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[发明专利]保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片-CN201780017025.4在审
发明人：稻男洋一;小桥力也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。所述保护膜形成用膜为能量射线固化性，照射能量射线从而制成保护膜时，保护膜的至少一侧的表面(β’)的最大剖面高度(Rt)小于10μm。所述保护膜形成用复合片具备支撑片，在支撑片上具备所述保护膜形成用膜，对保护膜形成用膜照射能量射线从而制成保护膜时，成为保护膜的表面(β’)的、保护膜形成用膜的表面(β)面向支撑片。
保护膜形成保护膜复合片支撑片照射能量射线能量射线固化性

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的工件与带保护膜的工件加工物的制造方法-CN202210842590.7在审
发明人：野岛一马 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及保护膜形成膜(13)、具备保护膜形成膜(13)的保护膜形成用复合片、使用了保护膜形成膜(13)或保护膜形成用复合片的带保护膜的工件的制造方法、以及带保护膜的工件加工物的制造方法，所述保护膜形成膜(13)为热固性的保护膜形成膜(13)，即使在保护膜形成膜(13)的表面形成有瑕痕时，也能够使将保护膜形成膜(13)热固化后的保护膜的表面的瑕痕不明显。
保护膜形成复合工件加工制造方法

[发明专利]半导体基板的保护膜形成方法-CN201780021006.9有效
发明人：坂井伸;仮屋崎弘昭;青木龙彦;荒木浩司 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供了在从研磨头剥离半导体基板时新形成表面活性剂溶液的保护膜由此抑制颗粒等杂质的附着并抑制LPD数的恶化的半导体基板的保护膜形成方法。本发明的半导体基板的保护膜形成方法包括：第一保护膜形成工序Y1，所述第一保护膜形成工序Y1对研磨的半导体基板的表面进行利用表面活性剂溶液的亲水化处理，由此，形成保护膜；以及第二保护膜形成工序Y2，所述第二保护膜形成工序Y2在所述第一保护膜形成工序Y1之后，在所述研磨的半导体基板的至少表面与由表面活性剂溶液所形成的保护膜形成处理液的液面相接的状态下，从研磨头剥离半导体基板，并且将研磨的半导体基板浸渍于所述保护膜形成处理液，由此，在半导体基板的表面和背面形成保护膜。
半导体保护膜形成方法

[发明专利]保护膜形成用片及保护膜形成用片的加工方法-CN202110737279.1在审
发明人：野岛一马;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C09J7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用片及加工该保护膜形成用片的方法，所述保护膜形成用片即使在使用切割刀片切出保护膜形成膜的情况下，保护膜形成膜与支撑膜之间的浮起的形成也得以抑制。所述保护膜形成用片具有保护膜形成膜、与以可剥离的方式配置于保护膜形成膜的一个主面上的第一剥离膜，23℃下的保护膜形成膜的探针粘性值小于6200mN，23℃下的第一剥离膜的与保护膜形成膜相接的面的表面弹性模量为17MPa以下，探针粘性值与表面弹性模量之积为66000以下。
保护膜形成加工方法

[发明专利]保护膜的形成方法、半导体芯片的制造方法及涂布液的制备方法-CN202210884323.6在审
发明人：大久保明日香 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及保护膜的形成方法、半导体芯片的制造方法及涂布液的制备方法。提供：在半导体晶片的切割中在半导体晶片的表面形成保护膜的保护膜的形成方法，即使在制造保护膜形成剂后时间经过也能抑制形成的保护膜的异物；采用该保护膜的形成方法的半导体芯片的制造方法；和可用于前述保护膜的形成方法的涂布液的制备方法在半导体晶片的切割中在半导体晶片的表面形成保护膜的保护膜的形成方法，其具有：保护膜形成剂准备工序，准备保护膜形成剂，其包含水溶性树脂、吸光剂和溶剂，溶剂包含水，且固态成分浓度为20质量％以上；涂布液制备工序，对保护膜形成剂进行稀释制备涂布液；和保护膜形成工序，将涂布液涂布于半导体晶片上形成保护膜。
保护膜形成方法半导体芯片制造涂布液制备

[实用新型]一种防滑装修保护膜-CN202122430932.8有效
发明人：田丙军;邢继坡 -专利权人：泛飞（沈阳）复合材料有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B32B27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及装修保护膜，具体说是一种防滑装修保护膜。包括基层，所述基层上表面设有保护膜；所述保护膜表面通过热压形成具有凹凸结构的压纹。本产品在普通装修保护膜生产过程中进行先进的热压成纹技术，使地面装修保护膜表面上形成了轧花纹路，解决了保护膜表面光滑的问题。从而达到防滑的效果。
一种防滑装修保护膜

[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片-CN201780011276.1有效
发明人：小桥力也;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。
保护膜形成复合

