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[发明专利]一种超薄电芯及制备方法、超薄锂离子电池及制备方法-CN201810769696.2在审
发明人：吴迪;胡韬;解明 -专利权人：柔电（武汉）科技有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明属于锂电池技术领域，涉及一种超薄电芯，位于最外侧的电极片为不卷曲的单面电极片，活性层通过导电胶粘接在集流体的内侧面上。本发明还提供上述电芯制备方法：1）制备活性层；2）在集流体一侧的表面上涂覆导电胶；3）将活性层铺设于导电胶上；4）进行烘烤，再辊压，制得不卷曲的单面电极片；5）将不卷曲的单面电极片作最外侧的电极片，采用叠片工艺制备超薄电芯本发明提供的超薄锂离子电池制备方法，采用上述制备方法制备的超薄电芯作为电芯，后采用常规工艺制备超薄锂离子电池。本发明的超薄锂离子电池，其电芯为上述的超薄电芯或采用上述的制备方法制备的超薄电芯。
制备超薄电芯超薄锂离子电池卷曲单面电极活性层电芯导电胶电极片集流体常规工艺导电胶粘叠片工艺锂电池烘烤辊压减小涂覆电池铺设制作

[发明专利]玻璃薄化技术制作的超薄玻璃结构胆甾相彩色液晶显示屏-CN201811379345.7在审
发明人：权建华;周小军;周学秀;蒋丽 -专利权人：南京华日触控显示科技有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G02F1/137 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃薄化技术制作的超薄玻璃结构胆甾相彩色液晶显示屏，包括R层超薄玻璃液晶显示盒、G层超薄玻璃液晶显示盒、B层超薄玻璃液晶显示盒和黑色吸光膜，所述超薄玻璃液晶显示盒双面胶膜粘贴成一体，B层超薄玻璃液晶显示盒下表面贴附黑色吸光膜；所述三种超薄玻璃液晶显示盒的结构包括上ITO玻璃、框胶、上ITO层、上配向膜、衬垫、下ITO层、下配向膜、下ITO玻璃和胆甾相液晶，外表面通过氢氟酸薄化形成总厚度为0.3 mm的超薄玻璃液晶盒。
超薄玻璃液晶显示盒薄化彩色液晶显示屏黑色吸光技术制作胆甾相配向膜胆甾相液晶背光玻璃刺眼波长特性日常出行双面胶膜低功耗滤光片氢氟酸全彩色下表面需彩色液晶盒框胶轻便全彩贴附粘贴柔和液晶携带应用

[发明专利]一种氢氧化镍超薄纳米片的制备方法-CN201510888087.5在审
发明人：张秋根;瞿艳;刘庆林;朱爱梅 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：一种氢氧化镍超薄纳米片的制备方法，涉及无机纳米材料的制备。提供方法简单，成本低、可控性强的一种氢氧化镍超薄纳米片的制备方法。制备方法：将可溶性镍盐溶解于水中，配制成镍盐水溶液；将乙醇胺用水稀释，配制成乙醇胺水溶液；将镍盐水溶液和乙醇胺水溶液混合，得氢氧化镍纳米片母液；将氢氧化镍纳米片母液静置，即得氢氧化镍超薄纳米片。所制备的氢氧化镍超薄纳米片可在制备纳滤膜中的应用：选取多孔微滤膜作为基膜，将制备的氢氧化镍超薄纳米片单分散溶液过滤在基膜上，氢氧化镍超薄纳米片经过自由堆积形成氢氧化镍超薄纳米片薄膜，获得由基膜和氢氧化镍超薄纳米片薄膜组成的纳滤膜
一种氢氧化超薄纳米制备方法

