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[发明专利]选择装置、选择方法及选择程序存储介质-CN200610111038.1有效
发明人：舟木勇夫;北明希;松崎英一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H04N5/76 文献下载
摘要：选择装置、选择方法及选择程序存储介质。公开了一种选择装置、一种选择方法以及一种选择程序存储介质，它们被配置成：即使在记录了大数量的节目时也能够确定地并容易地选择诸如电视连续剧的多个节目。该选择装置包括：指定部，其响应于一操作从存储在存储装置中的多个节目中指定一节目；检索部，其针对在该节目自身与由所述指定部指定的节目之间满足预定相关性的节目，对存储在所述存储装置中的所述多个节目进行检索；以及选择部，其集体地选择由所述指定部指定的节目和由所述检索部检索出的节目。
选择装置方法程序存储介质

[发明专利]选择装置、选择方法以及存储介质-CN202010567668.X在审
发明人：铃木裕哉 -专利权人：尤妮佳股份有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： A61F13/496 文献下载
摘要：本发明提供一种选择装置、选择方法以及存储介质，用于选择适合利用者的吸收性物品。本申请所涉及的选择装置的特征在于，具有：获取部，其获取表示利用者的身体特征的利用者信息，并且获取表示该利用者的喜好的喜好信息或表示该利用者的运动量的运动量信息；以及选择部，其基于所述利用者信息、以及所述喜好信息或所述运动量信息来选择对所述利用者提议的吸收性物品
选择装置方法以及存储介质

[发明专利]一种非易失性存储器及其验证读取方法-CN202110302047.3有效
发明人：许锋;李达;张安;靳磊;田瑶瑶;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器，包括：存储单元阵列，包括多条存储串，每条存储串包括多个存储单元、底部选择管和顶部选择管；多条字线，分别连接所述多个存储单元；串选择线，连接到所述顶部选择管；地选择线，连接到所述底部选择管；控制器，被配置为在验证读取阶段之前的预脉冲阶段中，控制地选择线使将选择的存储串和/或非选择的存储串的底部选择管关断；控制字线使各存储串中的存储单元导通；控制串选择线使选择的存储串中的顶部选择管和/或非选择的存储串中的顶部选择管关断以进行预脉冲
一种非易失性存储器及其验证读取方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201410490067.8有效
发明人：细野浩司 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种使动作可靠性提高的非易失性半导体存储装置。实施方式的该装置包括：存储单元阵列、电压产生电路以及控制电路；其中若至少第1数量个存储单元在选择存储单元和半导体基板之间，电压产生电路供应写入电压到选择存储单元，供应低于写入电压的第1电压到与选择存储单元相邻的非选择存储单元，且供应低于第1电压的第2电压到与选择存储单元隔开一个非选择存储单元的非选择存储单元；若少于第2数量个存储单元在选择存储单元和半导体基板之间，电压产生电路供应写入电压到选择存储单元且供应第1电压到与选择存储单元相邻的非选择存储单元，但不供应第2电压到与选择存储单元隔开一个非选择存储单元的非选择存储单元。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]包含非易失性存储器设备和控制器的存储设备-CN201710521176.5有效
发明人：李熙元;高莎丽;卢承京;权成南 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块，多个存储块中的每个包括存储单元。控制器在读取操作期间从自存储块中所选择的存储块的选择的存储单元读取数据。该选择的存储单元对应于被选择作为读取目标的字线和串选择线两者。控制器将读取计数增加对应于选择的存储块的选择的字线和串选择线的读取权重，并且如果读取计数达到阈值，则对选择的存储单元执行刷新操作。在选择的存储块中，根据串选择线和字线的位置分配两个或更多个读取权重。
包含非易失性存储器设备控制器存储

