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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710122884.8有效
发明人：林哲也;星正胜;下井田良雄;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：制备由半导体材料制成的半导体衬底，并在半导体衬底上形成异质半导体区，以在异质半导体区和半导体衬底之间的界面处形成异质结。异质半导体区由带隙与该半导体材料的带隙不同的半导体材料制成，异质半导体区的一部分包括膜厚薄于异质半导体区的其它部分的膜厚的膜厚控制部分。通过以等于膜厚控制部分的膜厚的厚度氧化异质半导体区，形成与异质结相邻的栅绝缘膜。在栅绝缘膜上形成栅电极。这使得可以制造包括具有较低的导通电阻以及较高的绝缘特性和可靠性的栅绝缘膜的半导体装置。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种集成多孔膜微流控芯片及制备方法-CN202210002235.9有效
发明人：冯世伦;赵建龙;杨俊强 -专利权人：上海前瞻创新研究院有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种集成多孔膜微流控芯片以及制备方法，属于生物微流控领域，包括芯片基体，所述芯片基体中形成有微流道，所述微流道中设有异质膜，所述异质膜至少包括第一异质膜与第二异质膜，所述第一异质膜与第二异质膜孔径不同，且第一异质膜与第二异质膜之间形成富集腔。其中异质膜可采用至少两种不同孔径的多孔膜和/或与微流控不同材质的多孔膜，能够即时定点(POCT)在封闭状态下进行特定粒径细胞或者细菌的高精度、低损失的筛选和富集，并提供一种简单的集成多孔膜微流控芯片的制备方法
一种集成多孔膜微流控芯片制备方法

[发明专利]半导体结构的制备方法、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202210238505.6在审
发明人：罗晓菊;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该半导体结构的制备方法包括：提供异质衬底；于异质衬底的背面形成膜层，膜层的热膨胀系数小于异质衬底的热膨胀系数；将异质衬底及膜层加热至氮化镓生长温度，异质衬底向正面凸起，以使得异质衬底的正面为凸起正面；并于氮化镓生长温度下在异质衬底的凸起正面形成氮化镓层该半导体结构的制备方法通过在形成氮化镓层之前，先于异质衬底的背面形成热膨胀系数小于异质衬底的膜层，能够制备凸起型的异质衬底，使得后续能够在凸起型的异质衬底形成氮化镓层，这样的氮化镓层被剥离后，能够在其内部位错的影响下
半导体结构制备方法支撑氮化及其

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200680028008.2有效
发明人：下井田良雄;林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法与应用-CN202111589823.9在审
发明人：庞雪辉;吕晓奕;解建东;庞迎新 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N27/27 文献下载
摘要：本发明属于生物传感检测技术领域，涉及基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法与应用；包括两个对立设置的导电基板，一个导电基板设置两个相互绝缘的反应室，一个反应室表面设置第一异质结光响应膜层，另一个反应室表面设置第二异质结光响应膜层；另一个导电基板为辅助电极；第一异质结光响应膜层的表面和第二异质结光响应膜层的表面均设置特异性探针，第一异质结光响应膜层由Cu2O膜层与聚三噻吩膜层形成，第二异质结光响应膜层由
基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法应用

[实用新型]基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件-CN202121948782.3有效
发明人：曹荣根 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本实用新型属于光电器件技术领域，具体为一种基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件。该光电器件包括绝缘衬底、ZrNBr/ZrNCl面内异质结、第一电极和第二电极；面内异质结层位于绝缘衬底的表面上；面内异质结表面上设有防反射膜，防反射膜的两侧连接第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极面内异质结连接，光通过防反射膜进异质结使之发生光伏效应，得到稳定的光电流，这对发展光电池有重要的意义。此外，设置防反射膜可以实现较高的光电转换效率。
基于二维 zrnbr zrncl 面内异质结光电器件

[发明专利]异质结电池的制备方法及异质结电池-CN202210383405.2在审
发明人：庄挺挺;徐昕;李建清;辛科;李晨 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及异质结电池技术领域，具体提供一种异质结电池的制备方法及异质结电池。该异质结电池的制备方法，包括：形成半导体衬底层，半导体衬底层的正面和/或背面为抛光面；在半导体衬底层的抛光面一侧形成透明导电膜；对透明导电膜进行刻蚀，以在透明导电膜背离抛光面的一侧表面形成减反射结构。该异质结电池中半导体衬底层的表面比较平整，即使生长较薄的透明导电膜均匀性也较好，透明导电膜对电流的引出比较均匀，能够提高透明导电膜对电流的收集能力；由于无须对半导体衬底层进行制绒清洗制绒处理，半导体衬底层较厚，较厚的半导体衬底层能够产生更多的电子和空穴对，从而能够产生较大的电流，提高异质结电池的开路电压。
异质结电池制备方法

