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[发明专利]CMOS图像传感器电路结构及其制作方法-CN200910083525.5有效
发明人：高文玉;陈杰;旷章曲 -专利权人：北京思比科微电子技术有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器电路结构及其制作方法，包括浮动节点、MIP电容器，浮动节点包括PN结电容器，PN结电容器的上方设有由金属层构成的遮光层；MIP电容器自下而上包括下电极多晶硅、绝缘介质层和上电极金属层，形成该电容器同时，在浮动节点的PN结电容器的上面也形成由金属层构成的遮光层，可反射或吸收散射光和反射光，使其不能进入浮动节点，从而降低图像传感器的光学串扰和噪声。由于MIP电容器与遮光层处于CMOS图像传感器电路结构的同一层次上，可以通过一次沉积完成，简化了工艺。
cmos 图像传感器电路结构及其制作方法

[发明专利]Buck降压转换器衬底噪声的被动消除方法-CN200810173862.9有效
发明人：赵宏伟;杨健;郑健华;毛威;李菁 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明给出了一种使用片内电容器的被动消除方法来减小Buck降压转换器中的衬底噪声。在根据本发明的Buck降压转换器中，增加一个适当的电容器(C1)，以获得幅度相近、相位相反的噪声，从而在衬底中取得更好的噪声消除的效果。所增加的电容器可以通过MOS电容器、NMOS隔离环n阱电容器、n阱结电容器、隔离p阱结电容器等来实现。与现有技术不同，本发明利用电容，从而易于实现；同时，利用Buck降压转换器中的接线寄生电感，减小了衬底噪声。
buck 降压转换器衬底噪声被动消除方法

[发明专利]制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法-CN200910244525.9有效
发明人：万里兮;吕壵;王惠娟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。
制作具有电极电感 pn 电容器方法

[发明专利]包括具有减小的寄生电容的电容器的电压升压电路-CN99804815.1无效
发明人： G·马恩菲尔德特 -专利权人：阿斯特拉曾尼卡有限公司
申请日： 1999-03-30 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：集成电路的一种电容器结构,该结构包括一个主电容器和一个寄生电容器,包括一个第一种导电类型的衬底(2000);第一个介电层(2040);部署在第一个介电层(2040)上的第一个导电层(2010),上述第一个导电层(2010)形成主电容器的第一个板极和寄生电容器的第一个板极;部署在第一个导电层(2010)上的第二个介电层(2020);以及部署在第二个介电层(2020)上的第二个导电层(2030),第二个导电层(2030)形成主电容器的第二个板极;其特征在于,该电容器结构进一步包括部署在衬底(2000)内的一个阱(2100),该阱是与上述第一种类型相反的第二种导电类型的,第一个介电层(2040)部署在阱(2100)上,而阱(2100)形成寄生电容器的第二个极极,并与衬底(2000)形成另外一个结电容器,该构造使得寄生和结电容器相互串联,并与主电容器串联,从而减小杂散电容。
包括具有减小寄生电容电容器电压升压电路

[发明专利]半导体振动抑制电路-CN202080032311.X在审
发明人：汤川文夫;五十岚征辉 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-10-07 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：半导体振动抑制电路(1)具备宽带隙半导体元件(111a)和电容器(13)，该电容器(13)与宽带隙半导体元件(111a)并联连接，具有比宽带隙半导体元件(111a)的结电容大的容量。
半导体振动抑制电路

[发明专利]利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法-CN200910077360.0有效
发明人：万里兮;吕垚;李宝霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结；在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法本发明制作的电容器，具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺过程简单等优点，该电容还具有对静电和电涌的防护功能，可广泛用于高频高速高功率电子系统中。
利用半导体 pn 电容构成电容器及其制作方法

[发明专利]一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法-CN201810761016.2在审
发明人：何创创;庞锦标;班秀峰;刘婷;李小东;韩玉成 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法，制备方法包括：以钛酸钡体系的低烧X7R瓷料作为主基材，将氧化剂以及玻璃烧结助剂按比例砂磨混合，砂磨混合之后进行烘干处理得到干燥混合物；将干燥混合物预烧处理之后，干燥粉碎细化得到多层低温烧结电容器瓷粉；将多层低温烧结电容器瓷粉、无水乙醇、分散剂、消泡剂以及粘合剂混合球磨，得到浆料，将浆料倒在流延机注入口的PET载膜上，通过刮刀、加热区后形成稳定且具有韧性的微米级厚度陶瓷膜带，即通过产品结构参数的模拟设计、低烧陶瓷介质瓷料的开发、填孔金浆与内电极金浆的应用、端面电极形成方式等工艺技术，制备得到集合MLCC与SLC优点于一体的电容元器件。
制备低温烧结电容器瓷干燥混合物芯片电容器金电极瓷料多层浆料金浆片式砂磨通孔玻璃烧结助剂氧化剂电容元器件粘合剂混合端面电极干燥粉碎工艺技术烘干处理模拟设计陶瓷介质陶瓷膜带无水乙醇预烧处理分散剂加热区流延机内电极微米级消泡剂注入口钛酸钡刮刀基材球磨填孔细化载膜产品结构集合应用开发

