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[发明专利]一种聚硫醚基聚硫醇、其合成方法及应用-CN201310719492.5有效
发明人：王刚;韩金;顾凌晓;彭叔森;乌学东 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C08G75/045 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚硫醚基化合物，其侧链结构中含有大量巯基，形成聚硫醚基聚硫醇。本发明还提供了一种合成该聚硫醚基聚硫醇的方法，首先采用巯基‑炔加成聚合反应得到聚硫醚，然后经过酸式水解而得到，该方法快速高效、工艺简便、收率高。该聚硫醚基聚硫醇分子链中的巯基能够与铜形成硫铜键，同时硫醇键通过自缩合能够形成致密的厚膜涂层，因此该聚硫醚基聚硫醇可作为铜缓蚀剂，其在铜表面形成的缓释膜具有附着力强、致密性高、厚度高的优点，满足了目前对铜缓蚀膜的性能要求，有效地保护了铜基体免受外界的腐蚀。
一种聚硫醚基聚硫醇合成方法应用

[发明专利]一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法-CN201610008801.1在审
发明人：罗文俊;关中杰;温鑫;张川;邹志刚 -专利权人：南京大学;南京大学昆山创新研究院
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜，为多元铜基硫硒化物材料，化学通式为Cu_x1M1_x2M2_x3(SSe)_x4，M1和M2为不同的金属元素，且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种；多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS₂薄膜；制备方法采用溶液‑旋涂法，简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单，且具有通用性。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法

[发明专利]一种潜伏型聚硫醚基聚硫醇、其合成方法与应用-CN201510022889.8在审
发明人：陈永悦;韩金;彭叔森;乌学东;曹慧军 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C08G75/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚硫醚聚硫醇，其侧链结构中含有大量硫代乙酸酯，巯基受乙酰基保护，使得聚硫醇相当稳定，形成潜伏型聚硫醚基聚硫醇，便于存储。在叔胺催化剂条件下，该潜伏型聚硫醚基聚硫醇在室温下可快速发生乙酰基转移反应，露出大量巯基，从而能够与铜形成硫铜键，同时分子链中的硫醇键通过自缩合能够吸附于铜材上并交联沉积形成缓蚀膜涂层，因此能够作为铜缓蚀剂使用，有效保护铜基体免受外界腐蚀。
一种潜伏型聚硫醚基聚硫醇合成方法应用

[发明专利]蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法-CN201380052965.9有效
发明人：小寺浩史 -专利权人： MEC股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供可不损及铜配线的直线性且抑制侧蚀的蚀刻液和其补给液、及铜配线的形成方法。本发明的蚀刻液是铜的蚀刻液，所述蚀刻液是包含酸、氧化性金属离子及化合物A的水溶液，所述化合物A在分子内具有选自由巯基、硫醚基及二硫醚基所构成的群组的至少一种含硫官能团、及氨基，所述硫醚基及所述二硫醚基是通过单键将硫原子和与该硫原子连结的异原子连结且不形成
蚀刻补给铜配线形成方法

[发明专利]铜(I)配合物在有机发光二极管中的用途-CN200580032140.6无效
发明人： A·福格乐;V·帕洛夫斯基;H－W·施密特;M·特拉卡特;M·贝特 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-09-20 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C08G73/00 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)的铜(I)配合物的用途，其中X为氮或C－R基团，R为烷基或芳基且Ar为苯基或萘基，它们各自任选被烷氧基、烷硫基、烷基氨基、二烷基氨基、烷氧羰基、烷氧基磺酰基、卤素、氰基、羧基、羟基磺酰基或硝基取代，其中两个任选取代的苯基或萘基可以经由位于磷原子的α－和α’－位的碳原子通过简单化学连接而相互连接，n为1、2或3，且Y为卤素、氰基、氰硫基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基本发明还涉及包含至少一种式(I)的铜(I)配合物的发光层，包含至少一种式(I)的铜(I)配合物或本发明发光层的OLED，以及包含本发明OLED的静态可视显示元件。本发明还涉及式(Ia)和(Ib)的新型铜(I)配合物，其中R、Ar和n具有与式(I)所述相同的定义，在式Ia中，Y为氰基、氰硫基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基，以及在式Ib中，Y为卤素、氰基、氰硫基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基。
配合有机发光二极管中的用途