[发明专利]一种超薄3D封装的半导体器件、其加工方法以及加工方法中的半成品-CN201610340042.9在审
发明人：申亚琪;王建国 -专利权人：苏州捷研芯纳米科技有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明揭示了一种超薄3D封装的半导体器件、其加工方法以及加工方法中的半成品，包括超薄基板，超薄基板的顶面设置有至少一个上芯片，上芯片通过键合线和键合点与超薄基板连接通信，超薄基板的顶面上还设置有包裹所述上芯片、键合线和键合点的塑封层；超薄基板的底面倒装有下芯片，下芯片的底面位于所述超薄基板底面设置的锡球的最低点所在平面的上方。本发明通过倒装工艺将下芯片安装于超薄基板的底部，能够实现整个封装体的尺寸大幅缩小，整个封装体的高度能够只有800μm，远远低于焊球阵列封装的1200‑1400μm的高度；下芯片位于开放结构中散热效率大大提高
一种超薄封装半导体器件加工方法以及中的半成品

[发明专利]超薄锂箔分条转移方法和装置-CN202010074407.4在审
发明人：齐大志;程滋平;于坤旺;吴春敢;刘慧芳;陈强;牟瀚波 -专利权人：天津中能锂业有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B65H23/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄锂箔分条转移方法和装置，超薄锂箔分条转移方法包括：提供带膜支撑的超薄锂箔；将带膜支撑的超薄锂箔的裸锂面进行划痕处理，形成以划痕线为界的多个超薄锂条；提供离型膜，所述离型膜的离型力大于支撑膜的离型力；将划痕处理后的超薄锂箔的裸锂面与离型膜的离型面相对设置，使用凹凸辊进行滚压，所述凹凸辊的凹凸分界线与划痕线对齐；辊压完成后，将支撑膜与离型膜分开，超薄锂箔的一部分仍与支撑膜复合在一起，而另一部分转移到离型膜上本发明技术方案操作简单，减小了超薄锂箔的相对厚度，可以卷对卷的批量生产。
超薄锂箔分条转移方法装置

[发明专利]一种超薄电路板用电镀支撑板、电镀系统及其电镀方法-CN202011464289.4在审
发明人：王刚;耿波 -专利权人：天津普林电路股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C25D17/08 文献下载
摘要：本发明提供一种超薄电路板用电镀支撑板，包括设置于所述电镀支撑板上的若干个定位孔，所述定位孔与超薄电路板的位置相匹配，以实现对超薄电路板的定位，所述电镀支撑板与超薄电路板之间通过胶带固定连接，所述电镀支撑板的上侧设置有若干个电镀定位槽和窗口本发明能够通过定位孔、电镀定位槽与窗口，使电镀过程中，超薄电路板的相对位置更准确，操作简单，避免了因遮挡电镀位置导致的电镀层厚度不均的质量问题，保证了产品的电镀质量；通过胶带实现电镀支撑板与超薄电路板的固定，使得在电镀过程中，超薄电路板可以随电镀支撑板的重量升降运动，避免了由于超薄电路板自身重量过小，导致弯折甚至折裂的问题，降低了产品的报废率。
一种超薄电路板用电支撑电镀系统及其方法

[发明专利]基于超薄玻璃的触控面板制造方法及其触控面板-CN202210549498.1在审
发明人：周晧煜;蒋承忠;陈风 -专利权人：安徽繁盛显示科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供了基于超薄玻璃的触控面板制造方法及其触控面板，其中，方法包括：提供一载板介质；在载板介质的一侧设置一离型层，离型层具有与载板介质贴合的第一侧和露出的第二侧，第二侧的第二离型力小于第一侧的第一离型力；在离型层的第二侧贴合一超薄玻璃本体，超薄玻璃本体的厚度小于载板介质的厚度；在超薄玻璃本体背离离型层的第一侧设置第一触控电极和/或第一触控电路；将超薄玻璃本体自离型层离型；分割超薄玻璃本体，获得若干触控面板本发明能够通过超薄玻璃与载板介质的组合以及分离，防止制程过程中超薄玻璃的破裂，避免了玻璃打薄的步骤，提高了良品率，并且减小了刻蚀工艺的使用，增强了工艺的环保属性。
基于超薄玻璃面板制造方法及其

