专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种快速测量超导薄膜平均临界电流的方法-CN201710325985.9有效
  • 冯峰;母辉;瞿体明;顾晨;符其树 - 清华大学深圳研究生院
  • 2017-05-10 - 2019-04-16 - G01R33/12
  • 快速测量超导薄膜平均临界电流的方法:测量待测超导薄膜样品的几何尺寸;将待测样品冷却至超导态并进行励磁;采用磁场测量装置扫描测量待测样品几何中心区域磁感应强度B;根据B的最大值确定待测样品的几何中心点坐标;将磁场测量装置固定于几何中心点的正上方或正下方一高度h处以测量待测样品在磁场测量装置固定处产生的磁感应强度Bc;对一平均临界电流Ic已知的超导薄膜对照样品执行前述的全部步骤得到该对照样品的Bc值;根据超导薄膜的Bc与h、Ic和几何尺寸之间的关系式,基于测量得到的对照样品的所述几何尺寸、Bc值和已知的Ic值,得到h的值,再将h的值及测量得到的待测样品的几何尺寸和Bc值代入关系式,得到待测样品的Ic值。
  • 一种快速测量超导薄膜平均临界电流方法
  • [发明专利]一种高温超导体纳米结构阵列的制备方法-CN200810114986.X无效
  • 聂家财 - 北京师范大学
  • 2008-06-16 - 2008-12-10 - C30B29/22
  • 一种高温超导体纳米结构阵列的制备方法,包括如下步骤:利用脉冲激光沉积法等方法,在单晶基片上生长CeO2或YSZ缓冲层超薄膜;制得的CeO2或YSZ薄膜样品为“生长态”薄膜样品;将“生长态”薄膜样品制成带CeO2或YSZ纳米结构缓冲层的基片;在利用脉冲激光沉积法等方法在带有CeO2或YSZ纳米结构缓冲层的基片上生长高温超导薄膜本发明提出了一套简单、可行的实验方法制备缓冲层和高温超导体纳米结构及其阵列,可实现缓冲层和高温超导体纳米结构及其阵列的可控生长。
  • 一种高温超导体纳米结构阵列制备方法
  • [发明专利]测量高温超导薄膜表面本征阻抗的谐振器装置及测量方法-CN201610288877.4有效
  • 陈健;葛高炜;吉争鸣 - 南京大学
  • 2016-05-04 - 2018-11-23 - G01R27/02
  • 本发明公开了一种测量高温超导薄膜表面本征阻抗的谐振器装置及测量方法,装置分为腔体部分与高度调节部分,腔体部分包括底板、铜腔、弹簧、下样品台、介质柱、上样品台、耦合线缆、自平行球以及磷铜压片,上样品台可以通过高度调节部分实现上下移动所述压电陶瓷实现高度调整;所述腔体部分与所述高度调节部分通过聚乙烯杆和聚乙烯块相连;测量采用TE012和TE021模式,通过测量介质谐振腔的谐振频率与品质因数获得超导薄膜的本征表面阻抗本发明提供的装置适用于任意厚度的高温超导薄膜,不仅可以测量高温超导薄膜有效表面阻抗,还能测量高温超导薄膜的本征阻抗。
  • 测量高温超导薄膜表面阻抗谐振器装置测量方法
  • [发明专利]一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法-CN200710132283.5无效
  • 康琳;昌路;李阳斌;吴培亨 - 南京大学
  • 2007-09-13 - 2008-04-09 - C23C14/06
  • 本发明提供了一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法,该方法包括(a)MgO或Si或SiOx/Si单晶基片的清洗;(b)将基片放入磁控溅射系统中的样品座上,样品座采用冷却循环水进行冷却,水温度低于摄氏20度;(c)对系统进行抽真空,利用离子束清洗技术清洗基片;(d)清洗结束,系统继续抽真空;(e)溅射生长NbN薄膜。XRD、AFM、TEM研究,证实了薄膜的外延性能以及薄膜生长的连续性和致密性。Si基片上的SiOx层有助于提高超薄NbN超导薄膜超导电能,和单纯的单晶Si基片相比,其上生长的超薄NbN超导薄膜的Tc和Jc都更高。
  • 一种mgosi衬底超薄nbn超导薄膜生长方法
  • [发明专利]一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置-CN200810300259.2无效
  • 傅兴华;杨发顺;周章渝 - 贵州大学
  • 2008-01-30 - 2008-07-23 - H01L39/24
