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[发明专利]作为用于OLED的发射体的吩噻嗪、吩噻嗪S－氧化物和吩噻嗪S,S－二氧化物以及吩噁嗪-CN200580047178.0有效
发明人： T·格斯纳;H－W·施密特;M·特拉卡特;M·贝特 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了吩嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪－S氧化物或吩噻嗪－S,S二氧化物衍生物作为有机发光二极管中的发射物质或空穴和激子阻断剂的用途。本发明进一步涉及包括发光层的有机发光二极管，该发光层含有至少一种吩嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪－S氧化物或吩噻嗪－S,S二氧化物作为发射物质，以及含有作为发射物质的吩嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪－S氧化物或吩噻嗪－S,S二氧化物或由它们组成的一种发光层，含有吩嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪－S氧化物或吩噻嗪－S,S二氧化物衍生物的或由它们组成的一种空穴和激子阻断层，和包括本发明的有机发光二极管的设备。本发明最终涉及特殊的吩噻嗪S,S－二氧化物衍生物，吩噻嗪S－氧化物衍生物和吩噻嗪衍生物和它们的生产方法，和它们在有机发光二极管中的用途。
作为用于 oled 发射吩噻嗪氧化物二氧化物以及吩噁嗪

[发明专利]过渡金属卡宾配合物在有机发光二极管(OLEDS)中的用途-CN200580040471.4有效
发明人： M·埃根;K·卡勒;M·博尔德;T·格斯纳;C·伦纳茨;S·诺德;H－W·施密特;M·特拉卡特;M·贝特;C·诺伊贝尔;W·科瓦尔斯基;C·席尔德克内希特;H－H·约翰内斯 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明涉及过渡金属－卡宾配合物在有机发光二极管(OLED)中的应用，涉及含有这些过渡金属－卡宾配合物的发光层，电子或激子的阻挡层或空穴的阻挡层，涉及包含这些过渡金属－卡宾配合物的OLED，涉及包含本发明OLED的器件以及涉及过渡金属－卡宾配合物。
过渡金属配合有机发光二极管 oleds 中的用途

[发明专利]嵌入用于OLED的聚合物基质中的过渡金属－碳烯配合物-CN200580035388.8无效
发明人： M·博尔德;M·埃根;G·瓦根布拉斯特;K·卡勒;C·伦纳茨;F·德兹;S·诺德;H－W·施密特;M·特拉卡特;W·科瓦尔斯基;C·席尔德克内希特;M·贝特;H－H·约翰内斯 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-08-17 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及包含至少一种过渡金属－碳烯配合物的聚合物材料在有机发光二极管(OLED)中的用途，包含至少一种选定的过渡金属－碳烯配合物的聚合物材料，一种制备本发明聚合物材料的方法，包含至少一种根据本发明使用的聚合物材料或至少一种根据本发明聚合物材料的发光层，包含本发明发光层的有机发光二极管(OLED)以及包含本发明有机发光二极管(OLED)的器件。
嵌入用于 oled 聚合物基质中的过渡金属配合

[发明专利]铜(I)配合物在有机发光二极管中的用途-CN200580032140.6无效
发明人： A·福格乐;V·帕洛夫斯基;H－W·施密特;M·特拉卡特;M·贝特 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-09-20 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C08G73/00 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)的铜(I)配合物的用途，其中X为氮或C－R基团，R为烷基或芳基且Ar为苯基或萘基，它们各自任选被烷氧基、烷硫基、烷基氨基、二烷基氨基、烷氧羰基、烷氧基磺酰基、卤素、氰基、羧基、羟基磺酰基或硝基取代，其中两个任选取代的苯基或萘基可以经由位于磷原子的α－和α’－位的碳原子通过简单化学连接而相互连接，n为1、2或3，且Y为卤素、氰基、氰硫基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基。本发明还涉及包含至少一种式(I)的铜(I)配合物的发光层，包含至少一种式(I)的铜(I)配合物或本发明发光层的OLED，以及包含本发明OLED的静态可视显示元件。本发明还涉及式(Ia)和(Ib)的新型铜(I)配合物，其中R、Ar和n具有与式(I)所述相同的定义，在式Ia中，Y为氰基、氰硫基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基，以及在式Ib中，Y为卤素、氰基、氰硫基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基。所述发明用于有机发光二极管中。
配合有机发光二极管中的用途

