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- [发明专利]局部开槽工艺-CN00807779.7无效
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B·S·李
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因芬尼昂技术北美公司
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2000-04-20
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2002-05-29
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H01L21/308
- 根据本发明,一种在半导体制造中开孔的方法包括下列步骤在衬底(102)上提供焊点叠层(104);在焊点叠层上制作硬掩模层(106),此硬掩模层相对于焊点叠层可选择性地清除;在硬掩模层上图形化抗蚀剂层(108),此抗蚀剂层相对于硬掩模层可被选择性地清除并具有足以防止凹陷的厚度;相对于抗蚀剂层选择性地腐蚀硬掩模层直至焊点叠层;以及清除抗蚀剂层。在清除抗蚀剂层之后,相对于硬掩模层选择性地腐蚀焊点叠层,致使孔被一直开到衬底。
- 局部开槽工艺
- [发明专利]非易失性存储器装置-CN202210717386.2在审
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乔瓦尼·贝洛蒂;马可·帕塞里尼
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爱思开海力士有限公司
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2022-06-23
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2023-06-06
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G11C16/12
- 本公开涉及一种非易失性存储器装置，包括存储器单元、第一调节器、第二调节器、第一开关、第二开关和电容器耦合开关。第一调节器包括第一电容器，并且在连接到存储器单元第一子集的第一节点处生成第一电压，以将第一电压提供给第一子集。第二调节器包括第二电容器，并且在第二节点处生成第二电压。第一开关将第二节点选择性地耦合到存储器单元第二子集，以将第二电压提供给第二子集。第二开关将第一节点选择性地耦合到第二子集，以也将第一电压提供给第二子集。当第一开关被停用并且第二开关被启用时，电容器耦合开关将第二电容器选择性地并联耦合到第一电容器。
- 非易失性存储器装置
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