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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺-CN202180080877.4在审
发明人：许瑞元;K·尼塔拉;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。
通过等离子体增强化学沉积形成工艺

[发明专利]多接触孔的形成方法-CN201310566696.X无效
发明人：朱科奇 -专利权人：宁波市鄞州科启动漫工业技术有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种多接触孔的形成方法，其特征在于：该方法包含有一形成于基板上的下层，下层可包括第二硬模层、一下硬模层，一设备层，或它们的组合，设备层可由任何合适的材料制成；第二硬模层可由任何合适的硬掩模材料组成，第二硬模层由与第一硬模层的材料不同的材料组成，且第二硬模层可具有任何合适的厚度；第一硬模层上形成有包含至少一个第一特征和至少一个第二特征的多个间隔开的特征层。
接触形成方法

[发明专利]用于侧向硬模凹槽减小的混合碳硬模-CN202310649955.9在审
发明人：托马斯·琼万·权;程睿;阿布海杰特•巴苏•马利克;平尔萱;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。
用于侧向凹槽减小混合碳硬模

[发明专利]用于侧向硬模凹槽减小的混合碳硬模-CN201780006952.6有效
发明人：托马斯·琼万·权;程睿;阿布海杰特·巴苏·马利克;平尔萱;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。
用于侧向凹槽减小混合碳硬模

[发明专利]掺杂氮的碳硬模膜-CN202180030852.3在审
发明人：闵笑全;许璐;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-11 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文公开了一种用于形成碳硬模以改善沉积均匀性和蚀刻选择性的方法和设备。碳硬模可在PECVD处理腔室中形成，并且碳硬模是掺杂氮的碳硬模。使用含氮气体、含氩气体和碳氢化合物气体来形成掺杂氮的碳硬模。
掺杂碳硬模膜

[发明专利]双重图形氧化硅芯轴制备方法-CN202010894940.5有效
发明人：赵刘明;许鹏凯;刘丽媛;康天晨 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重图形氧化硅芯轴制备方法，包括：在第一无定形硅层上生长第一氧化硅层；第一氧化硅层上沉积硬模板前驱体；在硬模板前驱体上生长第二氧化硅层；第二氧化硅层上涂覆光刻胶，打开光刻窗口进行光刻曝光及显影；刻蚀出沟槽深度达到第一氧化硅层，形成硬模板；采用聚硅氮烷填入沟槽，并将沟槽填满反应生成形成氧化硅；研磨去除第二氧化硅层直至露出硬模板；刻蚀去除硬模板；尺寸修剪，获得氧化硅芯轴。相对于现有技术，本发明采用多晶硅作为硬模板，将氧化硅填入其中，能够有效改善氧化硅芯轴Oxide Core楔形形貌和刻蚀停止层的硅损失。
双重图形氧化硅芯轴制备方法

[实用新型]铸造空芯半球的硬模-CN96201251.3无效
发明人：赵风泰 -专利权人：赵风泰
申请日： 1996-01-05 - 公布日： 1997-12-31 - 主分类号： B22C9/06 文献下载
摘要：一种铸造空芯半球的硬模，由硬座和硬模盖组成，其特点是硬模座为实芯半球形，硬模盖为空芯半球形，实芯半球表面有高强度耐火材料层，空芯半球内壁有高强度耐火材料层。本硬模可铸造炼镁还原缸帽头，高合金帽头，铸钢帽头和铸铁帽头。
铸造半球

[发明专利]形成硬模的方法-CN202180080876.X在审
发明人：许瑞元;B·库玛;K·嘉纳基拉曼;P·曼纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总体涉及形成硬模的方法。本文描述的实施例使得能够例如形成具有降低的膜应力的含碳硬模。在实施例中，提供了处理基板的方法。方法包括将基板定位在处理腔室的处理空间中，并在基板上沉积类金刚石碳(DLC)层。在沉积DLC层之后，通过执行等离子体处理来降低膜应力，其中等离子体处理包括施加约100W至约10,000W的射频(RF)偏压功率。
形成方法

