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[实用新型]极耳连接结构及电池-CN202021363927.9有效
发明人：王涛;牛从酥;刘可禄;彭祖铃;许博伟 -专利权人：中航锂电技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01M50/531 文献下载
摘要：本实用新型涉及化学电源领域，提供一种极耳连接结构及电池。极耳连接结构包括至少两个第一锂金属极耳和第二极耳；第一锂金属极耳一端连接于第一极片，第二极耳上设置有亲锂层，至少两个第一锂金属极耳的另一端通过亲锂层与第二极耳连接。本实用新型的极耳连接结构，通过设置亲锂层提高第二极耳与第一锂金属极耳的亲和性，从而提高第一锂金属极耳和第二极耳连接紧密度，降低电阻、提高电导率和抗拉性能。包含该极耳连接结构的电池，由于该极耳连接结构能够提高连接紧密度、电导率和抗拉性能，从而使电池的循环和倍率性能得到提高。
连接结构电池

[发明专利]一种金属壳电池的极耳焊接方法-CN201910048706.8在审
发明人：周显茂 -专利权人：重庆市紫建电子有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01M2/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属壳电池的极耳焊接方法，所述电池包括金属电池外壳，正极片，负极片，极耳，所述正极片与负极片堆叠后形成电芯，本发明适用于金属壳电池的极耳焊接，将极耳置于电芯与金属电池外壳之间后，采用电阻焊或激光焊的方式将极耳焊接在金属电池外壳的内壁上使得电池的加工更为方便，产品良率高，有效提高生产效率，同时极耳只需弯折一次，只形成一层极耳，有效减小电池的体积。
极耳焊接极耳金属电池外壳金属壳电池电池负极片正极片电芯产品良率生产效率电阻焊激光焊堆叠减小内壁弯折加工

[发明专利]一种TFT-CN201010502682.8无效
发明人：沈柏平;李豪捷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明揭示了一种TFT，包括：一第一金属层；一第二金属层，位于所述第一金属层下方；一L型源极，与所述第一金属层和所述第二金属层部分重叠；以及一L型漏极，与所述L型源极对称设置但不接触，且与所述第一金属层和所述第二金属层部分重叠采用本发明的TFT，通过将源极和漏极对称设置，使得在光刻制程时的有效电容面积不会发生改变。
一种 tft

[发明专利]降低场效应管中漏极延迟和栅极延迟的体触点结构和方法-CN200710123241.5无效
发明人：菲利普·吉恩·尼克尔;约翰·S·魏 -专利权人：安华高科技无线IP（新加坡）私人有限公司
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种场效应管，形成于衬底上，并包括衬底上方形成的半导体沟道区域和沟道区域上形成的金属源极区域。金属漏极区域形成于沟道区域上，金属栅极区域在沟道区域上形成于源极区域与漏极区域之间。第一金属体触点区域形成为与漏极区域相邻并穿过沟道区域延伸到接触衬底。该场效应管还可以包括第二金属体触点区域，第二金属体触点区域形成为与源极区域相邻并穿过沟道区域延伸到接触衬底。
降低场效应管中漏极延迟栅极触点结构方法

[实用新型]一种磷化铟异质结双极型晶体管-CN202023047224.8有效
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磷化铟异质结双极型晶体管，由下至上设置有集电极和基极，所述基极上方设置有基极金属和发射极，所述发射极上方设置有发射极金属；所述集电极下方设置有集电极金属，集电极金属与高热导率衬底金属键合本实用新型利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。
一种磷化铟异质结双极型晶体管

[发明专利]包括功率半导体的晶片级芯片规模封装件及其制造方法-CN201710251805.7有效
发明人：朴命镐;金范洙;金善焕 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：晶片级芯片规模封装件包括：功率半导体，包括形成在半导体基底上的第一半导体器件和形成在所述半导体基底上的第二半导体器件；公共漏极，连接到第一半导体器件和第二半导体器件；第一源极金属凸块，形成在第一半导体器件的表面上；第二源极金属凸块，形成在第二半导体器件的表面上，其中，第一源极金属凸块、公共漏极和第二源极金属凸块按第一源极金属凸块、公共漏极和第二源极金属凸块的顺序形成电流通路。
包括功率半导体晶片芯片规模封装及其制造方法

[实用新型]一种可温控动力锂离子电池-CN201620346423.3有效
发明人：曹正清 -专利权人：绍兴东方一脉新能源科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可温控动力锂离子电池，包括金属壳体，所述的金属壳体内安装有电池芯体；所述的金属壳体顶部密封焊接有金属盖板；所述的金属盖板上开设有正极孔和负极孔；所述的电池芯体分别与正极极片、负极极片相连，且所述的正极极片、负极极片分别穿出正极孔、负极孔后位于金属盖板外，所述的位于金属盖板外的正极极片与负极极片之间并联有稳压二极管；所述的金属盖板上焊接有金属连接架，所述的金属连接架上安装有2个用于连接温度采集线的固定爪
一种温控动力锂离子电池

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201911044191.0在审
发明人：邱士权;张家豪;游家权;林天禄;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，此方法包含在鳍上外延成长源极/漏极部件，在外延源极/漏极部件上方形成硅化物层，在硅化物层上形成晶种金属层，使用由下而上成长方法在晶种金属层上方形成接触金属层，以及在接触金属层上方沉积填充金属层
半导体装置制造方法