[实用新型]面向对象的敏捷制造专家系统-CN201220437027.3有效
发明人：李宗义;郭建明;米保全;姜毅龙;马涛;孙永忠;武承文;文宏 -专利权人：甘肃机电职业技术学院
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：面向对象的敏捷制造专家系统，包括专家系统，专家系统包括企业类信息存储选择单元，企业类信息存储选择单元包括一般企业信息存储选择模块和加工能力信息存储选择模块，加工能力信息储存选择模块包括产品子类信息存储选择模块和车间子类信息存储选择模块，车间子类信息存储选择模块包括一个或多个车间信息存储选择模块，每个车间信息存储选择模块包括一般车间信息存储选择模块、设备子类信息存储选择模块和加工方法子类信息存储选择模块。
面向对象敏捷制造专家系统

[发明专利]图像选择装置和存储图像选择程序的存储介质-CN200810099675.0有效
发明人：有元秀树 -专利权人：兄弟工业株式会社
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像选择装置和存储图像选择程序的存储介质。图像数据识别单元对于在由检测单元检测的显示区域中显示的图像识别至少两个图像数据。至少两个图像数据包括首先被图像数据识别单元识别的第一图像数据。图像选择单元选择或取消选择由图像数据识别单元识别的至少两个图像数据。选择数据存储单元存储用于由读取单元读取的多个图像数据的每一个的选择数据。选择数据指示多个图像数据的每一个处于被图像选择单元选择的状态还是被图像选择单元取消选择的状态。确定单元基于选择数据确定第一图像数据处于已选择状态还是取消选择状态。当确定第一图像数据处于取消选择状态时，图像选择单元将至少两个图像数据设为已选择状态，当确定第一图像数据处于已选择状态时将至少两个图像数据设为取消选择状态。
图像选择装置存储程序介质

[发明专利]半导体存储器件中使用的存储体选择信号控制电路和方法-CN200510124629.8无效
发明人：郭镇锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：存储器存储体选择控制电路和方法，改善多存储体半导体存储器结构中数据检测放大器的数据检测余量。存储体选择信号控制电路包括存储体开关控制单元，接收存储器存储体选择信号并将对应的存储器存储体选择控制信号输出以根据预定顺序选择地连接存储器存储体到全局数据输入/输出线。存储体开关控制单元对在预定顺序中最后选择的存储器存储体之前选择的存储器存储体，输出被使能第一时间段P1的存储器存储体选择控制信号；对最后选择的存储器存储体，输出被使能第二时间段P2的存储器存储体选择控制信号开关单元，根据预定顺序响应于对应的存储体选择控制信号，顺序地连接选择的存储器存储体到全局数据输入/输出线一预定时间段P1或P2。
半导体存储器件使用选择信号控制电路方法

[发明专利]存储器控制器和控制其操作的方法-CN201710565054.6有效
发明人：南尚完;边大锡;尹治元;申海淑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供一种存储器控制器和控制其操作的方法。一种控制存储器控制器的操作的方法包括，在非易失性存储器装置的读取操作中，存储器控制器对选择的存储器块中的选择的串的选择读取计数进行计数和/或对选择的存储器块中的未选择的串的未选择读取计数进行计数。当选择读取计数和/或未选择读取计数超过读取阈值时，存储器控制器执行选择的存储器块的回收操作。为了通过回收操作将选择的存储器块的数据移动到另一存储器块，存储器控制器可通过使用改变后的页地址将选择的存储器块的数据复制到另一存储器块。
存储器控制器控制操作方法

[发明专利]音响信号检测系统、音响信号检测服务器、影像信号搜索装置、影像信号搜索方法、影像信号搜索程序与记录介质、信号搜索装置、信号搜索方法、及信号搜索程序与记录介质-CN200580001355.1有效
发明人：黑住隆行;永野秀尚;柏野邦夫 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： G10L15/10 文献下载
摘要：本发明的音响信号检测系统从存储音响信号中，搜索出类似于目的音响信号的部分，其中，具有：存储特征计算部，根据存储音响信号的时间系列数据，计算存储特征；目的特征计算部，根据目的音响信号的时间系列数据，计算目的特征；存储特征面积选择部，从存储特征中，选择存储特征的统计量超过阈值的要素，导出由选择的要素构成的存储面积选择特征；目的特征面积选择部，从目的特征中选择目的特征的统计量超过阈值的要素，导出由选择的要素构成的目的面积选择特征；以及特征对照部，对存储面积选择特征设定对照区间，计算目的和存储面积选择特征中对照区间的彼此之间的类似度。
音响信号检测系统服务器影像搜索装置方法程序记录介质

