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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]线路印刷装置、线路印刷方法及线路结构-CN201610226984.4有效
发明人：林世明;钟升峰;石正宜;张淑怡;魏煜杰;陆苏财 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： B41F9/00 文献下载
摘要：一种以印刷方法制造的线路结构，其包括基板以及图案化线路层。图案化线路层设置在基板上并包括彼此连接的第一线路图案以及第二线路图案。图案化线路层为一体成型，其中第一线路图案和第二线路图案的材料粒径相同，并且第一线路图案的第一宽度大于第二线路图案的第二宽度。还提出一种用以制造此种线路结构的线路印刷装置以及线路印刷方法。
线路印刷装置方法结构

[发明专利]触控电极层及其制作方法-CN201510550839.7在审
发明人：魏煜杰;陆苏财;黄家圣;姚宝顺;邱俊凯 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控电极层及其制作方法，其制作方法如下。首先，提供一电极材料层。接着，使用激光以在一区域中定速且不停顿的方式于电极材料层中蚀刻出激光路径，以于电极材料层中形成多个触控电极，各触控电极的外轮廓具有至少两个以上的连续弧线，各弧线的曲率半径至少大于100μm，且彼此相接的弧线呈S型反折关系，其中激光于转向区域中以第一速度进行蚀刻，以及于非转向区域中以第二速度进行蚀刻。
电极及其制作方法

[发明专利]导线结构与感测元件-CN201510487848.6在审
发明人：钟升峰;刘军廷;陆苏财 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G06F3/047 文献下载
摘要：本发明的一实施例公开了一种导线结构，包括基板以及多条导线。基板具有第一区、第二区及分隔第一区与第二区的至少一边界线。导线配置于基板上且分别位于第一区与第二区，其中所述至少一边界线为直线，而位于第二区的导线相对于边界线呈倾斜。另揭露一种感测元件。
导线结构元件

[发明专利]触控面板-CN201510770207.1在审
发明人：曾国华;陆苏财;林恒田 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控面板包括：第一基板，多个第一感测单元的多个和第二感测单元的多个和多条线路，和至少一个阻抗调整单元。第一基板具有触控区和周围区。感测单元位在触控区，而在周边区有多条具有不同长度的线路。多个第一感测单元和对应线路形成的多个第一感测通道，而多个第二感测单元和对应线路形成的多个第二感测通道。多个第一感测通道或多个第二感测通道连接到一个信号传输电路。使多个第一感测通道或多个第二感测通道的多个相对阻抗可通过至少一阻抗调整单元来达成趋近于一相同的阻抗。
面板

[发明专利]感测结构-CN201510399280.2在审
发明人：姚宝顺;钟升峰;陆苏财;谢玉凌;石正宜;张淑怡;曾国华;林恒田 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种感测结构，包括感测单元、周边线路以及连接线路。连接线路包括连接图案，用以连接感测单元与周边线路。在一实施例中，连接图案的线宽有至少两种线宽，其中连接周边线路的线宽大于连接感测单元的线宽。在一实施例中，连接图案包括网格图案，其中网格图案有至少两种网格密度，其中连接周边线路的网格密度大于连接感测单元的网格密度。在一实施例中，连接线路包括多个导线，其中多个导线配置于感测单元的感测串列与周边线路的周边导线之间且连接感测串列与周边导线。
结构

[发明专利]触控结构及其制造方法-CN201210531987.0有效
发明人：姚宝顺;陆苏财;刘军廷 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种触控结构及其制造方法。触控结构包括第一图案化电极、一第二图案化电极、一介电结构与一导电架桥。第二图案化电极位于第一图案化电极之间，并与第一图案化电极互相分开。介电结构设置在第一图案化电极与第二图案化电极上。介电结构具有介电开口。导电架桥跨过介电结构并延伸在介电开口中。第一图案化电极通过导电架桥相互电连接。
结构及其制造方法

[发明专利]芯片堆叠结构及其制造方法-CN201210144530.4有效
发明人： 陆苏财;庄敬业 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种芯片堆叠结构及其制造方法，该芯片结构以大晶片作为堆叠基底，并在大晶片上进行芯片堆叠。通过此接合架构可实现高密度的电极接合，还可解决目前三维芯片构装需要中介基板作为转接界面的技术瓶颈。由于此芯片堆叠结构的加工简单，且相容于大晶片级加工，因此可以缩短加工时间，降低加工成本。本发明还同时公开了所述芯片堆叠结构的制造方法。
芯片堆叠结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其组装方法-CN201010619641.7无效
发明人：林育民;詹朝杰;陆苏财 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其组装方法。半导体装置包括一芯片、一承载装置、多个第一导电块以及多个第二导电块。芯片具有多个第一接垫。承载装置具有多个第二接垫。第二接垫对应于第一接垫。多个第一导电块分别配置于第一接垫其中之一与第二接垫其中之一之间。多个第二导电块分别配置于第一接垫其中之一与第二接垫其中之一之间。第二导电块的金属间化合物的成分比例大于第一导电块的金属间化合物的成分比例。
半导体装置及其组装方法

