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[实用新型]铜铟镓硒太阳能电池吸收层及太阳能电池-CN201821656699.7有效
发明人：叶亚宽;郭逦达;赵树利 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本申请涉及一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层，其包括铜镓硒层、铟硒层和第三铜铟镓硒层。所述铟硒层叠层设置于所述铜镓硒层。所述第三铜铟镓硒层叠层设置于所述铟硒层。其中，所述第三铜铟镓硒层的镓含量大于所述铟硒层的镓含量，所述第三铜铟镓硒层的铟含量大于所述铟硒层的铟含量。本申请提供的所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层的表面贫铜，富含镓和铟，从而使得所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层为OVC相，所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层与缓冲层结合，更利于获得掩埋PN结，提高了铜铟镓硒太阳能电池的转换效率
铜铟镓硒太阳能电池吸收层铟硒铜铟镓硒层层叠层硒层太阳能电池铜铟镓硒转换效率缓冲层富含贫铜申请掩埋

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法和应用-CN201310409032.2无效
发明人：缪向水;黄醒 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的方法，包括如下步骤：（1）采用贫铜铜铟镓硒靶材，溅射第一贫铜铜铟镓硒预置层；（2）采用富铜铜铟镓硒靶材，在第一贫铜铜铟镓硒预置层上溅射富铜铜铟镓硒预置层；（3）采用贫铜铜铟镓硒靶材，在富铜铜铟镓硒预置层上溅射第二贫铜铜铟镓硒预置层；（4）热处理得到铜铟镓硒吸收层；贫铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为0.5～1.0，即0.5≤Cu/(In+Ga)≤1.0；富铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为1.0～1.5，即1.0≤Cu/(In+Ga)≤1.5。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收及其制备方法应用

[发明专利]铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池-CN201310433349.X有效
发明人：吕文博;宋秋明;李朝晖;谭兴;肖旭东 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法包括提供衬底，采用溅射法在衬底上形成第一铜镓层；采用溅射法在第一铜镓层上形成第一铟层；采用溅射法在第一铟层上形成硒化铜层；采用溅射法在硒化铜层上形成第二铟层；采用溅射法在第二铟层上形成第二铜镓层，制得铜铟镓硒薄膜前驱体；及将铜铟镓硒薄膜前驱体进行硒化热处理，得到铜铟镓硒光吸收层的步骤。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法不采用引入表面缺陷的方法，而是主动控制镓在铜铟镓硒薄膜厚度方向上的分布实现双梯度能带分布。
铜铟镓硒光吸收制备方法薄膜太阳能电池

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池吸收层、制备方法及太阳能电池-CN201811189521.0在审
发明人：叶亚宽;郭逦达;赵树利 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本申请涉及一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其包括在背电极层表面通过磁控溅射法制备铜镓铟金属叠层，形成铜铟镓预制膜；在硒气氛中对所述铜铟镓预制膜进行退火，形成铜铟镓硒预制吸收层；对所述铜铟镓硒预制吸收层进行硒、铟、镓共蒸发，形成铜铟镓硒太阳能电池吸收层。本申请提供的方法制得的铜铟镓硒太阳能电池吸收层与上层缓冲层结合更利于获得掩埋PN结，从而提高了铜铟镓硒太阳能电池的转换效率。
铜铟镓硒太阳能电池吸收层铜铟镓硒铜铟镓预制膜制备预制退火太阳能电池背电极层磁控溅射金属叠层转换效率共蒸发缓冲层硒气氛镓铟申请掩埋上层

[实用新型]一种铜铟镓硒太阳能电池-CN201220321401.3有效
发明人：彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 -专利权人：广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜铟镓硒太阳能电池，它包括钠钙玻璃基板和铜铟镓硒薄膜层，铜铟镓硒薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上，本实用新型铜铟镓硒太阳能电池采用“铜铟镓硒”四元素合成固态靶材，在退火炉内具有富裕的“硒”气体气氛，扼制“铜铟镓硒”薄膜中“硒”的流失，保证了硒在整个“铜铟镓硒”薄膜层间的均匀性，保证了高转换率的“铜铟镓硒”批量生产工艺，并方便快捷，生产过程不产生有毒气体。
一种铜铟镓硒太阳能电池

[实用新型]一种铜铟镓硒太阳能电池-CN201120144916.6有效
发明人：马给民 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光伏技术研究院有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜铟镓硒太阳能电池，它包括钠钙玻璃基板和铜铟镓硒薄膜层，铜铟镓硒薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上，本实用新型铜铟镓硒太阳能电池采用“铜铟镓硒”四元素合成固态靶材，在退火炉内具有富裕的“硒”气体气氛，扼制“铜铟镓硒”薄膜中“硒”的流失，保证了硒在整个“铜铟镓硒”薄膜层间的均匀性，保证了高转换率的“铜铟镓硒”批量生产工艺，并方便快捷，生产过程不产生有毒气体。
一种铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜-CN201610841978.X有效
发明人：王文庆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法及铜铟镓硒薄膜。本发明的制备方法包括以下步骤在沉积背电极的衬底上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的第一层掺钠铜铟镓硒预制层；硒化热处理掺钠铜铟镓硒预制层，得到第一层铜铟镓硒薄膜层；周期循环重复步骤(1)、(2)，每个周期中Ga/(In+Ga)不同，从第一层铜铟镓硒薄膜层到最后一层铜铟镓硒薄膜层中，Ga/(In+Ga)先减小后增多。一种铜铟镓硒薄膜，由n层不同带隙的掺钠铜铟镓硒薄膜层组成，各层掺钠铜铟镓硒薄膜层带隙延薄膜沉积生长方向先减小后增多，n大于等于3。本发明可有效提高光电转换效率，同时增加了太阳能电池的开路电压。
一种铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种低温油墨法制备的铜铟镓硒吸收层-CN202010319141.5有效
发明人：李丽波;杜金田;翟墨 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种低温油墨法制备的铜铟镓硒吸收层，它涉及一种利用油墨法制备的铜铟镓硒吸收层。本发明致力于解决现有铜铟镓硒吸收层制备工艺复杂，需高温烧结，吸收层薄膜禁带宽度不佳等问题。本发明的方法如下：一、液相法制备铜铟镓硒晶体；二、铜铟镓硒油墨的制备；三、铜铟镓硒吸收层薄膜的制备。本发明制备得到的铜铟镓硒油墨经简单的热处理即可制备为铜铟镓硒吸收层，得到的铜铟镓硒吸收层表面平整，禁带宽度为1.45eV，空穴浓度为6.812×1015cm‑3，平带电位为0.06V，可作为铜铟镓硒太阳能电池的关键组件。并且制备过程利用油墨刮涂法，简单，成本低、利用率高，因此可进行大面积生产，应用于铜铟镓硒太阳能电池领域。
一种低温油墨法制铜铟镓硒吸收

