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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210035489.0在审
发明人：曾庭箴;廖思豪;胡毓祥;郭宏瑞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括将集成电路管芯贴合到第一基底；集成电路管芯包括位于第二基底中的有源器件、邻近第二基底的垫以及邻近第二基底的介电层，所述介电层包括具有酯基的聚酰亚胺；形成围绕集成电路管芯的包封体；以及移除介电层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]光伏器件-CN201110309663.8无效
发明人： L·查卡拉科斯;A·M·斯里瓦斯塔瓦;B·A·科雷瓦尔;O·I·斯特恩冈萨雷斯;Y·A·奚 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：在本发明的一个方面中，呈现具有降频转换层的光伏器件。该器件包括具有第一表面和第二表面的玻璃板。该第一表面暴露于周围辐射。透明导电层邻近该玻璃板的该第二表面设置。该器件进一步包括邻近该透明导电层设置的第一类型半导体层和邻近该第一类型半导体层设置的第二类型半导体层。该降频转换层插入该玻璃板的该第二表面和该透明导电层之间。该降频转换层展现具有处于该玻璃板和该透明导电层的相应折射率之间的值的有效折射率。还呈现具有多个这样的光伏器件的光伏模块。
器件

[发明专利]一种强冲击危险煤层群冲击地压的防治方法-CN201410144452.7有效
发明人：陆菜平;张农;刘广建;薛俊华;左源耀 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： E21C41/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种强冲击危险煤层群冲击地压的防治方法，具体步骤是：（1）选择开采的邻近层：因严重冲击危险性而需要预卸压的开采煤层处，选择无冲击危险性或弱冲击危险性的煤层，作为开采的邻近层；（2）对邻近层进行开采：将步骤（1）选取的邻近层采用沿空留巷的方法进行整层连续卸压开采且不留煤柱；（3）开采煤层采取二次卸压：（4）检验卸压效果：实施卸压解危方法后，利用微震系统、应力监测系统和钻屑法其中之一对开采煤层卸压效果进行检验
一种冲击危险煤层地压防治方法

[发明专利]版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法-CN201710170707.0有效
发明人：朱忠华;阚欢;魏芳;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法，先建立包含有所有所述基准图形对应的原始设计层和所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层的图形库，然后将所述图形库中所有所述基准图形对应的原始设计层与版图的原始设计的每一区域完全匹配成功的该基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层，与所述图形库中所有所述基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层作异或运算，得到差异以及对应的差异值，对上述差异中大于可接受差异值的进行归类，减少差异种类，这样就可以将数以千万级的差异归纳为几种或者数十种差异
版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法

[发明专利]呈现出三维浮雕和装饰图像的适合作为地板或墙壁覆盖物的多层片材-CN201780044460.6在审
发明人：乔纳斯·圭多·菲斯;波尔·罗姆贝尔特;利奥·玛丽·理查德·毕弗内奇 -专利权人：博优国际集团公众有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B32B5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层片材，所述多层片材适合作为地板或墙壁覆盖物，呈现出三维表面浮雕和装饰图像，所述多层片材包括：i.支撑层，所述支撑层具有上表面和下表面；ii.发泡层，所述发泡层具有上表面和下表面，所述发泡层的下表面设置为邻近并附着于支撑层的上表面，发泡层的上表面包括不连续的化学压花浮雕图案，其中所述不连续的化学压花浮雕图案包括由包含泡沫抑制剂的数字印刷材料的单个或堆叠的点形成的凹痕；以及任选地iii.装饰层，所述装饰层粘附于发泡层的上表面；以及任选地，iv.至少一个耐磨层，所述至少一个耐磨层设置为邻近并粘附于装饰层；以及任选地，v.背衬层，所述背衬层设置为邻近并粘附于支撑层的下表面。
发泡层上表面多层片材下表面支撑层装饰层粘附墙壁覆盖物浮雕图案化学压花装饰图像邻近背衬层不连续耐磨层地板三维表面浮雕泡沫抑制剂三维浮雕数字印刷凹痕堆叠附着

