[发明专利]非挥发性只读存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 02108433.5 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1449053A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郭东政;刘建宏;潘锡树;黄守伟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非挥发性只读存储器，其结构有一字线形成于一基底上，而字线包括一金属层与一复晶硅线，另外有一捕捉层位于字线与基底之间，以及有一形成于基底上的复晶硅保护线，且此复晶硅保护线电性连接至字线与位于基底的接地掺杂区，其中，复晶硅保护线的阻值高于字线。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性只读存储器，其结构包括：一字线形成于一基底上，该字线包括一金属层与一复晶硅线；一捕捉层位于该字线与该基底之间；一复晶硅保护线形成于该基底上，且电性连接该字线以及位于该基底的一接地掺杂区，其中，该复晶硅保护线的阻值高于该字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
