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[发明专利]二极管芯片的量测装置及量测方法-CN201010151743.0有效
发明人：戴明吉;李圣良;谭瑞敏;刘君恺;许中彦;林明德;戴光佑 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管芯片的量测装置及量测方法。二极管芯片设置于热传导元件上。量测装置会先量测二极管芯片的瞬间启动电流，并量测热传导元件的对应于瞬间启动电流的第一温度。当二极管芯片开始操作之后，量测装置再将热传导元件的温度调整至第二温度，以使二极管芯片的电流等于上述的瞬间启动电流。量测装置依据二极管芯片的实功率以及第一温度和第二温度之间的温度差，计算二极管芯片的属性。
二极管芯片装置方法

[发明专利]电子负载设备-CN202011576696.4在审
发明人：陈文钟;邹明颖;黄建兴;洪钧晟;李冠宏 -专利权人：致茂电子股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01R1/20 文献下载
摘要：本揭露之一种实施例包含一种电子负载设备，其包含量测电阻、参考电路、晶体管及回授电路。该量测电阻包含第一接点、第二接点、第三接点以及第四接点。第一接点与第二接点位于量测电阻之第一端，第三接点与第四接点位于量测电阻的第二端。参考电源或参考电压电连接至参考电路。参考电路与量测电阻之第一接点电连接。晶体管包含汲极、闸极及源极。晶体管之源极与汲极之一者与量测电阻之第二接点电连接。晶体管之汲极与源极之另一者与待测物之输出端电连接。回授电路与量测电阻之第四接点电连接。回授电路与参考电路电连接。
电子负载设备

[发明专利]有机发光二极管的光电特性的量测设备-CN200310101446.5无效
发明人：吴明信;陈汝中;林树新;王彦琳 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种有机发光二极管的光电特性的量测设备，包括一电脑、一电源供应器与一腔体室，其中腔体室中放置有一治具，且治具之上是固定有至少一光学量测装置。而电脑是用来控制电源供应器以点亮有机发光二极管，并控制光学量测装置量测有机发光二极管所产生的一发光亮度，以达到自动化量测的目的。
有机发光二极管光电特性设备

[发明专利]有机发光二极管光电特性的量测设备及方法-CN200310100675.5无效
发明人：王彦琳;陈汝中;林树新 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种有机发光二极管光电特性的量测设备，包括一平台；一测角器，配置在平台一端，其中一待测有机发光二极管产品固定在测角器上；一三轴移动装置，配置在平台另一端；一光学量测装置，配置在三轴移动装置上，且光学量测装置朝向固定在测角器上的有机发光二极管产品；以及一电脑，此电脑与测角器、三轴移动装置以及光学量测装置连线。
有机发光二极管光电特性设备方法

[实用新型]用于量测发光二极管之装置-CN03244623.3无效
发明人：吴金明 -专利权人：扬亦科技股份有限公司
申请日： 2003-04-04 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于量测发光二极管之装置，其包括：一固定片、两气缸及两导电片，该两气缸分别位于该固定片之两侧，该两导电片分别位于该固定片与该气缸之间，该每一导电片连接至一光电特性测试端，使用时，将待测发光二极管之两导脚分别置于该固定片与该导电片之间，再激活该两气缸，以挤压该两导电片，使该两导电片接触该两导脚，即可进行量测工作。藉此，在量测发光二极管之过程中，确保稳固地挟持该发光二极管的导脚，且量测之接触面积确实，而得到正确的量测结果。
用于发光二极管装置

[发明专利]一种非直接电接触式的发光二极管器件的电致发光量测方法-CN201811643815.6在审
发明人：顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种非直接电接触式的发光二极管器件的电致发光量测方法，包括如下步骤：步骤S1、将所述发光二极管器件置于量测系统的所述基板上，且将所述发光二极管器件的一极性电极和所述基板上的接触电极的电性相连接；步骤S2、将所述发光二极管器件的另一极性电极和量测系统的所述非直接电接触式电极的电性相连接；步骤S3、将所述非直接电接触式电极连接电源，提供电子或电流进入所述发光二极管器件导致电致发光时，使用所述光探测器记录电致发光的量测结果本发明的优点在于：采用带电粒子产生器或场板电极分别通过真空或导电溶液向所述发光二极管器件注入电子或电流，实现所述发光二极管器件电致发光的量测，一方面可同时进行两个以上发光二极管器件电致发光的量测，另一方面不使用探针，降低量测的成本。
发光二极管器件电致发光电接触量测极性电极量测系统电性基板电极连接电源场板电极带电粒子导电溶液光探测器接触电极量测结果产生器降低量电极探针记录

[发明专利]有机发光显示设备-CN201911244924.5有效
发明人：尹纹采;崔成旭;李盛远 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示设备，其能够确定发光二极管的特性而不必考虑取决于制造工艺的不同要素。该发光二极管包括内部电阻器和寄生电容器。该发光二极管与包含积分器的感测电路相连，所述积分器具有感测电阻器和反馈电容器。基于沿第一感测路径对像素的第一感测处理和沿第二感测路径对像素的第二感测处理，感测电路感测来自第一感测路径的第一电荷量和来自第二感测路径的第二电荷量。发光二极管的特性可以通过第一电荷量和第二电荷量的除法来确定，其中所述除法基于感测电阻器与内部电阻器的比值。
有机发光显示设备

[发明专利]发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法-CN201210019165.4无效
发明人：郑炫墩 -专利权人：艾特麦司股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是关于一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，借此以方便工程人员有效监控磊晶设备腔室内的变化，进而改善生产良率。该方法包含下列步骤：对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列；依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像；以及在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
发光二极体晶片对应磊晶载盘位置分布图像呈现方法