[发明专利]铜铟镓硒薄膜制备方法-CN201310277577.2有效
发明人：杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201610846012.5有效
发明人：朱延军 -专利权人：江苏丰远新材料科技有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层；在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层；硒化热处理前两步形成的预制层薄膜，得到铜铟镓硒薄膜。本发明铜铟镓硒薄膜制备方法简单易控，制备的铜铟镓硒薄膜作为光吸收层性能良好，提高了使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率，增加了太阳能电池的开路电压。
铜铟镓硒薄膜预制层制备铜铟镓硒太阳能电池磁控溅射材料技术领域光电转换效率系列化合物热处理光伏薄膜光吸收层开路电压背电极步形成硒化物沉积衬底硒化薄膜

[发明专利]铜铟镓硒吸收层后处理方法及基于其的太阳电池制备方法-CN201710740745.5有效
发明人：王宪;韩安军;韦小庆;黄勇亮;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进行刻蚀，以对所述铜铟镓硒吸收层进行表面改性；清洗刻蚀后的铜铟镓硒吸收层，以得到处理后的铜铟镓硒吸收层。通过上述方案，本发明的方法可以修饰铜铟镓硒吸收层的表界面，优化铜铟镓硒吸收层的表面特性，促进浅埋PN结的纵深扩展；减少载流子在缓冲层/吸收层界面处的复合，可提高铜铟镓硒薄膜太阳电池开路电压、提高填充因子以及提高电池转换效率绝对值
铜铟镓硒吸收处理方法基于太阳电池制备

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法-CN200910223955.2无效
发明人：庄泉龙 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法，利用溅镀法形成硫化亚铜层，并利用铜铟镓硒溶胶凝胶溶液，以浸泡、旋转、印刷或喷涂方式配合预干烘烤处理，形成多个铜铟镓硒堆栈层，接着利用快速升温热处理，将硫化亚铜层与铜铟镓硒堆栈层融合而形成铜铟镓硫硒吸光层，藉以构成具高光电转换效率以及高吸光率的铜铟镓硒太阳能电池。
一种铜铟镓硒太阳能电池吸光层及其制造方法

[发明专利]一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法-CN201510759999.2在审
发明人：夏申江;彭寿;屠友明;王芸 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法，其特征在于：在以铜铟镓硒高温共沉积方法来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层，然后在所述阻挡层表面磁控溅射沉积一硒化反应层，最后在该硒化反应层表面铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层；在该最后铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层的同时，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
一种控制铜铟镓硒高温沉积过程电极反应方法

[发明专利]一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法-CN202011509085.8有效
发明人：胡煜霖;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法，包括以下步骤：（1）在衬底上沉积Mo背电极；（2）在Mo背电极上沉积铜铟镓硒光吸收层；（3）在铜铟镓硒光吸收层上沉积CdS缓冲层；（4）在CdS缓冲层上沉积高阻i‑ZnO层和ZnO:Al窗口层，形成铜铟镓硒太阳能电池；（5）对铜铟镓硒太阳能电池进行缺陷钝化处理。本发明能够有效减少铜铟镓硒太阳能电池的缺陷密度，延长铜铟镓硒薄膜太阳能电池的最佳使用寿命，提高户外铜铟镓硒薄膜太阳能电池的实际使用功率。
一种解决铜铟镓硒太阳能电池问题缺陷钝化方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜预制层及其制备方法-CN201210405315.5有效
发明人：郭伟民;廖成;黄迎春;曾波明;刘焕明 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池薄膜预制层及其制备方法。本发明的一种太阳能电池薄膜预制层包括0.03～1.5μm厚的铜层和0.15～3.5μm厚的铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层化学式为CuIn_aGa_bSe_c，其中，a为0.01～5，b为0.01～5，c为0.01～10；并且，铜在铜铟镓硒层中原子比例在15%以下。所述铜铟镓硒薄膜预制层通过以下方法制得：在金属背电极材料上先制备单质铜层，在铜层之上再制备包含铜、铟、镓、硒四种元素的预制层。通过加热退火工艺，使铜铟镓硒层和铜层反应形成符合化学计量比的单一晶相铜铟镓硒薄膜。所得到的铜铟镓硒薄膜质量好，光电转换效率高。
一种铜铟镓硒薄膜预制及其制备方法

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