[发明专利]原子层沉积的装置和方法-CN200780052635.4有效
发明人：衡石·亚历山大·尹;约翰·M·博迪;米哈伊尔·科罗利克;耶兹迪·多尔迪;弗里茨·C·雷德克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：通过提供使用原子层沉积(ALD)的工艺和系统，该实施方式提供了在互连结构中沉积保形薄膜的装置和方法。该邻近头在相对较短的时间内将少量的反应物和清除气体分发到该邻近头和该基片之间的该小反应容积中并从该反应容积中抽走，由此增加了通量。在一个示例性实施方式中，提供一种用于分发反应物和清除气体以由原子层沉积(ALD)沉积薄膜的邻近头。该邻近头被配置为序贯分发反应物气体(445，443)和清除气体(441)以在该邻近头下方沉积ALD薄膜。该邻近头覆盖基片表面的活动工艺区域。该邻近头包括多个侧面，每个侧面被配置为在该邻近头下方的该基片表面上分发反应物气体或清除气体。每个侧面有至少一个真空通道。
原子沉积装置方法

[发明专利]包括选择器层的半导体器件-CN202310015545.9在审
发明人：韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及包括选择器层的半导体器件。一种半导体器件可以包括：第一导电层；第二导电层，其与第一导电层间隔开；隧道绝缘层，其置于第一导电层和第二导电层之间并且被设置成邻近于第一导电层；电荷阻挡层，其置于第一导电层和第二导电层之间并且被设置成邻近于第二导电层；以及选择器层，其置于隧道绝缘层和电荷阻挡层之间，其中，半导体器件用作自选择存储器。
包括选择器半导体器件

[发明专利]一种制造多功能材料系统的方法-CN202310051655.0在审
发明人： D·M·斯坦 -专利权人：泰克斯蒂勒材料公司
申请日： 2019-08-31 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B32B27/34 文献下载
摘要：在一个实施方案中，提供了一种制造多功能材料系统的方法，包括：将可变渗透率层安置在蒸气可渗透支撑层上或者邻近蒸气可渗透支撑层，其中所述可变渗透率层具有随相对湿度的增加而增加的蒸气渗透率；和将干燥剂容纳层安置在所述可变渗透率层上或者所述蒸气可渗透支撑层上；其中当邻近所述可变渗透率层的相对湿度大于所述干燥剂容纳层时，水沿从所述可变渗透率层到所述干燥剂容纳层的第一方向移动，其中当邻近所述干燥剂容纳层的相对湿度大于所述可变渗透率层时，水沿从所述干燥剂容纳层到所述可变渗透率层的第二相反方向移动
一种制造多功能材料系统方法

[发明专利]交通工具到万物话务负载控制-CN202080038386.9在审
发明人：陈书平;李俨;高路 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H04W72/02 文献下载
摘要：用户装备(UE)可接收针对一个或多个邻近服务优先级等级中的每一者的信道占用比。UE可标识针对一个或多个邻近服务优先级等级中的每一者的资源可用性度量和消息要求度量，第二协议层是比第一协议层更高的层。UE可基于信道占用比、或资源可用性度量、或消息要求度量、或其组合来确定针对一个或多个邻近服务优先级等级中的每一者的消息生成速率。UE可基于消息生成速率来生成针对一个或多个邻近服务优先级等级中的每一者的一个或多个消息。
交通工具万物话务负载控制

[发明专利]一种光学邻近修正方法-CN201710566152.1有效
发明人：杜杳隽;王兴荣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供经过至少一次光学邻近修正后的切割层图形；对切割层图形进行光学模拟，以获得模拟轮廓，其中，模拟轮廓包括关键边缘和非关键边缘；将模拟轮廓和目标轮廓进行比较，分别获得关键边缘的边缘放置误差和非关键边缘的边缘放置误差成本函数为关键边缘的边缘放置误差的加权平方和，以及非关键边缘的边缘放置误差的加权平方和之和，关键边缘的边缘放置误差的权重大于非关键边缘的边缘放置误差的权重；判断成本函数是否超出标准范围，若超出则继续对切割层图形进行光学邻近修正，直到成本函数在标准范围内，若在标准范围内则光学邻近修正终止。
一种光学邻近修正方法