[发明专利]晶片级模封接合结构及其制造方法-CN201110034288.0无效
发明人： 陆苏财;庄敬业;林育民 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片级的模封接合结构及其制造方法，在多个实施例其中的一个结构中，该晶片级的模封接合结构包含至少一上芯片与一下芯片以及置于其间的粘着材料。上芯片包含芯背、芯面和多个芯侧，芯面上有多个电极。下芯片包含芯背及芯面，其上面分别有多个芯背凸块和芯面凸块。下芯片中包含多个贯穿电极，分别电导通上述芯背凸块和芯面凸块。粘着材料包含高分子胶材，在一实施例中包含例如多个导电颗粒，或还包含非导电颗粒，以达成多个电极和上述芯背凸块的电导通，并同时完全包覆上芯片的芯侧。
晶片级模封接合结构及其制造方法

[发明专利]电子元件封装结构及其制造方法-CN201010170827.9无效
发明人：张道智;陆苏财;张景尧;詹朝杰 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开一种电子元件封装结构及其制造方法，上述电子元件封装结构包括一芯片，其具有一有源区表面和一背面；一介电层，设置于上述芯片的上述有源区表面上；至少两个沟槽，穿过上述介电层；一第一保护层，覆盖上述介电层和上述些沟槽的侧壁；一第二保护层，覆盖上述第一保护层并填满上述些沟槽。
电子元件封装结构及其制造方法

[发明专利]凸块结构、芯片封装结构及该凸块结构的制备方法-CN200910181090.8有效
发明人： 陆苏财;黄昱玮 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开一种凸块结构、芯片封装结构及该凸块结构的制备方法。该凸块结构包含一第一基板、多个第一电极、多个绝缘凸块、多个金属延伸层以及多个金属层。多个第一电极间隔地排列在该第一基板。多个绝缘凸块相对应于该些第一电极设置且将该些第一电极相互隔离。各金属延伸层形成于相对应的该第一电极与该绝缘凸块之间，且延伸出该绝缘凸块的一侧面，并在相对应的两相邻的该些绝缘凸块间形成一延伸部，其中各该延伸部在其延伸方向上的长度小于相对应的两相邻的该绝缘凸块的间距。各金属层形成于相对应的该绝缘凸块的该侧面与相对应的该延伸部。
结构芯片封装制备方法

[发明专利]元件密封接合结构及其工艺-CN200910004134.X有效
发明人：杨琮富;陆苏财 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种元件密封接合结构及其工艺。该元件密封接合结构包括缓冲凸块层、多个导电接合部、以及密封接合部。缓冲凸块层配置于元件与基板之间，其包括多个第一部分以及第二部分，且该第二部分环绕于这些第一部分的外围。各个导电接合部包括覆盖于各个第一部分的第一电极以及基板上的第二电极，且各个第一电极与各个第二电极电性连接。密封接合部包括基板上的接合环，且接合环与第二部分相互接合，以使元件与基板之间形成密封空间。
元件密封接合结构及其工艺

[发明专利]存储器电容的电极结构以及存储器电容结构的制造方法-CN200810085490.4有效
发明人： 陆苏财;陈文华;郑仙志;陈韻巧 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器电容的电极结构和存储器电容结构的制造方法。在随机存取存储器中因工艺微缩后，堆叠电容的表面积大幅减少，影响电容量下降而导致电容无法正常运作。本发明的构想是在有限的存储单元区域里，采用凹凸表面的外部环状管体和中心柱体的复合式下电极，来增加电容表面积，进而提高电容量。而外部环状管体的径向截面为椭圆形，且椭圆形的短轴方向的厚度加厚，以加强电容结构的强度。
存储器电容电极结构以及制造方法

[发明专利]复合凸块-CN200510135282.7无效
发明人：林基正;林耀生;张世明;陆苏财;郑仙志;陈泰宏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提出一种复合凸块，其适于设置在基板的焊垫上。此复合凸块主要包括弹性主体以及外导电层，其中弹性主体的热膨胀系数介于5ppm/℃与200ppm/℃之间，而外导电层覆盖弹性主体，并与焊垫电连接。复合凸块内的弹性主体可在接合时提供应力缓冲的效果，且由于弹性主体的热膨胀系数位于较佳的范围内，因此有助于降低热应力的作用，进而提高接合效果。
复合

[发明专利]芯片结构、芯片封装结构及其工艺-CN200510114618.1无效
发明人： 陆苏财 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-10-24 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种芯片结构，包括芯片、保护层、弹性层以及金属层，而凸块还可设置于金属层上，用以电连接芯片的焊垫。保护层与弹性层覆盖于芯片的主动表面，且保护层与弹性层分别具有开口，用以显露焊垫的上表面。其中，弹性层可增加凸块热压接合于基板的接点的电特性，而弹性层的材质例如是聚酰亚胺或其它高分子聚合物。此外，本芯片结构还可设置多个弹性粒状物于凸块底部，以增加凸块的接合可靠性。
芯片结构封装及其工艺

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