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[实用新型]一种硅棒拼接用对晶线机构-CN202021480073.2有效
发明人：孙鹏程;高润飞;刘源浩;秦聪明;康新领;黄游;景健 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司;杭州中为光电技术有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅棒拼接用对晶线机构，包括安装架、第一对晶线装置和第二对晶线装置，第一对晶线装置与第二对晶线装置均设于安装架上，其中，第一对晶线装置与第二对晶线装置均包括晶线检测装置和转动装置，晶线检测装置设于转动装置的一侧，对第一对晶线装置与第二对晶线装置上的硅棒晶线进行检测，使得第一对晶线装置与第二对晶线装置上的硅棒晶线方向一致。本实用新型的有益效果是通过晶线检测装置对硅棒的晶线位置进行检测，根据检测到的晶线的位置进行旋转，使得非标硅棒的晶线方向一致，实现拼接前硅棒晶线一致，加快拼接的速度。
一种拼接机构

[发明专利]硅晶棒料晶线确定方法、开方方法及开方设备-CN202110635907.5有效
发明人：范舒彬;杨长友;林光展;李海威;李波;林冬 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及硬脆棒料切割技术领域，尤其涉及硅晶棒料晶线确定方法、开方方法及开方设备，其中硅晶棒料晶线确定方法中运用设置有回转顶夹机构的装夹机构，回转顶夹机构通过对硅晶棒料两端面的顶紧进行硅晶棒料的夹持，在回转顶夹机构的周围设置有多个传感器，传感器可对端面进行摄像，通过各个传感器拍摄的局部影像合成获得端面外截面圆的完整影像，进一步的识别出晶线坐标，并且通过坐标转换找到实际切割中硅晶棒料上的晶线位置。本方案装夹机构的设置能够帮助快速地检测获取硅晶棒料的晶线位置，提供一种能够精确查找单晶硅棒晶线的切割方法，简化了硅晶棒料开方地加工工艺，并且能够有效提高硅晶棒料的开方质量。
硅晶棒料晶线确定方法开方设备

[发明专利]一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备-CN201910745478.X有效
发明人：郭力;李侨;徐战军 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明实提供了一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备，涉及单晶硅技术领域，包括：在硅棒处于等径生长的过程中，获取硅棒的样本图像；在样本图像上设置检测区域，检测区域与所述硅棒的晶线生长线重叠；生成检测区域的灰度值曲线；根据检测区域的灰度值曲线，确定晶线生长线上，硅棒的晶线的生长状态。本发明中，通过实时采集硅棒在生长过程中的样本图像，并在样本图像上设置检测区域，根据所述检测区域的灰度值曲线，就可以确定硅棒的晶线的生长状态，从而判断硅棒是否是单晶硅棒，采用该方法降低了硅棒直径大小的波动及晶线特征不明显对晶线的检测过程的影响，从而提高了晶线的检测精度和检测效率，且操作简单。
一种生长状态检测方法装置设备

[发明专利]氮化硅只读存储器的制造方法-CN02140799.1有效
发明人：范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-07-25 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅只读存储器的制造方法，在基底上形成掺杂复晶硅层，再在掺杂复晶硅层上形成一图案化罩幕层，并利用图案化罩幕层定义掺杂复晶硅层成为复晶硅线层，并暴露出部分基底。随后，施行一热处理，以在暴露出的基底与复晶硅线层侧壁上形成一层氧化层，其中复晶硅线层中的掺质会扩散到基底中形成源/漏极，并与复晶硅线层组成一位线。接着，去除图案化罩幕层，以暴露出位线的顶部，再进行一自行对准硅化金属过程，以在位线顶部形成自行对准硅化金属层。然后去除氧化层，并在基底上形成一氮化硅堆栈层以及数个字符线。
氮化只读存储器制造方法

[实用新型]一种硅棒拼接系统-CN202021482273.1有效
发明人：孙鹏程;高润飞;刘源浩;秦聪明;康新领;刘彪;叶欣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司;杭州中为光电技术有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅棒拼接系统，包括搬运机器人、运输装置、对晶线机构、涂胶机构和预固化机构，其中，对晶线机构用于对硅棒进行晶线定位；涂胶机构用于对硅棒进行涂胶；预固化机构用于对粘接后的硅棒进行预固化；对晶线机构与涂胶机构通过运输装置连通，涂胶机构与预固化机构通过搬运机器人连通，搬运机器人将待粘接的硅棒放置于对晶线机构上，进行晶线定位，对晶线后的硅棒通过运输装置运送至涂胶机构处，进行涂胶，搬运机器人将涂胶后的硅棒运送至预固化机构处，进行粘接固化
一种拼接系统

[发明专利]具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池-CN202211514361.9在审
发明人：王守志;王丽婷;王金淳;杜敬良;周啸颖;刘阳;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池，包括单晶硅片，单晶硅片的上表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A1、n型磷掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池正面，单晶硅片的下表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A2、p型硼掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池背面，本征非晶硅层A1与n型磷掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层B1，本征非晶硅层A2与p型硼掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层本发明以量产线异质结电池为基础，优化设计入光侧和背光侧本征氢化非晶硅层的膜厚及两者的匹配，提高异质结电池在钝化效果、透过率、电池转换效率上的性能。
具有氢化非晶硅层量产线异质结电池

