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[发明专利]后段制造工艺的钝化层结构及其制造方法-CN202011356145.7有效
发明人：林宛瑶;陈旷举;杨炯仕 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种后段制造工艺的钝化层结构及其制造方法。所述钝化层结构包括具有多条导线结构的半导体芯片、第一氧化层、旋涂式玻璃层、第二氧化层以及氮化物层。这些导线结构之间具有大于1.5的深宽比。第一氧化层则共形地沉积于导线结构的表面与半导体芯片的表面。旋涂式玻璃层位于每两条导线结构之间的第一氧化层上，且旋涂式玻璃层具有U型截面与0.3～0.8的第二深宽比。第二氧化层共形地沉积于第一氧化层的表面与旋涂式玻璃层的表面，氮化物层则位于第二氧化层上。
后段制造工艺钝化结构及其方法

[发明专利]电池及其制备方法-CN202211143139.2在审
发明人：徐聪;付少剑;郁寅珑;张明明 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该电池的制备方法包括：在硅片的第一表面进行硼扩散，形成PN结；在形成PN结后的硅片的第一表面形成多孔硅层；对表面形成多孔硅层的硅片中除掩膜层覆盖区域之外的区域进行刻蚀处理；对刻蚀处理后的硅片进行高温热氧化处理，得到选择性发射极；在硅片背离第一表面的第二表面沉积隧穿氧化层和多晶硅层，使得沉积后的隧穿氧化层和多晶硅层组成TopCon结构；在硅片的第一表面形成氧化铝钝化层；在氧化铝钝化层上形成氮化硅、氮氧化硅、氧化硅叠层减反射膜层；在硅片的第二表面形成氮化硅钝化层；在选择性发射极对应的位置进行丝网印刷并烧结形成电极，得到电池。
电池及其制备方法

[发明专利]一种非晶硅表面氧化层形成方法-CN201410819897.0在审
发明人：戴天明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅表面氧化层形成方法，其包括以下步骤：使用氢氟酸清洗所述非晶硅的表面；使用水清洗经过氢氟酸清洗的所述非晶硅的表面；对水清洗后的所述非晶硅的表面干燥；采用极紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化层；采用氧化性溶液清洗具有所述氧化层的非晶硅的表面二形成第二氧化层；对具有第二氧化层的所述非晶硅的表面进行干燥。采用极紫外光刻方式在所述非晶硅的表面形成第一氧化层，进而使所述非晶硅表面亲水性强，水的分布均匀。
一种非晶硅表面氧化形成方法

[实用新型]一种抗氧化抗腐蚀油缸油管-CN201921857449.4有效
发明人：杨著 -专利权人：长沙市中炬机械设备有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： F16L58/08 文献下载
摘要：本实用新型一种抗氧化抗腐蚀油缸油管，包括管体、设置在管体内表面的膜层和设置在管体外表面的耐磨层；所述膜层由抗氧化膜层和抗腐蚀膜层组成；所述抗氧化膜层在管体内表面和抗腐蚀膜层之间；所述抗氧化膜层为聚乙烯基材薄膜和金属薄膜复合层；所述抗腐蚀膜层为硒、镍、锡合金层；所述耐磨层为氧化铝含量为60％的陶瓷膜层。
一种氧化腐蚀油管

[发明专利]图像传感器的制备方法-CN202210851456.3在审
发明人：程刘锁;张继亮;钱江勇 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器的制备方法，包括：提供一衬底(基底和外延层)，所述衬底包含：像素区和逻辑区；在外延层上形成牺牲氧化层；执行离子注入工艺以在像素区的所述外延层中形成光电二极管区；去除所述逻辑区的外延层表面上的牺牲氧化层；在所述逻辑区的外延层表面上形成栅氧化层。本申请通过保留像素区的外延层表面的牺牲氧化层并去除逻辑区的外延层表面上的牺牲氧化层，再通过在逻辑区的外延层表面上直接形成栅氧化层，避免了后续Plasma、湿法等工艺对外延层表面造成损伤的情况，保护了像素区
图像传感器制备方法