[发明专利]一种超薄晶圆离子植入工艺-CN202211209411.2在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆离子植入技术领域，具体是公开一种超薄晶圆离子植入工艺，所述离子植入工艺包括以下步骤：S1、利用带有气孔的石墨载板对超薄晶圆进行暂时吸附固定；S2、对超薄晶圆与石墨载板进行键合固定，在超薄晶圆的边缘处形成碳沉积层；S3、在位于超薄晶圆边缘处的碳沉积层上开孔；S4、利用带有夹爪的托板将超薄晶圆固定在离子植入机内；S5、在持续通入惰性气体的真空环境下，完成超薄晶圆的离子植入。本发明离子植入工艺，在离子植入前，先利用碳沉积处理将超薄晶圆键合固定在石墨载板上，然后整体放入离子植入机内，利用进气道持续供入除氮气外的惰性气体，对晶圆进行加入，利用离子发生器进行离子植入，实际加工过程可靠
一种超薄离子植入工艺

[发明专利]一种使用超薄均温板的带式相变散热设备-CN202110628206.9在审
发明人：周哲明 -专利权人：广州洛书计算机有限公司
申请日： 2021-06-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种使用超薄均温板的带式相变散热设备，由超薄均温板和散热带组成，超薄均温板的一部分折弯，作为蒸发端，安装在散热器的底座上；散热带的一侧安装在超薄均温板上，散热带的另一侧可以安装框架，保护散热带。超薄均温板可以有多个，层叠放置，散热带与超薄均温板相间安装。散热器的底座可以是普通均温板等。本发明的有益效果是：使用超薄均温板，其厚度只有0.4毫米左右，能有效的提高散热带的空间，增加散热面积，提高散热效率；超薄均温板使用折弯加工工艺，以及可以使用普通均温板作为底座，能够使加工更简单，降低生产成本
一种使用超薄均温板相变散热设备

[发明专利]一种点阵通断图形密码防拆结构-CN202310469410.X在审
发明人：管子晴;邹超 -专利权人：管子晴
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明提出一种点阵通断图形密码防拆结构，包括超薄密码组件、粘接片、电子标签主体和至少两个适配安装于电子标签主体上的电极弹力件；超薄密码组件包括至少一个可导电的超薄密码贴；超薄密码贴位于电子标签与物品之间；每一超薄密码贴均可呈不同形状，多个超薄密码贴以不同排列方式组合成不同密码组；通过多个超薄密码贴根据不同的摆放排列方式形成多样性的密码组后与电子标签主体适配安装后，使其不管用什么方法对其进行切割拆卸均会使电极弹力件与超薄密码贴的连接或断路关系发生瞬间改变
一种点阵图形密码结构

[发明专利]一种用于远距离线路的超薄高强式线缆结构-CN202211335442.2在审
发明人：季娟;何跃龙;张进;蔡克龙;杨加荣;蒋贞健 -专利权人：镇江中佳电器有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本文提出了一种用于远距离线路的超薄高强式线缆结构，超薄线缆的内部横向的设有若干线缆内芯，所述的超薄线缆包括外表层、内隔边、固定侧沿和线缆内芯，所述的外表层内部设有若干内隔边，外表层的两侧均设有固定侧沿，所述的内隔边在外表层内部为三角形的相对斜边，内隔边之间均设有线缆内芯，内隔边与外表层两侧的内部之间设有加强填料，通过在超薄线缆的内部添加三角形的内隔边，从而对超薄线缆的外表层从内部进行加强，从而防止在超薄线缆在长时间的使用过程中从内部产生断裂，并且还通过固定侧沿对超薄线缆进行固定支撑，从而保证超薄线缆的安装强度，保证其在远距离的安装时有足够的安装强度。
一种用于远距离线路超薄高强线缆结构