[发明专利]记录装置和记录方法-CN201210223871.0无效
发明人：武笠智治;浦川祯之;西纪彰;堀米顺一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G11B7/09 文献下载
摘要：提供了一种记录装置，包括：光照射和接收单元，被配置为通过共同的物镜将用于向记录层执行标记记录的记录光和用于邻近轨道伺服的邻近伺服光照射到具有记录层的光盘记录介质上，并且接收邻近伺服光的来自记录层的反射光；循轨机构，被配置为在循轨方向上驱动物镜，循轨方向是盘半径方向；循轨伺服信号生成单元，被配置为获得校正伺服误差信号作为基于对邻近伺服光的光接收信号的伺服误差信号，并且利用校正伺服误差信号生成循轨伺服信号
记录装置方法

[发明专利]邻近感测器及其运作方法-CN201910215461.3有效
发明人：冉晓雯;蔡娟娟;林敬富;陈兆轩;李宗玹;陈蔚宗 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01V8/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种邻近感测器及其运作方法，邻近感测器包含第一基板、第一光源、第一指状电极、第一主动层与第一透明电极层。第一基板具有相对的顶面与底面。第一光源朝向第一基板的底面。第一主动层覆盖第一指状电极且位于第一间隙中。第一透明电极层位于第一主动层上。当第一光源发出第一光线时，第一光线经第一间隙依序通过第一主动层与第一透明电极层至反射面，第一光线经反射面反射而形成第一反射光线，第一反射光线通过第一透明电极层而由第一主动层接收。借此，在邻近感测时可大幅增加反射光线的利用效率，能有效的提升邻近感测的解析度。
邻近感测器及其运作方法

[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法-CN201810117822.6有效
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；提供偏移补偿模型；将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；获取补偿图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图。形所述光学邻近修正方法提高了修正精度。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法

[发明专利]触控面板及其制造方法-CN201811472352.1有效
发明人：何奕宏 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触控面板包含至少一触控感应层、第一金属层、第二金属层、通孔、金属膜与导电结构。第一金属层与第二金属层分别位于触控感应层的上方与下方。通孔贯穿第一金属层、触控感应层与第二金属层，且通孔具有邻近第一金属层的第一开口与邻近第二金属层的第二开口。金属膜位于第二金属层的底面上且覆盖通孔的第二开口。导电结构位于金属膜上与通孔中，导电结构邻近第一开口的一端具有阻隔结构，阻隔结构延伸至第一金属层的顶面，且围绕通孔的第一开口。具有阻隔结构的导电结构除了可达成金属层间导通之效果外，还可防止气泡的产生，有效地阻水阻气，提升触控面板的良率及可靠性。
面板及其制造方法

[发明专利]用于射频部件的多层冷却结构-CN201880096734.0在审
发明人：安德烈·格雷德;丹尼尔·格鲁纳;安东·拉班克 -专利权人：康姆艾德公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：108、114)的电路板(102)，该RF结构由电路板的导电迹线形成；载热体(118)；以及将电路板(102)和载热体(118)彼此耦合的多层冷却结构(116)，该多层冷却结构(116)包括在第一位置处邻近RF结构的第一叠层(120)以及位于第二位置处的第二叠层(122、132)，第一叠层(120)包括邻近载热体(118)的介电层(126)以及将介电层(126)和电路板(102)彼此耦合的热界面材料(TIM)(124)，介电层(126)的导热性和刚性比TIM(124)更高，第二叠层(122、132)包括邻近载热体(118)的金属层(134)以及将金属层(134)和电路板(102)彼此耦合的TIM(136)
用于射频部件多层冷却结构