[发明专利]一种异质结背接触太阳电池及其制备方法-CN202111398031.3在审
发明人：陈维强;韩涵;张鹤仙;黄国保 -专利权人：陕西众森电能科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结背接触太阳电池及其制备方法，该太阳能电池包括n型硅片；位于n型硅片背面的本征非晶硅层；位于本征非晶硅层背面且呈点状阵列分布的n+型非晶硅层；覆盖在n+型非晶硅层背面的第一透明导电层；位于本征非晶硅层背面处于n+型非晶硅层与第一透明导电层以外区域的p+型非晶硅层；覆盖在p+型非晶硅层上的第二透明导电层；位于第二透明导电层背面处于横向或纵向相邻的n+型非晶硅和第一透明导电层之间的绝缘胶层；位于第一透明导电层、绝缘胶层背面且与横向或纵向n+型非晶硅层和第一透明导电层处于同一横向或纵向的负极栅线；位于第二透明导电层背面且与负极栅线平行的正极栅线，负极栅线和正极栅线为锡、铜、银混合的膏体浆料
一种异质结背接触太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种太阳能电池结构-CN202123150144.X有效
发明人：杨睿;冯志强 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池结构，所述太阳能电池结构包括硅基底；所述硅基底的一侧表面依次层叠设置有第一选择性非晶硅本征层、第一非晶硅本征层和第一金属栅线；所述硅基底的另一侧表面依次层叠设置有第二选择性非晶硅本征层、第二非晶硅本征层和第二金属栅线；所述第一选择性非晶硅本征层与非第一金属栅线的位置相对应；所述第二选择性非晶硅本征层与非第二金属栅线的位置相对应。本实用新型通过选择性非晶硅本征层的设置，既解决了非晶硅薄膜外延生长带来的缺陷问题，又尽可能的减少对电流传输的影响，从而提高电池效率。
一种太阳能电池结构

[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201710461478.8在审
发明人：赵晓霞;王恩宇;王伟;田宏波;周永谋;杨瑞鹏;宗军;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层分别形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；合金栅线电极层，合金栅线电极层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及电极保护层，电极保护层形成在合金栅线电极层的表面上。
氢化非晶硅发射极层背场层缓冲层透明导电氧化物层栅线电极硅异质结太阳电池合金电极保护层衬底层轻掺杂重掺杂制备晶硅

[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720708353.6有效
发明人：赵晓霞;王恩宇;王伟;田宏波;周永谋;杨瑞鹏;宗军;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅异质结太阳电池。该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层分别形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；合金栅线电极层，合金栅线电极层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及电极保护层，电极保护层形成在合金栅线电极层的表面上。
硅异质结太阳电池

[实用新型]一种异质结太阳能电池-CN201520862710.5有效
发明人：杨与胜;王树林;宋广华;罗骞;陈伟文 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，其包括：N型单晶硅片；设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层；设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层；设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层；设在P型掺杂非晶硅层上的透明导电膜层；设在N型掺杂非晶硅层上的透明导电膜层；设在P型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极；设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极；分别设在两面铜栅线电极顶部的电镀锡层本实用新型加大了铜栅线电极的结合力，同时锡层也起到保护电极及助焊作用。
一种异质结太阳能电池

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010305046.X在审
发明人：单朝杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；以第一预设沉积温度在所述基底上形成非晶硅材料层，所述非晶硅材料层用于形成伪栅结构或核心层，所述第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度；刻蚀所述非晶硅材料层，形成非晶硅层，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层。本发明通过使第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度，能够降低在形成非晶硅材料层的过程中非晶硅发生晶化的概率，不易使非晶硅转化为多晶硅，相应的，后续刻蚀非晶硅材料层时，有利于提高刻蚀速率和刻蚀效果的均一性，从而减小非晶硅层的线边缘粗糙度，其中，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层，因此，提高非晶硅层的线边缘粗糙度，相应有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910198262.2无效
发明人：彭祥军;杨英颖;刘远祥;程琳 -专利权人：彭祥军;杨英颖
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅薄膜柔性光伏电池，由如下膜层依次排列组成：不锈钢箔-铝-氧化锌铝膜-非晶硅或微晶硅n1层-非晶硅或微晶硅i1层-非晶硅或微晶硅p1层-非晶硅b1层-非晶硅n2层-非晶硅i2层-非晶硅p2层-氧化铟锡层-银浆栅线。同时提供了一种上述柔性光伏电池的制备方法，依次包括如下步骤：不锈钢箔抛光清洗；PVD真空镀铝膜；PVD真空镀氧化锌铝膜；PECVD真空镀非晶硅膜或非晶硅-微晶硅膜系；PVD真空镀氧化铟锡膜；PVD镀银浆栅线本发明采用双结非晶硅-非晶硅或非晶硅-微晶硅电池结构，可大大提高良品率，耗能与耗材都非常少，可大幅度降低制造成本。
柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]非挥发性只读存储器及其制造方法-CN02108433.5有效
发明人：郭东政;刘建宏;潘锡树;黄守伟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种非挥发性只读存储器，其结构有一字线形成于一基底上，而字线包括一金属层与一复晶硅线，另外有一捕捉层位于字线与基底之间，以及有一形成于基底上的复晶硅保护线，且此复晶硅保护线电性连接至字线与位于基底的接地掺杂区，其中，复晶硅保护线的阻值高于字线。
挥发性只读存储器及其制造方法

[实用新型]一种HIT太阳能电池-CN201420718939.7有效
发明人：杨与胜;葛洪;张超华 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HIT太阳能电池，其包括N型硅片；设在N型硅片受光面和背光面的本征非晶硅层；设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层；设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层；设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在受光面和背光面的ITO透明导电膜层上的纳米银线栅线电极；设在受光面和背光面的纳米银线栅线电极上的金属主栅线电极。本实用新型用高透过率、高导电率的纳米银线栅线电极替代传统的不透明金属栅线，减少了金属栅线电极对光线遮挡造成的光损失，提高了电池转换效率。
一种 hit 太阳能电池

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