[实用新型]一种锂离子电池-CN201621049019.6有效
发明人：罗国纲 -专利权人：广东国光电子有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：一种锂离子电池，由正极极片、负极极片和隔膜卷绕而成，所述正极极片的两端设有正极空箔，所述正极空箔处焊接有铝条金属焊接条；所述负极极片的两端设有负极空箔，所述负极空箔处焊接有纯铜条金属焊接条；所述铝条金属焊接条在电池的头部引出并与正极极耳焊接连接；所述纯铜条金属焊接条在电池的头部引出并与镍条负极极耳焊接连接；所述正极极耳通过铝条金属焊接条的弯折贴于电池表面，所述负极极耳通过纯铜条金属焊接条的弯折贴于电池表面。纯铜条金属焊接条与镍条负极极耳连接，电池封装装盒降低封装设备温度、减短封装加热时间、减少封装压力，对电池绝缘电阻阻值有很大改善效果。
一种锂离子电池

[发明专利]一种量程可调的全金属氧化物传感器像素-CN202310689904.9在审
发明人：李俊杰;陈钢;路遥 -专利权人：芜湖迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种量程可调的全金属氧化物传感器像素，包括金属氧化物二极管、预存电容CO、read TFT晶体管，其中金属氧化物二极管的栅极、漏极连接至VSS电源，其源极连接至read TFT晶体管漏极，在金属氧化物二极管的栅极源极两端并联设置预存电容C0；read TFT晶体管的源极连接至data数据；read TFT晶体管的源极接入驱动控制信号Gn。本发明的优点在于采用新的金属氧化物二极管来实现感光信号的传感，解决现有技术中PIN二极管方案存在的缺陷。
一种量程可调全金属氧化物传感器像素

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210118190.1在审
发明人：杨胜杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在半导体装置的制造方法中，形成第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的鳍片结构，在鳍片结构上方形成牺牲栅极结构，蚀刻未被牺牲栅极结构覆盖的鳍片结构的源极/漏极区，借此形成源极/漏极空间，在源极/漏极空间中形成应力层，通过栅极置换工艺形成金属栅极结构，金属栅极结构包含第二半导体层的一部分作为通道区，在形成金属栅极结构之后，至少部分地移除应力层，以及在至少部分地移除应力层的源极/漏极空间中形成包含金属或金属材料的源极/漏极接触件。
半导体装置制造方法

[发明专利]N型差分式电场微传感器-CN200510040660.3无效
发明人：黄庆安;王立峰;秦明;茅盘松 -专利权人：东南大学
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：N型差分式电场微传感器，由n沟道电场传感器、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管组成，2个P型金属氧化物半导体管的源极相连接并与电源相连接，其栅极互连并与一个P型金属氧化物半导体管的漏极连接且与n沟道电场传感器的漏极连接，另一P型金属氧化物半导体管的漏极与n沟道耗尽型MOS管的漏极连接且该节点作为输出端，n沟道电场传感器的源极与n沟道耗尽型MOS管的源极连接并与N型金属氧化物半导体管的漏极连接，N型金属氧化物半导体管的源极接地，N型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。
分式电场传感器

[实用新型]一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管-CN201920708935.3有效
发明人：王四新;殷伟伟;宋亚美 -专利权人：北京瑞普北光电子有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管。所述胶囊微封装型的红外发光二极管包括：红外发光二极管芯片和金属玻璃全密封封装管壳；所述红外发光二极管芯片设置于所述金属玻璃全密封封装管壳内；所述金属玻璃全密封封装管壳包括管座，所述管座包括：安装耳金属环、绝缘隔离环和金属底座；所述绝缘隔离环设置于所述金属底座与所述安装耳金属环之间；所述金属底座连接所述红外发光二极管芯片的第一电极；所述安装耳金属环连接所述红外发光二极管芯片的第二电极。本实用新型通过将红外发光二极管芯片设置于金属玻璃全密封封装管壳内，实现了红外发光二极管芯片的微封装，解决了现有技术中红外发光二极管器件外形尺寸较大的问题。
红外发光二极管金属玻璃全密封封装芯片微封装管壳金属底座安装耳金属环胶囊本实用新型绝缘隔离环管座中红外发光二极管第二电极第一电极器件外形

[发明专利]包括光电二极管阵列的光传感器-CN202110616873.5在审
发明人：丹尼尔·盖布勒尔 -专利权人： X-FAB全球服务有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光传感器，包括：光电二极管阵列，包括均包括光有源区和外围区的第一光电二极管和第二光电二极管；以及金属层，包括设置在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管的外围区中的多个金属导线，其中，所述第一光电二极管被连接到所述多个金属导线中的第一金属导线子集，并且其中，所述第二光电二极管被连接到所述多个金属导线中的不同的第二金属导线子集。
包括光电二极管阵列传感器

[实用新型]一种电池极耳连接件及具有该电池极耳连接件的锂电池-CN201520786363.2有效
发明人：张国恒;杨斌斌;饶睦敏;李瑶 -专利权人：深圳市沃特玛电池有限公司
申请日： 2015-10-11 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01M2/20 文献下载
摘要：一种电池极耳连接件及具有该电池极耳连接件的锂电池，包括电芯以及极耳连接件，电芯多个极耳；极耳连接件包括扣合元件及盖帽；扣合元件设置于电芯的一端并包括壳体及可变形的第一金属弹片；壳体包括侧壁，侧壁包括第一端及第二端；第一金属弹片设置于壳体内并位于第一端，侧壁开设有连通至壳体内部的通孔；极耳从通孔插入于壳体内；盖帽包括盖板及导电材料制成的极柱，盖板包括一组接面，极柱设置于组接面，极柱抵压于第一金属弹片上并与第一金属弹片焊接在一起，且极柱与极面电性接触。扣合元件将电池的极耳和极柱连接，第一金属弹片的极柱的接触面积大，接触内阻非常小，另外仅需对第一金属弹片与极柱进行焊接，提高是生产效率。
一种电池连接具有锂电池