[发明专利]一种表面等离激元窄带梳状滤波器-CN202110788372.5有效
发明人：赵洪霞;程培红;丁志群 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面等离激元窄带梳状滤波器，其包括下层硅膜层、上层石墨烯层、顶层二氧化硅层，下层硅膜层的宽度方向上的中间区域上开设有贯穿其上下表面的单缝，被单缝分成左侧硅膜层和右侧硅膜层，单缝内自下而上依次填充有石墨烯和二氧化硅，形成在下面的石墨烯填充层和在上面的二氧化硅填充层，石墨烯填充层的上表面与二氧化硅填充层的下表面之间不存在空隙，上层石墨烯层贴合设于左侧硅膜层的上表面、二氧化硅填充层的上表面及右侧硅膜层的上表面上，顶层二氧化硅层贴合设于上层石墨烯层的上表面上，且顶层二氧化硅层的宽度方向的中心位置与上层石墨烯层的宽度方向的中心位置对齐；优点是单信道带宽窄，且结构简单，易于片上集成。
一种表面离激元窄带滤波器

[发明专利]一种MOS管的制造方法及一种MOS管-CN201110448924.4有效
发明人：贺冠中;陈建国;张枫;徐顺强 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种MOS管的制造方法及一种MOS管，其中，所述MOS管制造方法，用于对包括有二氧化硅层，以及在所述二氧化硅层表面形成的相互间有间隔的至少一块多晶硅块的MOS管进行加工，所述方法包括：在所述多晶硅块的表面和侧壁，以及所述二氧化硅层的表面形成侧壁氧化层；在所述侧壁氧化层表面形成间隔氧化层。
一种 mos 制造方法

[发明专利]铝合金壳体及其制备方法和个人电子设备-CN201611265161.9有效
发明人：廖重重;王钰;陈梁;熊雄 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C25D11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝合金壳体及其制备方法和个人电子设备，该铝合金壳体包括铝合金基体(1)和覆盖在所述铝合金基体(1)表面的氧化膜层(2)；所述铝合金基体(1)上具有狭缝(3)，所述氧化膜层(2)包括内层阳极氧化膜层(21)以及外层阳极氧化膜层(22)；所述内层阳极氧化膜层(21)具有内层阳极氧化膜层纳米孔；所述外层阳极氧化膜层(22)具有外层阳极氧化膜层纳米孔。该铝合金壳体从壳体外侧表面看为连续的金属层，金属层中的狭缝可用于作为天线槽。金属层表面的氧化膜层起到了良好的遮蔽作用，使得狭缝表观不可见，壳体整洁光滑，具有较好的金属质感。
阳极氧化膜层铝合金壳体铝合金基体氧化膜层内层狭缝个人电子设备金属层纳米孔制备壳体外侧表面金属层表面金属质感不可见天线槽壳体可用遮蔽光滑整洁覆盖

[发明专利]一种射频VDMOS晶体管的栅与场板结构及其制备方法-CN202211086104.X在审
发明人：赵杨杨;刘洪军 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是一种射频VDMOS晶体管的栅与场板结构及其制备方法，包括硅衬底、外延层，其中，所述外延层位于所述硅衬底之上；氧化层，其中所述氧化层位于所述外延层表面的部分区域；栅氧化层，所述栅氧化层位于所述氧化层以外的外延层表面；多晶硅，所述多晶硅位于所述氧化层表面以及两侧的栅氧化层表面。
一种射频 vdmos 晶体管板结及其制备方法