[发明专利]一种硫铜钴矿基超级电容电极板的制备方法-CN201910976656.X有效
发明人：高延敏;张政;徐俊烽;施方长;王明明;孙存思;杨红洲 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫铜钴矿基超级电容电极板的制备方法。主要包括以下步骤：将硫铜钴矿活性物质和连接剂先后加入无水乙醇，然后加入清洗和干燥过的泡沫镍板，超声，真空干燥后压制成片，然后真空热处理后得到所述硫铜钴矿基超级电容电极板。本发明制备出来的硫铜钴矿基超级电容电极板的电容值超过750F/g、电子转移电阻值低于0.2Ω，且活性物质连接性好，不易脱落。
一种硫铜钴矿基超级电容极板制备方法

[发明专利]一种以吡啶基酮缩硫代卡巴腙为配体的铜配合物及其合成方法和应用-CN201711170413.4有效
发明人：杨峰;张振雷;王俊;梁宏 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种以吡啶基酮缩硫代卡巴腙为配体的铜配合物及其合成方法和应用，该铜配合物具体地说：是以2‑苯基吡啶基酮类硫代卡巴腙、异丙基‑2‑吡啶基酮类硫代卡巴腙为多齿配体的铜(II)金属配合物，并对该铜配合物进行了抗肿瘤活性实验本发明通过设计合成此类铜配合物，极大的提高了单纯硫代卡巴腙类化合物的抗肿瘤活性，并且此类铜配合物对人肝脏正常细胞毒性较低，为抗肿瘤药物的研究提供新的借鉴。
一种吡啶基酮缩硫代卡巴腙配合及其合成方法应用

[发明专利]一种离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法-CN202310025830.9在审
发明人：王思宇;陈琦;马云鹏 -专利权人：天津商业大学
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积金属预置层薄膜；在硒化过程中引入碱金属硫化物作为碱金属源和硫源，对铜基吸收层薄膜进行碱金属和硫离子共掺，获得碱金属和硫离子共掺的铜基薄膜太阳电池。本发明中经过离子共掺杂后，铜基吸收层薄膜的带隙拓宽，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。采用碱金属硫化物对铜基薄膜进行共掺杂的工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。
一种离子吸收薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种非贵金属铜修饰碳基复合材料及其制备方法和应用-CN202211389815.4在审
发明人：胡钟霆;费燕飞;高源;包志康;何赣;王家德 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种非贵金属铜修饰碳基复合材料及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：将锌盐、铟盐及硫源分别溶于水中，调节混合溶液pH至0.5‑5，引入碳基材料，水热反应，沉淀物离心分离后洗涤得到暗黄色固体，置于真空烘箱内干燥过夜，即得负载碳基的硫铟锌复合材料；配制的铜离子溶液混合复合材料进行光沉积反应，得到纳米铜修饰的硫铟锌/碳基复合材料；离心洗涤干燥，得到非贵金属铜修饰碳基复合材料。本发明复合材料中的硫锌铟吸收可见光激发的光电子经碳基材料传递后原位再生释放的铜离子，减少铜的流失，提高纳米铜粒子的稳定性和分散性，强化了杀菌能力。
一种贵金属修饰复合材料及其制备方法应用

[发明专利]铜催化形成碳－杂原子和碳－碳键的方法-CN03823286.3无效
发明人： S·L·布赫瓦尔德;A·克拉帕斯;F·Y·邝;E·斯特雷特;J·扎农 -专利权人：麻省理工学院
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C07C319/14 文献下载
摘要：本发明的一个方面涉及铜催化的碳－杂原子和碳－碳成键方法。在某些实施方案中，本发明涉及铜催化的在硫羟化合物的硫原子与芳基、杂芳基或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－硫键的方法。在其它实施方案中，本发明涉及铜(II)催化的在酰胺氮原子与芳基、杂芳基、或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－氮键的方法。在有些实施方案中，本发明涉及铜催化的在氰离子的碳原子与芳基、杂芳基、或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－碳键的方法。在另一个实施方案中，本发明涉及铜催化转换芳基、杂芳基或乙烯基碘化物的方法。本发明的再一个实施方案涉及连续方法，它可以在单一反应器中进行，其中该方法的第一步包括由相应的芳基、杂芳基、或乙烯基氯化物或溴化物经铜催化形成芳基、杂芳基、或乙烯基碘；该方法的第二步包括将第一步中生成的芳基、杂芳基、或乙烯基碘化物经铜催化形成芳基、杂芳基、或乙烯基腈、酰胺或硫醚。
催化形成原子方法

