结构基础和性能基础
一种制备镧钙锰氧纳米颗粒阵列方法

[发明专利]一种多功能镧钙锰氧陶瓷烧结炉-CN201810092776.9有效
发明人：刘翔;孙涛;杨盛安 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能镧钙锰氧陶瓷烧结炉，属于电子陶瓷设备技术领域。该烧结炉包括承重台Ⅰ、承重台Ⅱ、保护框架Ⅰ、保护框架Ⅱ、氧气瓶、氮气瓶、烧结管道、支撑肋板、支撑架、滑动烧结系统、监测腔体、真空泵机。本发明的多功能镧钙锰氧陶瓷烧结炉可提高镧钙锰氧陶瓷烧结效率；精确控制进气量和出气量；提高镧钙锰氧陶瓷烧结的致密度，使陶瓷性能更加优良；烧结管段固定，整个加热箱体可以沿烧结管自由移动。
镧钙锰氧陶瓷烧结炉保护框架陶瓷烧结承重台设备技术领域氧气瓶电子陶瓷加热箱体监测腔体烧结管道烧结系统真空泵机支撑肋板烧结出气量氮气瓶进气量烧结管烧结炉支撑架滑动管段陶瓷

[发明专利]一种提高镧钙锰氧陶瓷材料电学性能的方法-CN201611001765.2有效
发明人：张辉;金菲;杨盛安;陈清明 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开一种提高镧钙锰氧陶瓷材料电学性能的方法，属于电子陶瓷领域；本发明采用甲醇作为溶剂，将硝酸镧、硝酸钙、硝酸锰、柠檬酸化学原料加入甲醇溶剂中做搅拌溶解操作得到混合溶液；对上述溶液经过快速成胶、干燥、煅烧、烧结处理得到性能优异的镧钙锰氧陶瓷材料。本发明采用甲醇作溶剂，制备出的镧钙锰氧陶瓷材料性能优异、颗粒尺寸均匀，成分均一，具有高达60%的TCR，且制备周期大大缩短，同时提高实验效率。
一种提高镧钙锰氧陶瓷材料电学性能方法

[发明专利]基于太赫兹波的检测镧钙锰氧各向异性的方法-CN201910371408.2有效
发明人：梅红樱;苏付海;张朋;姚汝贤;陈富军 -专利权人：黄淮学院
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太赫兹波的检测镧钙锰氧各向异性的方法，该方法包括：在磁场垂直和平行样品表面两种情况下，利用太赫兹频段内的电磁波对样品进行测试，得到在210K、105K和30K情况下镧钙锰氧随磁场变化的时域太赫兹透射光谱画出不同温度下太赫兹峰值随磁场的变化关系，由此用光学方法得出在不同温度下样品与磁场配置不同方向的镧钙锰氧具有各向异性。太赫兹频段的电磁波穿透性强，无接触，不需制备电极，操作简单，对待测样品无破坏性，检测镧钙锰氧样品各向异性效果更好。
基于赫兹检测镧钙锰氧各向异性方法

[发明专利]一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法-CN201710323609.6有效
发明人：陈清明;杨盛安;张辉;刘翔;金菲 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明公开一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法，属于制备纳米材料技术领域；通过配套降压减薄工艺得到分布间距可控的阳极氧化铝模板之后辅以低压直流择优电沉积方法制备得到分布间距可控的镧钙锰氧纳米线阵列；该工艺突破了现有技术只能制备单一填充纳米线阵列的限制；丰富了镧钙锰氧纳米阵列作为微纳物理基础研究对象的磁学性能表现力，同时拓宽了其作为磁学器件的结构基础和性能基础。
一种制备镧钙锰氧纳米阵列方法

[发明专利]一种镧钙锰氧-镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法-CN201610006430.3有效
发明人：董显林;薛粉;陈莹;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种镧钙锰氧‑镧锶锰氧‑钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括依次层叠形成在基底上的镧钙锰氧薄膜层、镧锶锰氧薄膜层和钛酸锶铅薄膜层。
一种镧钙锰氧镧锶锰氧钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法-CN99125425.2无效
发明人：赵柏儒;彭海兵;龚伟志;谢中;林媛;郝昭;许波 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1999-12-08 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异，通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控，使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构，从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序分布，并实现对裂纹宽度及密度的控制这种有序结构增强了镧钙锰氧薄膜在低磁场下磁电阻效应，也便于进行异质结的研究。本发明工艺简单可靠，易于控制，样品重复性好，在异质结和半导体的研究中可推广应用。
一种制备具有有序表面结构镧钙锰氧薄膜方法

[发明专利]铝掺杂镧锰系钙钛矿催化剂的应用-CN202211140422.X有效
发明人：田熙科;朱佳路;吴桂秋;黄云杰 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J23/34 文献下载
摘要：本发明提供了铝掺杂镧锰系钙钛矿催化剂的应用。所述应用包括：在臭氧存在的条件下，利用所述铝掺杂镧锰系钙钛矿催化剂降解有机污染物，所述铝掺杂镧锰系钙钛矿催化剂的分子式为LaAl1‑xMnx铝掺杂镧锰系钙钛矿催化剂的分子式为LaAl1‑xMnxO3，通过B位掺杂可以在钙钛矿表面形成更多的表面氧空位，氧空位可以作为电子供体与臭氧及水分子反应生成活性自由基，从而增强对有机污染物的降解；通过B位掺杂可以有效提高镧锰钙钛矿催化剂去除有机污染物的降解效率，催化剂在一个较宽的pH范围内均有较好的降解效果，且能够重复使用
掺杂镧锰系钙钛矿催化剂应用