[发明专利]周期表第4过渡族金属的金属茂复合物作为有机发光二极管（OLED）中的三联发射体的用途-CN200580018622.6无效
发明人： T·格斯纳;M·克内曼;H－W·施密特;M·特拉卡特;M·贝特 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-04-04 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及周期表第四副族中金属的金属茂复合物作为有机发光二极管(OLED)中发射体分子的用途，所述金属茂复合物作为OLED中发光层的用途，包含至少一种金属茂复合物的发光层，包含该发光层的OLED，以及包含本发明的OLED的装置。
周期表过渡金属复合物作为有机发光二极管 oled 中的三联发射用途

[发明专利]三唑衍生物以及三唑衍生物在有机发光二极管（OLED）中的使用-CN200580016431.6无效
发明人： T·格斯纳;C·伦纳茨;H－W·施密特;M·特拉卡特;M·贝特 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-03-14 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及选自三唑嘧啶衍生物和三唑尿嘧啶衍生物的三唑衍生物在有机发光二极管(OLED)中的用途。本发明还涉及至少一种所述三唑衍生物的OLED、包含至少一种所述三唑衍生物的发光层、包含本发明发光层的OLED、包含本发明OLED的设备以及特定的新型三唑衍生物。
衍生物以及有机发光二极管 oled 中的使用

[发明专利]作为有机发光二极管(OLED)的发射体的包含碳烯配体的过渡金属配合物-CN200480030649.2有效
发明人： M·博尔德;C·伦纳茨;M·普林茨;H－W·施密特;M·特拉卡特;M·贝特;C·诺伊贝尔;W·科瓦尔斯基;C·席尔德克内希特;H－H·约翰内斯 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2004-08-18 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)的过渡金属配合物在有机发光二极管中的用途，其中：M¹是金属原子；碳烯是碳烯配体；L是一价阴离子或二价阴离子配体；K是中性的单齿或二齿配体，其选自膦、CO、吡啶、腈类以及与M¹形成π配合物的共轭二烯；n是碳烯配体的数量，其中n至少为1；m是配体L的数量，其中m可以为0或≥1；o是配体K的数量，其中o可以为0或≥1；其中n+m+o之和取决于所用金属原子的氧化态和配位数，取决于配体碳烯、L和K的齿数以及取决于配体碳烯和L上的电荷，前提是n至少为1。本发明还涉及包含这类过渡金属配合物的OLED，包含这类过渡金属配合物的发光层，包含这种发光层的OLED，包含本发明OLED的器件，以及包含至少两种碳烯配体的特定过渡金属配合物。
作为有机发光二极管 oled 发射包含碳烯配体过渡金属配合

[发明专利]制造三－邻－金属化有机金属络合物的方法以及这种络合物在OLEDs中的应用-CN200480019086.7无效
发明人： M·博尔德;P·埃尔克;M·哈多;I·亨尼希;H－W·施密特;M·贝特;M·特拉卡特 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2004-04-30 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明涉及制备式(I)的三－邻－金属化铱络合物的方法。其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶和X具有说明书中所述含义。本发明还涉及可以通过本发明的方法制备的Ir络合物、所述Ir络合物作为有机发光二极管(OLEDs)中发射体分子的用途、包含所述Ir络合物的发光层、包含所述发光层的OLED、和包含本发明的OLED的装置。
制造金属化有机金属络合物方法以及这种 oleds 中的应用

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