[发明专利]一种定量度量雷达量测极-直坐标转换非线性的方法-CN201110285546.2无效
发明人：曾涛;陈新亮;李春霞;龙腾;李阳 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种定量度量雷达量测极-直坐标转换非线性的方法，该方法基于二维雷达量测极-直坐标转换方程的一阶泰勒展开式和随机变量相关系数的原理，以达到定量度量雷达量测极-直坐标转换的非线性程度的目的；该方法的步骤为：得到二维雷达量测极-直坐标转换方程的两个一阶泰勒展开式，并相应地标记为随机变量g和随机变量k；根据随机变量相关系数的定义，得到随机变量x与随机变量g的相关系数ρxg、随机变量y与随机变量k的相关系数ρyk；定义二维雷达量测极-直坐标转换线性度ρ为ρxg和ρyk二者的最小值。
一种定量度量雷达量测极坐标转换非线性方法

[发明专利]一种TFT电性量测方法及装置-CN201310680830.9在审
发明人：付延峰 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT电性量测方法及装置，其中TFT电性量测方法包括：提供两个分别与源漏极金属相连的源漏极测试单元和一个与栅极金属相连的栅极测试单元；在栅极测试单元上施加第一电压，在两源漏极测试单元两端施加第二电压，使与源漏极金属相接触的掺杂型非晶硅半导体导通；以及量测两源漏极测试单元之间的电流。实施本发明实施例，一方面可以方便快捷地得出源漏极金属与掺杂型非晶硅半导体之间的欧姆接触电阻，另一方面通过所量测的电流变化，可以了解该欧姆接触电阻的变化，以便于监控TFT电性。
一种 tft 电性量测方法装置

[发明专利]用于测量有机发光二极管的装置和方法-CN201880015550.7有效
发明人：闵庚直;崔贞勋;金东柱;尹祯培 -专利权人：硅工厂股份有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：公开了用于测量有机发光二极管的装置和方法，所述装置和方法通过感测与所述有机发光二极管连接的感测线的充电电压来测量用于补偿所述有机发光二极管的烧屏的能量的量，其中，所述用于测量有机发光二极管的装置包括外部电流源，并且通过感测所述感测线的寄生电容器的充电电压来测量用于烧屏补偿的能量的量。
用于测量有机发光二极管装置方法

[发明专利]电芯顶侧封封装质量检测方法、电子设备及存储介质-CN202110943078.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州高视半导体技术有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：该方法包括：获取待测电芯的极耳胶待测图像以及顶封压痕图像，极耳胶待测图像包含极耳胶，顶封压痕图像包含顶封压痕；根据极耳胶待测图像确定极耳胶的胶体高度以及胶体宽度；根据顶封压痕图像确定顶封压痕的压痕偏移量；分别将胶体高度、胶体宽度以及压痕偏移量与对应的封装质量标准范围进行匹配判断；若胶体高度、胶体宽度以及压痕偏移量均达到标准，则判定待测电芯为良品电芯。本申请提供的方案，能够针对电芯的极耳胶以及顶封压痕进行封装质量视觉检测，提高电芯的生产质量，提升电芯的安全性。
电芯顶侧封封装质量检测方法电子设备存储介质

[发明专利]一种利用衰减非周期分量的故障选极方法-CN201910203706.0在审
发明人：束洪春;王璇;张雪飞;田鑫萃 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G01R31/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用衰减非周期分量的故障选极方法，属于直流输电线路故障选极领域。首先读取由量测端的高速采集装置获取的正负两极线路的量测端电流；其次对所获取的电流采用小波分解进行检测和标定，得到衰减非周期分量，进而算得其能量，然后比较两极线路量测端电流的衰减非周期分量的能量的大小，衰减非周期分量的能量大者为故障极，如果正负两极所求得的衰减非周期分量的能量相等，则为两极线路故障。本发明通过提取故障后短时窗内的衰减非周期分量，两极线路衰减非周期分量的差异明显，有利于可靠选极。
非周期分量衰减两极线路正负两极量测端高速采集装置直流输电线路读取小波分解短时窗标定量测相等检测

[发明专利]发光二极体的量测装置-CN201410250400.8在审
发明人：张晋源;曾家彬;翁思渊;王遵义;张添登 -专利权人：致茂电子（苏州）有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极体的量测装置用于量测多个覆晶式发光二极体，覆晶式发光二极体之间皆具有一间隙，发光二极体的量测装置包含晶片膜、光检测装置与遮光元件，晶片膜承载覆晶式发光二极体，光检测装置设置于晶片膜相对覆晶式发光二极体的一侧，光检测装置具有收光口，遮光元件设置于收光口，遮光元件具有透光区与遮光区，遮光区环绕透光区，透光区的面积可涵盖单一覆晶式发光二极体与间隙的部分范围。
发光二极体装置

[发明专利]发光显示装置及感测其劣化的方法-CN202110635445.7在审
发明人：金河中 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：公开了一种发光显示装置及感测其劣化的方法。所述发光显示装置包括：显示面板，所述显示面板包括高电位电源电压线、低电位电源电压线和多个像素，每个像素包括驱动晶体管和有机发光二极管；时序控制器，在感测模式中配置为：根据通过对于每个像素累积图像数据而获得的累积图像数据的大小产生N个感测图像，并且将N个感测图像中的至少一个感测图像显示在所述显示面板上并获得有机发光二极管的劣化量，其中N是自然数；和劣化感测单元，配置为：通过在显示面板上显示至少一个感测图像的状态下按每个面板或按面板中的每个区域感测电学物理量来估测有机发光二极管的劣化量，并且将有机发光二极管的劣化量提供至时序控制器。
发光显示装置方法

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