[发明专利]P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910032751.0无效
发明人：孙伟锋;贾侃;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设P型掺杂半导体区，P型掺杂半导体区上设N阱和P型漏区，N阱上设P型源区和N型接触区，P阱表面设栅氧化层且自N阱延伸至P型掺杂半导体区，N阱表面的P型源区、N型接触区和栅氧化层以外区域及P型掺杂半导体区表面的P型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅且延伸至场氧化层的表面，场氧化层、N型接触区、P型源区、多晶硅栅及P型漏区的表面设氧化层，P型源区、N型接触区、多晶硅栅和P型漏区上连金属层，在N阱和P型漏区之间的P型掺杂半导体区上设上槽区，在P型掺杂半导体区和埋氧化层的接触的地方设下槽区。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910032752.5无效
发明人：钱钦松;刘斯扬;孙伟锋;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设N型掺杂半导体区，N型掺杂半导体区上设P阱和N型漏区，P阱上设N型源区和P型接触区，P阱表面设栅氧化层且自P阱延伸至N型掺杂半导体区，P阱表面的N型源区、P型接触区和栅氧化层以外区域及N型掺杂半导体区表面的N型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅且延伸至场氧化层的表面，场氧化层、P型接触区、N型源区、多晶硅栅及N型漏区的表面设氧化层，N型源区、P型接触区、多晶硅栅和N型漏区上连金属层，在P阱和N型漏区之间的N型掺杂半导体区上设上槽区，在N型掺杂半导体区和埋氧化层的接触的地方设下槽区。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]黑色氧化锆陶瓷、黑色氧化锆陶瓷壳体及其制备方法-CN201711316426.8有效
发明人：刘兵;孙坤;肖志强 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本公开是关于一种黑色氧化锆陶瓷、黑色氧化锆陶瓷壳体及其制备方法。黑色氧化锆陶瓷的制备方法，包括：提供黑色氧化锆陶瓷基片；在黑色氧化锆陶瓷基片的第一表面制备形成离子注入层；在离子注入层的表面制备形成光学镀膜层，以提高黑色氧化锆陶瓷基片在可见光范围内的透过率，得到黑色氧化锆陶瓷本公开通过在黑色氧化锆陶瓷表面制备离子注入层，可以对黑色氧化锆陶瓷的表面进行强化，在离子注入层的表面制备形成光学镀膜层，可以改变黑色氧化锆陶瓷表面的反射和透射特性，减弱或消除黑色氧化锆陶瓷本身的灰黄相，美化黑色氧化锆陶瓷的外观效果，还可以提高黑色氧化锆陶瓷在可见光范围内的透过率，提升黑色氧化锆陶瓷的外观质感。
黑色氧化锆陶瓷壳体及其制备方法

[发明专利]一种纸箱防破裂处理方法-CN201910140172.1在审
发明人：李万迪 -专利权人：苏州坤宇包装制品有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B65D25/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种纸箱处理方法，具体涉及一种纸箱防破裂处理方法，包括如下步骤：在纸箱的纸板表面涂布一层氧化硅；涂布时，氧化硅的温度为800摄氏度；使氧化硅固化，先在400‑500摄氏度下固化5‑10分钟，然后在100‑200摄氏度固化2‑5分钟，最后在20‑30摄氏度下固化10分钟，形成氧化硅层；对氧化硅层进行表面整平处理；在氧化硅层的表面再涂布一层保护油漆。本发明的有益之处在于：采用多步固化方法，使得氧化硅层硬度高，使纸箱有较好的防撞裂性能；对氧化硅层进行表面整平处理，使表面平整。
氧化硅层纸箱固化氧化硅整平处理防破裂表面平整纸板表面防撞油漆

[发明专利]一种带钢去氧化层设备-CN201410525267.2在审
发明人：陈孝炎 -专利权人：巢湖广丰金属制品有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： B08B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带钢去氧化层设备，包括进料装置、限位装置、除层装置、冲洗装置、收卷装置，限位装置在水平和竖直方向上对平面带钢进行限位，第二驱动机构驱动铲除机构铲除平面带钢表面的氧化层，第三驱动机构驱动扫尘机构将从平面带钢表面铲除的氧化层粉尘扫起，并驱动吸尘机构吸除被扫起的氧化层粉尘，然后冲洗装置进行冲洗。本发明提出的带钢去氧化层设备，对带钢表面的氧化层进行铲除、粉尘收集、带钢清洗，从而能够彻底去除带钢表面的氧化层，并且工作效率高，工作过程无污染，同时使得经去除的氧化层能够被回收利用。
一种带钢氧化设备

[发明专利]防静电膜及防静电膜的制备方法-CN201711330241.2在审
发明人：张迅;易伟华;郑芳平 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：一种防静电膜，包括基板；透光层，所述透光层包括层叠于所述基板表面的五氧化二铌层及层叠于所述五氧化二铌远离所述基板表面的二氧化硅层；防静电层，所述防静电层层叠于所述二氧化硅层远离所述五氧化二铌层的表面，所述防静电层为ITO层；及防腐蚀层，所述防腐蚀层层叠于所述放静电层远离所述二氧化硅层的表面，所述防腐蚀层为ATO层。上述防静电膜及防静电膜的制备方法，在TFT玻璃中，能够避免玻璃表面的氟硅酸盐物质对ITO层造成侵蚀，同时在ITO层上层叠ATO层，能避免ITO层被空气中的潮湿和酸碱物质侵蚀；且五氧化二铌层和二氧化硅层能组成光学高透膜
静电制备方法