  • 本发明提供了一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置,它在二硼化镁超导薄膜上做PI屏蔽膜,经涂覆PI膜、预固化、匀光刻胶膜、腐蚀PI膜、PI膜固化热处理及腐蚀二硼化镁超导薄膜的处理后得到图形转移到二硼化镁超导薄膜上的样品,实现在二硼化镁超导薄膜上布图布线的目的。本发明提供的在二硼化镁超导薄膜上制备出各种图形和连线的方法,可与微电子制造工艺中的光刻技术完全兼容,不会增加生产设备和成本,该方法实施的工艺原理简单,容易操作,成本低廉;能够精确的控制图形的尺寸,非常适合于工业化大规模生产,对于实现MgB2超导薄膜的实际应用有重大的意义。
  • 一种二硼化镁超导薄膜布线方法装置
  • [发明专利]一种基于迈斯纳效应的超导薄膜力学特性测量装置及方法-CN201810213416.X有效
  • 刘灿华;苏航 - 上海交通大学
  • 2018-03-15 - 2020-07-10 - G01N3/08
  • 本发明公开了一种基于迈斯纳效应的超导薄膜力学特性测量装置及方法,涉及超导薄膜力学特性测试技术领域。该测量装置包括平台主体、受力传感器组件、磁铁位置调节系统和样品限位系统。受力传感器组件被设置在样品台主体上,待测样品被置于受力传感器组件上,磁铁位置调节系统和样品限位系统均被设置在样品台主体上。应用该测量装置的方法主要包括八个步骤。使用该装置可以直接对厚度为纳米级别、甚至达到单原子层厚度的超导薄膜样品的力学特性进行测量,并且利用压电陶瓷传感器替代传统的机械传感器,将力学量转变为电学量进行测量,简化了实验操作,提高了实验效率和力学测量的精度
  • 一种基于迈斯纳效应超导薄膜力学特性测量装置方法
  • [发明专利]经硼先驱薄膜实现二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置-CN200810300269.6有效
  • 傅兴华;杨发顺;周章渝 - 贵州大学
  • 2008-01-30 - 2008-07-23 - H01L39/24
  • 本发明提供了一种经硼先驱薄膜实现二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置,它在硼先驱薄膜上做PI屏蔽膜,经涂覆PI膜、预固化、匀光刻胶膜、腐蚀PI膜、PI膜固化热处理及腐蚀硼薄膜的处理后得到图形转移到硼薄膜上的样品,该样品再和少量的镁放入密封的钽坩埚中,在高纯氩气中高温退火,实现在二硼化镁超导薄膜上布图布线的目的。本发明提供的通过硼先驱膜的布图布线实现二硼化镁超导薄膜布图布线的方法,可与微电子制造工艺中的光刻技术完全兼容,不会增加生产设备和成本,该方法实施的工艺原理简单,容易操作,成本低廉;能够精确的控制图形的尺寸,非常适合于工业化大规模生产,对于实现MgB2超导薄膜的实际应用有重大的意义。
  • 先驱薄膜实现二硼化镁超导布线方法装置
  • [发明专利]一种超导薄膜磁热特性测试用可视化低温杜瓦系统-CN201310284112.X有效
  • 张兴义;刘伟;周军;周又和 - 兰州大学
  • 2013-07-08 - 2013-10-23 - G01R33/12
  • 本发明公开了一种超导薄膜磁热特性测试用可视化低温杜瓦系统,包括密封式配合安装的低温密封容器和GM制冷机,配合设置在所述低温密封容器内部的真空室、位于真空室上方的GM制冷机连接头、用于放置的待测超导样品薄膜样品放置架、以及连接在GM制冷机连接头与样品放置架之间的传热组件,分别配合安装在所述低温密封容器的上端和下端的外部光学测试系统和激光脉冲器,以及包覆在所述低温密封容器外围的磁体。本发明所述超导薄膜磁热特性测试用可视化低温杜瓦系统,可以克服现有技术中使用不方便和应用前景差等缺陷,以实现使用方便和应用前景好的优点。
  • 一种超导薄膜特性测试可视化低温系统
  • [实用新型]一种超导薄膜磁热特性测试用可视化低温杜瓦系统-CN201320402794.5有效
  • 张兴义;刘伟;周军;周又和 - 兰州大学
  • 2013-07-08 - 2013-11-27 - G01N25/00
  • 本实用新型公开了一种超导薄膜磁热特性测试用可视化低温杜瓦系统,包括密封式配合安装的低温密封容器和GM制冷机,配合设置在所述低温密封容器内部的真空室、位于真空室上方的GM制冷机连接头、用于放置的待测超导样品薄膜样品放置架、以及连接在GM制冷机连接头与样品放置架之间的传热组件,分别配合安装在所述低温密封容器的上端和下端的外部光学测试系统和激光脉冲器,以及包覆在所述低温密封容器外围的磁体。本实用新型所述超导薄膜磁热特性测试用可视化低温杜瓦系统,可以克服现有技术中使用不方便和应用前景差等缺陷,以实现使用方便和应用前景好的优点。
  • 一种超导薄膜特性测试可视化低温系统

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