[发明专利]基板的处理膜表面粗糙度的改善方法及基板的处理装置-CN200480012665.9有效
发明人：稻富裕一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的目的在于改善形成于晶片上的保护膜的表面粗糙度。在涂布显影处理系统中，将表面形成有保护膜、进行了曝光、显影处理后的晶片(W)调整到规定的温度。对温度调节后的晶片(W)的表面供给溶剂气体，使保护膜的表面溶解。之后加热晶片(W)，使保护膜中的溶剂挥发，烘干保护膜。通过此方法，使保护膜的表面的凹凸处平整，保护膜的表面粗糙度得以改善。
处理表面粗糙改善方法装置

[实用新型]保护晶圆表面的装置-CN201320879155.8有效
发明人：张贺丰;高玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种保护晶圆表面的装置，所述装置在晶圆制造过程中需要长期存放或运输时在晶圆表面形成保护膜，所述装置包括保护膜形成系统、保护膜去除系统，所述保护膜成型系统包括保护液供给模块、保护液成型模块，所述保护液供给模块用于将有机溶液供给到晶圆表面，晶圆表面的有机溶剂在所述保护液成型模块中液体成型形成保护膜；所述保护膜去除系统将保护膜从晶圆表面去除。这样，能防止在教长时间的存放或运输时在晶圆表面形成缺陷，提高产品的良率和可靠性。
保护表面装置

[发明专利]MEMS器件及其制造方法-CN201811611783.1在审
发明人：季锋;刘琛;葛俊山;闻永祥 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：该制造方法包括在第一衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成质量块；去除部分质量块形成第一凹槽；经由第一凹槽去除部分牺牲层形成到达第一衬底的表面的空腔；在质量块上形成第一键合区；形成保护膜，保护膜覆盖第一键合区、质量块与第一衬底的表面以及第一凹槽的侧壁；以及去除部分保护膜，其中，在去除保护膜的步骤中，位于第一凹槽的侧壁的保护膜、位于质量块与第一衬底相对的表面的保护膜以及位于第一衬底表面的保护膜因被质量块遮挡而被保留该制造方法在去除保护膜的步骤中，清洁第一键合区上的保护膜，达到了提高封装质量的目的。
保护膜质量块去除衬底键合区牺牲层制造侧壁保护膜覆盖衬底表面空腔封装遮挡清洁保留申请

[发明专利]具保护膜的导光板的加工方法、加工设备及其导光板-CN202010018007.1有效
发明人：李明彦 -专利权人：上海向隆电子科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具保护膜的导光板的加工方法、加工设备及其导光板，导光板具有本体、第一保护膜及第二保护膜，第一保护膜覆设于本体的上表面，第二保护膜覆设于本体的下表面。雷射加工上表面的一第一隅角以形成一第一剥离部，第一剥离部因第二保护膜及部分的本体而形成部分连接状态。接着翻转导光板使下表面朝上，并雷射加工下表面的一第二隅角以形成一第二剥离部，第二剥离部因第一保护膜及部分的本体形成部分连接状态。由此，剥除第一剥离部使第二保护膜移除并于本体形成一第一定位缺口，剥除第二剥离部使第一保护膜移除并于本体形成一第二定位缺口，而便于撕除保护膜与组装形成背光模块。
保护膜导光板加工方法设备及其

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片及装置的制造方法-CN202110047614.5在审
发明人：野岛一马 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在形成有保护膜的芯片等工件的加工品进一步被树脂密封的情况下，也能够提高密封树脂与保护膜之间的粘合可靠性的保护膜形成膜及保护膜形成用复合片、以及使用该保护膜形成用复合片制造装置的方法。所述保护膜形成膜是用于形成保护膜的保护膜形成膜，且以260℃加热5分钟后的保护膜的表面粗糙度Ra1为200nm以下。
保护膜形成复合装置制造方法

[发明专利]保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201780013457.8有效
发明人：山本大辅;米山裕之;小桥力也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的保护膜形成用片在支撑片上具备保护膜形成层、且在该保护膜形成层上具备剥离膜而成，该支撑片的与具备该保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的该支撑片的上述表面和该剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为
保护膜形成制造方法半导体装置

[发明专利]保护膜形成用化学溶液-CN201611028598.0有效
发明人：斋藤真规;荒田忍;斋尾崇;公文创一;七井秀寿;赤松佳则 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及保护膜形成用化学溶液。本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。
保护膜形成化学溶液

[发明专利]保护膜形成用复合片卷-CN202010657070.X在审
发明人：山本大辅 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用复合片卷，其为将保护膜形成用复合片卷绕成卷状而构成的保护膜形成用复合片卷，所述保护膜形成用复合片具备支撑片、设置于所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜、及设置于所述保护膜形成用膜的与所述支撑片侧为相反侧的面上的剥离膜，以使所述保护膜形成用复合片的所述剥离膜侧的最表面为卷的径向上的最外侧的面的方式，将所述保护膜形成用复合片卷绕成卷状。
保护膜形成复合

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