专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片的边缘区域检查装置及检查方法-CN201880092352.0在审
  • 黄炳文 - 耐瑟思远株式会社
  • 2018-05-17 - 2020-11-20 - H01L21/66
  • 本发明涉及一种能够进行晶片的缺口对准及检查晶片的正面、背面、包括斜面(bevel)和顶点(apex)的边缘区域而不损坏晶片的正面或背面的晶片的边缘区域检查装置及检查方法,所述晶片的边缘区域检查装置设置有:晶片装载和卸载部,其在支撑件上装载和卸载所要检查的晶片;真空吸附部,其具备将通过上述晶片装载和卸载部而位于上述支撑件上的晶片以非接触状态真空吸附的真空吸盘;旋转部,其为了连续地检查上述晶片的边缘区域而使真空吸附了晶片的真空吸盘旋转;边缘检查用线扫描部,其设置于与上述晶片相同的平面上并检查通过上述旋转部而旋转的晶片的边缘区域和缺口位置;以及控制部,其控制上述真空吸盘的位置,因而能够执行边缘区域和缺口位置的检查而不损坏晶片的正面或背面
  • 晶片边缘区域检查装置方法
  • [发明专利]减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法-CN201110346464.4无效
  • 丁刘胜 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-11-04 - 2013-05-08 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法,包括以下步骤:第一步,形成第一层光刻胶;第二步,形成第二层光刻胶;第三步,对芯片进行曝光;第四步,依次进行后烘、显影、硬烘。本发明通过两次涂胶,分别控制两次涂胶过程中芯片边缘曝光区域的大小,使得第二次涂胶过程中的芯片边缘曝光区域比第一次小,并利用第二次涂胶的边缘曝光斜坡为第一次的芯片边缘曝光区域作为硬膜进行显影,从而形成需要的图形
  • 减少芯片边缘斜坡区域方法
  • [发明专利]图像去模糊方法及系统-CN201580000103.0有效
  • 张欣欣;王荣刚;王振宇;高文 - 北京大学深圳研究生院
  • 2015-05-15 - 2018-02-02 - G06T5/00
  • 一种图像去模糊方法,包括估算中间图像L标记输入图像的边缘区域和平滑区域,分别对边缘区域和平滑区域进行约束,获得中间图像L;估算模糊核k提取中间图像L的显著边缘,显著边缘边缘尺度大于模糊核的尺度的边缘,利用显著边缘计算模糊核k;复原输入图像根据输入图像和估算模糊核k进行非盲反卷积,将输入图像复原成清晰图像。由于对边缘区域和平滑区域进行约束,使得获得的中间图像既能够保留边缘又能有效去除平滑区域的噪声和振铃效应,并利用中间图像L的显著边缘计算模糊核,使得模糊核的估算更加准确,最后,根据输入图像和估算的模糊核k
  • 图像模糊方法系统

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