[发明专利]确定半导体衬底温度的方法和装置-CN200780013829.3有效
发明人：斯丹·科尔迪克;麦因迪特·M·鲁宁伯格;让-菲利普·雅克曼 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G01K7/32 文献下载
摘要：通过结电容器(11)和电感器(12)形成配置在半导体衬底上的谐振电路(110)。将衬底放置在夹具上，并且使用辐射装置(200)产生的电磁场(5)的电磁能量照射谐振电路(110)。由于结电容器(11)对温度的更高的灵敏度，根据本发明的方法和装置更准确地确定半导体衬底的温度。
确定半导体衬底温度方法装置

[发明专利]改进的电极、内层、电容器、电子器件及其制造方法-CN200610121261.4无效
发明人： W·J·伯兰德;S·弗古逊;D·马居达;R·R·特雷勒 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种埋入厚膜箔上烧结电容器的方法包括完全覆盖具有密封电极的电介质，以避免由于电极和电介质之间的收缩和温度膨胀系数差异在电介质中产生的破裂。
改进电极内层电容器电子器件及其制造方法

[发明专利]切换的电池和电容器装置及相关操作方法-CN201110305360.9有效
发明人： S·利恩坎普;P·基利安;S·赖泽 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：本发明涉及切换的电池和电容器装置及相关操作方法。具体提供了用于调节电池充电状态的系统和方法。示例性的电气系统包括连结到总线的燃料电池和通过连结到电容器的切换装置连结到总线的电池。用于操作该电气系统的示例性方法包括：当电池的充电状态大于较低的阈值且小于较高的阈值时操作切换装置以便电池的电压基本等于燃料电池的电压；以及，当电池的充电状态不在较低的阈值和较高的阈值之间时操作切换装置以便在电池和总线之间电串联地连结电容器
切换电池电容器装置相关操作方法

[发明专利]图像传感器-CN200610059159.6有效
发明人：五岛澄隆 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2006-03-15 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：由于形成耗尽层的电荷而使得埋置氧化物被极化，因而埋置氧化物作为一个电容器工作。形成在耗尽层中的电容器以及由埋置氧化物制成的辅助电容器因而串联连接，这降低了总结电容Cs。
图像传感器

[发明专利]具有减小的寄生电容的绝缘体器件-CN201680031278.2有效
发明人： R·塞尔瓦拉;A·S·克马斯;B·L·威廉姆斯;T·D·博尼费尔德;J·K·艾瑞诗 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：对于集成电路，描述的示例包括绝缘体结构(20)，该绝缘体结构(20)具有平行的导电元件(28a/28b)，该平行的导电元件(28a/28b)形成电容器或电感变压器，该电容器或电感变压器在半导体结构的上方串联二极管的结电容具有减少绝缘体处的寄生电容的效果。
具有减小寄生电容绝缘体器件

[发明专利]电容式的天线结构-CN201010271318.5有效
发明人：杨才毅;徐伟泓 -专利权人：太盟光电科技股份有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种电容式的天线结构，包括：一基板及一片状形的电容器。该基板上具有一辐射金属层及一接地金属层。该辐射金属层具有一使基板外露的第一镂空部，该第一镂空部具有一信号馈入孔，及边缘上具有一第二镂空部。该接地金属层边缘上具有一使基板外露的且对应第二镂空部的第三镂空部，该第三镂空部两侧具有第一接点及第二接点，以电性连结电容器。借以利用电容器将天线的能量耦合及激发，使天线具有良好的接收及发射效果。
电容天线结构

[实用新型]隧道二极管检波器截止频率扩展电路-CN200920169181.5无效
发明人：廖阳;杨官洪;刘小东;吴建 -专利权人：成都川美新技术开发有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隧道二极管检波器截止频率扩展电路，其特征在于：包括匹配电路、电感器、电容器、低通滤波器和2个隧道二极管；所述匹配电路一端与微波信号输入端相连接，另一端与检波电路相并联；所述检波电路中2个隧道二极管和电容器依次串联后再与电感器相并联；所述电容器与串连有低通滤波器的被检元件相并联；所述隧道二极管检波器的截止频率为：式中，L为隧道二极管的总引线电感，Cj为隧道二极管的结电容。
隧道二极管检波器截止频率扩展电路

[发明专利]一种三维硅基电容器的制作方法-CN200910242766.X有效
发明人：王惠娟;万里兮;吕壵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。
一种三维电容器制作方法

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