[发明专利]超薄反射镜的面形控制方法-CN202311140735.X在审
发明人：郭疆;李奕博;张学军;薛栋林;刘礽枞 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B7/188 文献下载
摘要：本发明涉及光学薄膜技术领域，尤其涉及一种超薄反射镜的面形控制方法，包括：S1、将超薄反射镜的中心通过法兰固定在旋转轴上；S2、驱动旋转轴进行高速自转，超薄反射镜在离心力的作用下向四周伸展，直至超薄反射镜展开为平面面形；S3、旋转轴的旋转速度保持不变，根据超薄反射镜的目标面形的曲率半径、圆锥系数和RMS，计算施加在旋转轴上的激励和目标面形的工作时间；S4、沿旋转轴的轴向施加激励，超薄反射镜在目标面形的工作时间内保持面形不变本发明提出的超薄反射镜的面形控制方法的结构简单，能够将超薄反射镜的面形控制为球面或其他二次曲面。
超薄反射控制方法

[发明专利]一种超薄高效石墨烯复合膜基锂载体及其锂金属电池应用-CN202310936567.9在审
发明人：魏浩;文逸豪;胡南滔 -专利权人：上海交通大学;芩洋科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本发明提供一种超薄高效石墨烯复合膜基锂载体及其锂金属电池应用，其制备方法包括：S1、制备多孔的氧化石墨烯；S2、制备多孔氧化石墨烯超薄膜；S3、多孔氧化石墨烯超薄膜浸渍含贵金属前驱体溶液并干燥；S4、对浸渍、干燥后的多孔氧化石墨烯超薄膜进行热还原，制备密堆砌的单原子/HrGO的复合超薄膜；S5、将熔融金属锂浸入密堆砌的单原子/HrGO的复合超薄膜，得到复合超薄膜电极。本发明制备方法有利于超薄载锂石墨烯复合薄膜电极的大规模制备，特殊的致密化纳米泡沫亲锂骨架在充放电过程中有利于缓解体积膨胀，缩短离子传输路径和抑制锂枝晶生长，在锂电池、锂硫电池、锂金属电池、全固态电池等方面具有广泛的应用前景
一种超薄高效石墨复合膜基锂载体及其金属电池应用

[发明专利]用于口罩的五防和富氧功能的聚合物超薄膜复合膜及应用-CN201310362253.9有效
发明人：黄河 -专利权人：武汉利英唯尔科学技术有限公司
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于口罩的具有五防和富氧功能的聚合物超薄膜复合膜，属于医疗卫生技术领域。聚合物超薄膜复合膜支撑层是由多孔材料制成的多孔超薄膜载体层，在所述的多孔超薄膜载体层的表面覆盖均质无孔聚合物超薄膜层，所述的均质无孔聚合物超薄膜层是由高氧气渗透率或对氧气高选择性的渗透遵守溶解扩散模型的聚合物制成的均质无孔致密层；所述的均质无孔聚合物超薄膜层的氧气对氮气的渗透系数的比率为1.5-6；所述的均质无孔聚合物超薄膜层的厚度为0.001-5微米。
用于口罩功能聚合物薄膜复合应用

[发明专利]一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法-CN201710026074.6有效
发明人：祝元坤;赵爽;田洪正;王现英;王丁 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法，先制备二维超薄结构单晶ZnO纳米材料；将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料从生长衬底转移；将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料与有机溶液或去离子水混合；超声分散二维超薄结构单晶ZnO纳米材料的溶液；将所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料溶液涂覆在半导体、绝缘、导电的衬底表面；沿所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料米材料长度方向，两端镀制金属导电电极；利用掩膜版遮挡二维超薄结构单晶ZnO纳米材料，镀制绝缘氧化物覆盖层，形成绝缘氧化物半遮盖或者对称遮盖结构，得到二维超薄结构单晶ZnO纳米紫外光探测器。
超薄结构单晶ZnO 二维纳米材料制备紫外光探测器半导体纳米绝缘氧化物高灵敏度镀制材料长度方向金属导电电极纳米材料溶液纳米紫外光超声分散衬底表面衬底转移去离子水有机溶液遮盖结构覆盖层灵敏度体积小掩膜版探测器导电涂覆绝缘遮挡遮盖半导体对称生长响应