[发明专利]一种硫铜钴矿尖晶石的制备方法及其应用-CN201910181376.X在审
发明人：马军;徐浩丹;汪达;卢晓辉;陈志强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： B01J27/043 文献下载
摘要：硫铜钴矿尖晶石的制备方法及其应用，涉及一种硫铜钴矿尖晶石的制备及应用。钴离子盐和铜离子盐溶解于超纯水中并加入硫脲，溶解后加入过量乙二胺后进行水热反应，得到固体产物后进行清洗和干燥。应用：硫铜钴矿尖晶石为催化剂、单过硫酸盐作为氧化剂，利用硫铜钴矿尖晶石活化过硫酸盐产生的硫酸根自由基降解水中有机污染物。本发明硫铜钴矿尖晶石表面过渡金属铜和钴通过价态变化催化单过硫酸盐分解产生强氧化性的硫酸根自由基与有机污染物反应，使有机污染物分解乃至矿化。本发明硫铜钴矿尖晶石结构稳定、催化效率高的，可以重复利用。本发明适用于制备硫铜钴矿尖晶石及催化单过硫酸盐降解水中有机污染物。
硫铜钴矿尖晶石制备单过硫酸盐有机污染物水中硫酸根自由基应用降解催化溶解有机污染物分解过渡金属铜尖晶石表面尖晶石结构氧化剂催化效率固体产物过硫酸盐价态变化强氧化性铜离子盐重复利用热反应乙二胺钴离子活化矿化硫脲催化剂过量清洗分解

[发明专利]铁铜离子液体脱硫剂、制备方法及脱硫方法-CN202110292619.4在审
发明人：邱奎;牛世豪;董雨;刘露微;程地奎;范忠 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B01D53/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁铜离子液体脱硫剂、制备方法及脱硫方法，所述铁铜离子液体脱硫剂包括铁基离子液体、铜基离子液体和极性有机溶剂，三者均匀混合复配而成，其中铁基离子液体为[Bmim]FeCl4，铜基离子液体为[Bmim]CuCl2。本发明的有益效果：新型铁铜离子液体脱硫剂制备方便，具有硫容量高、脱硫效果好、再生性能稳定等优点，脱硫产物为α‑硫，可以直接作为工业用硫。
离子液体脱硫制备方法

[发明专利]3,3′-二硫烷二基双(吡啶-2-胺)的应用及电镀液-CN202110592994.0在审
发明人：罗继业;张昱;杨冠南;李潮;李真 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开3,3'‑二硫烷二基双(吡啶‑2‑胺)的应用及电镀液，将3,3'‑二硫烷二基双(吡啶‑2‑胺)用作电镀铜整平剂。本发明提出以3,3'‑二硫烷二基双(吡啶‑2‑胺)为整平剂，通过引入氨基，抑制表面铜的沉积而较小程度的影响孔内铜的沉积，从而达到通孔均匀性电镀的目的。
二硫烷二基双吡啶应用电镀

[发明专利]一种2-羟基-4-甲硫基丁酸铜的制备方法-CN201010266242.7无效
发明人：张富强 -专利权人：天津市化学试剂研究所
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C07C323/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种2-羟基-4-甲硫基丁酸铜的制备方法，具体步骤为：(1)成盐：将2-羟基-4-甲硫基丁酸，引发剂，水投入反应釜中，搅拌下加热至70～80℃，分批加入碱式碳酸铜，搅拌反应至无二氧化碳气泡逸出，制得2-羟基-4-甲硫基丁酸铜溶液；(2)烘干：将步骤(1)得到产品进行离心分离，将分离得到的颗粒状产品放置于上下透气的干燥筛上并于干燥箱中烘干22-26小时，得到的粗品过筛，得到2-羟基-4-甲硫基丁酸铜成品本发明在生产过程中使用创新的碱式碳酸铜及引发剂为原料，制备方法操作方便，易于实现，其可得到颗粒状产品，更加利于干燥，且无需粉碎，因此可减少生产设备投资，提高生产效率及经济效益。
一种羟基甲硫基丁酸制备方法

[发明专利]一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法-CN202210311731.2在审
发明人：单玉凤;朱家旗;殷子薇;邓惠勇;戴宁 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，包括如下步骤：步骤1，采用溅射或蒸镀工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极；步骤2，制备二维层状铜基硫族化合物材料，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，采用溅射或蒸镀工艺在忆阻功能层上沉积一层Cu导电层；步骤4，在Cu导电层上蒸镀一层金属层作为顶电极，最终得到基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器。本发明制备的忆阻器利用铜基硫族化合物中本身具有的Cu空位作为Cu离子迁移通道，迁移势垒低，不需表面额外做异质层，器件即具有低的开关电压(1V)。
一种基于二维层状铜基硫族化合物忆阻器及其制备方法

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