[实用新型]基于一维金属/碳纳米管同轴异质结的超级电容-CN201120197235.6无效
发明人：米振宇;陈厚尊;王瑞丽;张迎九;金亮亮;黄迪 -专利权人：郑州大学
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于一维金属/碳纳米管同轴异质结的超级电容，其中，包括银膜、金属纳米线、碳纳米管、隔离物和电解液层，所述碳纳米管和金属纳米线组成一维同轴异质结，在此同轴异质结沉积有金属纳米线的一端设置银膜；两组带银膜的同轴异质结相对设置，有银膜一侧向外，两组带银膜的同轴异质结间设置隔离物；在所述两组带银膜的同轴异质结间填充电解液层。
基于金属纳米同轴异质结超级电容

[发明专利]一种有机单晶异质结复合膜、其制备方法及用途-CN202080003261.2有效
发明人：李寒莹;伍瑞菡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：有机单晶异质结复合膜是由双层或多层有机半导体单晶薄膜堆叠在一起构成。所述的有机单晶异质结复合膜中至少有两层相邻的有机单晶薄膜之间具有高效贴合性。有机单晶异质结复合膜具有分子排列高度有序、本体缺陷少、载流子在单晶层中传输快、激子传输距离长、可以实现光电功能集成和柔性制备等优点。一种有机单晶异质结复合膜的生长方法，制备得到了高质量的有机单晶异质结复合膜，在传感器、光电探测器、太阳能电池、显示器、记忆存储器、互补电路等领域有着广泛的应用前景。
一种有机单晶异质结复合制备方法用途

[发明专利]一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、锁膜光纤激光器-CN201610387349.4在审
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本发明还提供了一种异质结可饱和吸收镜的制备方法，包括如下步骤：衬底制将衬底抛光；将所述衬底置于反应室内，采用CVD法在所述金膜层上依次镀上所述至少两层可饱和吸收层，形成异质结薄膜；在所述异质结薄膜表面镀上保护膜层本发明提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收及其制备方法光纤激光器

[发明专利]异质结电池的制备方法及异质结电池-CN202111665730.X在审
发明人：陈海燕;蒋方丹;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池的制备方法及异质结电池，异质结电池的制备方法包括以下步骤：制备异质结电池的主体结构，主体结构的表层为透明导电膜层；在透明导电膜层上形成金属种子层；在金属种子层上形成掩膜；在金属种子层上形成电极区域这样，通过在金属种子层上形成有掩膜，且在金属种子层上形成有电极区域，金属电极适于构建在电极区域内，由于电极区域设置于在金属种子层上，以使金属电极适于与主体结构进行连接。此外，在异质结电池的生产过程中未使用有机物，以使异质结电池的生产过程中所产生的有机废水得到降低甚至消除，从而节省对有机废水进行处理时所消耗的资源，降低异质结电池的生产成本。
异质结电池制备方法

[发明专利]异质结太阳电池的性能测试方法-CN202310410677.1在审
发明人：高永强 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳电池的性能测试方法，包括如下步骤：提供异质结太阳电池片；对异质结太阳电池片依次进行退火处理和光注入处理；对光注入处理后的异质结太阳电池片进行光电转换效率衰减测试。本发明的性能测试方法能够很好地反映电池片中的膜层本身致密性以及膜层之间的界面接触性对电池片的效率衰减影响情况，真实地反映电池片中膜层致密性和膜层之间界面接触性情况，为异质结太阳电池片的生产工艺调整优化提供支撑
异质结太阳电池性能测试方法

[发明专利]一种荷电异质层状膜及其制备方法与应用-CN202211403407.X在审
发明人：王景涛;李文鹏;吴晓莉;武文佳;陈冲冲 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明属于海水脱盐技术领域，公开了一种荷电异质层状膜及其制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：步骤1，制备荷电异质纳米片；步骤2，将荷电异质纳米片稀释到一定浓度后，通过低压抽滤制备成具有规则通道的荷电异质层状膜本发明制备的荷电异质结构层状膜，依靠正电荷纳米域和负电荷纳米域形成的纳米静电场，可表现出比传统正电荷和负电荷层状膜显著优异的海水脱盐性能和机械稳定性，适应于海水脱盐应用。
一种荷电异质层状及其制备方法应用

[发明专利]异质结太阳能电池及光伏组件-CN202011035202.1在审
发明人：张美荣;姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及异质结太阳能电池中，背光面的第二透明导电膜层包括第一TCO膜以及设置于第一TCO膜一表面的第二TCO膜，第一TCO膜中的掺杂剂含量小于第二TCO膜中的掺杂剂含量，且第一TCO膜的厚度大于第二TCO膜的厚度；基于本发明异质结太阳能电池的具体结构，能够在极大程度避免增加第二透明导电膜层与其它膜层之间接触电阻的同时，提高第二透明导电膜层的透光性，进而实现异质结太阳能电池背面短路电流的提升及双面率的优化
异质结太阳能电池组件

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