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202211009583.5在审
发明人：高庭庭;夏志良;刘小欣;孙昌志;杜小龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该三维存储器包括：存储叠层结构；多个存储沟道结构，贯穿存储叠层结构；选择叠层结构，位于存储叠层结构上；顶部选择栅切口结构，贯穿选择叠层结构；以及多个选择沟道结构，贯穿选择叠层结构并与多个存储沟道结构分别连接，其中，多个选择沟道结构沿着顶部选择栅切口结构的延伸方向成行布置，顶部选择栅切口结构在相邻的选择沟道结构行之间延伸；顶部选择栅切口结构每侧具有至少一个偏置选择沟道结构行，其中，偏置选择沟道结构行中的选择沟道结构，其轴线与顶部选择栅切口结构的距离，大于其连接的存储沟道结构的轴线与顶部选择栅切口结构的距离。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201811637034.6有效
发明人：金雄来;李泰龙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C8/12 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件，包括：存储区域选择电路，适用于基于存储区域地址信号和模式识别信号产生多个存储区域选择信号，并在第一模式期间激活多个存储区域选择信号之中的一个或多个存储区域选择信号，或在第二模式期间激活多个存储区域选择信号之中的两个或更多个存储区域选择信号；列选择电路，适用于基于列地址信号和模式识别信号产生多个列选择信号，并在第一模式期间改变多个列选择信号，或在第二模式期间保持多个列选择信号；以及多个存储区域，基于多个存储区域选择信号和多个列选择信号，在第一模式期间其中的一个或多个存储区域被访问，或者在所述第二模式期间其中的两个或更多个存储区域被访问。
半导体器件

[发明专利]非易失性存储装置、存储系统及其编程方法-CN201310114199.6有效
发明人：郭东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储装置、存储系统以及对非易失性存储装置编程的方法，所述非易失性存储装置包括在垂直于衬底的方向上形成的单元串并通过串选择线单元来选择存储单元。所述编程方法包括：检测被选择存储块的损耗平均信息；根据所述损耗平均信息来确定对所述被选择存储块的串选择线的选择顺序；以及根据确定的选择顺序将数据写入所述被选择存储块。
非易失性存储装置存储系统及其编程方法

[发明专利]列选择拌和-CN202011312968.X在审
发明人： D·G·蒙蒂尔斯;B·H·拉姆;C·O·贝尼特斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本申请涉及列选择拌和。一种存储器装置包含：存储器阵列，其具有多个存储器单元；以及列解码器电路，其配置成提供用于选择用于所述多个存储器单元上的存储器操作的对应位线的至少一个列选择信号。所述存储器装置还包含列选择区段，所述列选择区段配置成路由所述至少一个列选择信号，使得在相同列选择存取存储器操作期间排他地选择非相邻位线。
选择拌和

[发明专利]存储器结构及其操作方法-CN202310079574.1在审
发明人：李冰寒;孔蔚然 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种存储器结构及其操作方法，其中结构包括：包括：衬底；位于衬底上若干相互分立的存储栅结构，存储栅结构包括存储层以及位于存储层上的控制栅层；位于衬底上的若干选择栅结构，选择栅结构位于相邻的存储栅结构之间；位于衬底上的串选择线和地选择线，若干存储栅结构和若干选择栅结构位于串选择线和地选择线之间，且串选择线和地选择线分别与存储栅结构电性隔离；位于衬底内的源极层，源极层与地选择线相邻；以及位于衬底内的漏极层，漏极层与串选择线相邻。通过控制相邻存储栅结构之间的选择栅结构，既能在读操作在衬底内形成沟道串联起各个存储栅结构，又能够隔离两侧的存储栅结构，避免相邻的存储栅结构串扰，有效提升器件结构的性能。
存储器结构及其操作方法

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