[发明专利]一种制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法-CN201710323593.9有效
发明人：陈清明;杨盛安;张辉;刘翔;金菲 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明公开一种制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法，属于制备纳米材料技术领域；该方法通过配套降压减薄工艺和化学腐蚀修饰技术可得到孔径尺寸交叉混合间距分布可控的阳极氧化铝模板，后辅以分段低压直流择优电沉积方法制备得到尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列；该工艺突破了现有技术只能制备单一尺寸和填充的纳米线阵列限制；丰富了镧钙锰氧纳米阵列作为微纳物理基础研究对象的磁学性能表现力，同时拓宽了其作为磁学器件的结构基础和性能基础。
一种制备镧钙锰氧纳米复合阵列方法

[发明专利]一种镧钙锰氧-氧化镍纳米复合薄膜材料及其制备方法-CN201510083387.6在审
发明人：王占杰;宁兴坤;张志东 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种镧钙锰氧-氧化镍纳米复合薄膜材料及其制备方法，所述材料的组成为NiO：20～70％，La_0.7Ca_0.3MnO₃:30～80％，该材料的居里温度为100～215K，绝缘-金属转变温度为50～200K，具有优越的低场磁电阻；该材料的制备方法是利用脉冲激光沉积法在650～750℃和25～50Pa氧压的条件下，用镧钙锰氧和氧化镍靶材在SrTiO₃(001)基板上沉积40～80nm镧钙锰氧-氧化镍纳米复合薄膜。
一种镧钙锰氧氧化纳米复合薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法-CN201510736240.2有效
发明人：董显林;薛粉;陈莹;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法，所述方法包括：在硅衬底上，采用化学溶液沉积法制备镧钙锰氧薄膜，在溶液中掺入铁离子，通过调节铁离子的掺杂量，实现对镧锶锰氧薄膜磁性能的规律性调控。
镧钙锰氧薄膜磁性能调控铁离子制备微波通信磁电复合材料化学溶液沉积镧锶锰氧薄膜表面粗糙度磁场传感器磁学性能航空航天离子分布重要应用薄膜铁掺杂量硅衬底潜在的微裂纹掺入薄膜规律性计算机研究

[发明专利]用于将NO氧化成NO₂的非化学计量的钙钛矿氧化物氧化催化剂-CN201110166967.3有效
发明人： G·齐;W·李;X·王;M·沈 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司;天津大学
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： B01D53/94 文献下载
摘要：本发明涉及用于将NO氧化成NO₂的非化学计量的钙钛矿氧化物氧化催化剂，尤其涉及化学通式La_XMnO_Y的非化学计量的钙钛矿氧化物，在其中镧∶锰的摩尔比(“X”)是0.85‑0.95，该氧化物可以作为氧化催化剂以粒子形式使用来在用于烃作燃料的发动机的废气后处理系统中将NO氧化成为NO₂。氧含量(“Y”)随着镧∶锰的摩尔比的变化而波动，但是通常落入3.0‑3.30范围内的某处。由非化学计量的镧∶锰的摩尔比所激励的晶格调整据信是造成与具有较高的镧和锰摩尔比的类似的钙钛矿氧化物相比NO氧化活性提高的原因。
用于 no 氧化 sub 化学计量钙钛矿氧化物催化剂

[发明专利]一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法-CN201910022200.X有效
发明人：陈明敬;宁兴坤;方立德;孟庆刚;王江龙;王淑芳;李小亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法，所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的厚度为30~60 nm，其包括钌酸锶薄膜和镧锶锰氧薄膜，所述镧锶锰氧薄膜中各成分的摩尔比La∶Sr∶Mn∶O=1‑x∶x∶1∶3，0≤x≤1；所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结是采用脉冲激光沉积法制得的。本发明钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的制备工艺简单，生产成本低，通过改变镧锶锰氧薄膜中Sr元素的掺杂含量可精确有效调控钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的横向、纵向交换偏置方向和数值，应用前景广阔
一种钌酸锶镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法

[发明专利]具有导电功能的镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法、液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极-CN201810138418.7有效
发明人：刘政;蒋百铃;李远发 -专利权人：浩发环保科技（深圳）有限公司
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有导电功能的镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法、液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极；制备方法包括：(1)以含镧盐、锶盐和锰盐的混合溶胶为前驱体溶胶，采用浸渍提拉法在基体表面成型凝胶湿膜；(2)干燥凝胶湿膜，得到凝胶干膜；(3)将凝胶干膜进行结晶预处理，至凝胶干膜转变为镧锶锰氧薄膜；(4)最后进行结晶热处理，得到镧锶锰氧陶瓷薄膜。液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极包括钛基体及其表面的镧锶锰氧陶瓷薄膜。
具有导电功能镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法流电池钛基镧锶锰氧电极

[发明专利]一种镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法-CN201710209911.9有效
发明人：王传彬;吴兰;沈强;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法。具体是：首先采用固相反应法制得镧锶锰氧粉体；然后分别称量镧锶锰氧粉体和氧化锌铝粉体，放入行星球磨机中，混合均匀；将混合粉置于等离子活化烧结炉中进行烧结，烧结条件为：烧结温度1000～1200℃、保温时间3～15min、烧结压力10～50MPa，最后得到镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷。本发明添加半导体氧化锌铝粉体第二相，利用其优化与镧锶锰氧基体晶粒间的界面效应、导电通道以及良好的助烧作用，能够显著提升镧锶锰氧陶瓷室温附近的低场磁电阻效应，0.5T低磁场下磁电阻≥14％。同时采用等离子活化烧结工艺，实现了镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的低温快速致密烧结(致密度>96％)。
一种镧锶锰氧氧化锌铝复相陶瓷制备方法

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