[发明专利]一种双磁性隧道结的刻蚀方法-CN201510867718.5在审
发明人：左正笏;李辉辉;徐庶;蒋信;韩谷昌;刘瑞盛;孟皓;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种双磁性隧道结的刻蚀方法，具体如下：在需要留下双磁性隧道结堆部分采用光刻法制备出所需形状的硬模板和硬模板缓冲层，接着以按照硬模板形状从顶电极开始刻蚀，需要刻蚀的部分从顶电极开始刻蚀，依次刻蚀掉顶电极、第一反铁磁层和第一钉扎层，到第一隧穿层时停止刻蚀，沉积第一绝缘层，继续刻蚀自由层直到第二隧穿层停止，再沉积第二绝缘层，继续刻蚀第二钉扎层和第二反铁磁层，直到底电极为止，最后将残余的硬模板和硬模板缓冲层刻蚀得到最后形状本发明的第一和第二绝缘层克服了加工双磁性隧道结过程中容易短路等问题，本方法制备的双磁性隧道结堆具有短路现象少等优点，可用于加工制备基于双磁性隧道结堆的MRAM。
一种磁性隧道刻蚀方法

[发明专利]用于平坦光学装置的孔-CN202080041380.7在审
发明人：赛捷·托克·加勒特·多莎;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;卢多维克·戈代;陈建安;平克什·罗希特·沙阿 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本文描述的方法的一个实施方式包括：在基板的表面上设置孔材料层，在孔和基板的表面之上设置结构材料层，在孔和结构材料层之上设置硬模，在硬模之上设置图案化的光刻胶，图案化的光刻胶界定暴露的硬模部分，去除暴露的硬模部分以暴露结构材料层的结构部分
用于平坦光学装置

[发明专利]处理透明基板的方法和设备-CN202180016687.6在审
发明人：徐永安;陈建安;卢多维克·戈代 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：膜堆叠物包括：形成于第一表面上的组件功能层；形成于组件功能层上的硬模层；和形成于硬模层上的基板识别层。硬模层包括铬、钌或氮化钛中的一种或多种。膜堆叠物包括：形成于第二表面上的背侧层。形成于第二表面上的背侧层包括导电层或氧化物层中的一个或多个。
处理透明方法设备

[发明专利]以介孔碳和介孔二氧化硅为硬模板制备介孔LaFeO₃的方法-CN201210484933.3有效
发明人：戴洪兴;高宝族;邓积光;刘雨溪;赵振璇;李欣尉;王媛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：以介孔碳和介孔二氧化硅为硬模板制备介孔LaFeO3的方法，属于介孔LaFeO3的制备技术领域。基于乙二醇为表面活性剂和介孔碳为硬模板、在去除硬模板过程中采用在空气中高温焙烧的方法，不需要用NaOH去除硬模板来制备介孔LaFeO3；基于柠檬酸为络合剂和介孔SiO2为硬模板，将浸渍温度调控到50-100
介孔碳二氧化硅模板制备 lafeo sub 方法

[发明专利]浅沟槽隔离的制作方法-CN201110328075.9无效
发明人：曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅沟槽隔离的制作方法，在硅片上依次沉积衬垫氧化层、衬垫氮化层、氧化物硬模和氮化物硬膜；形成贯穿硅片上所述结构和部分硅片的浅沟槽；腐蚀氮化物硬膜、氧化物硬模和衬垫氮化层；在上述结构表面沉积氧化膜；在浅沟槽内填充绝缘介质，形成绝缘介质层，化学机械研磨形成浅沟槽隔离结构。本发明采用氮化物硬膜作为浅沟槽隔离刻蚀的硬掩膜，氧化物硬模作为氮化物硬膜的应力释放层以及腐蚀衬垫氮化层的牺牲层，从而减少衬垫氮化层的初始厚度、降低应力，进而减少衬垫氧化层的厚度，改善浅沟槽隔离凹坑的形貌
沟槽隔离制作方法

[发明专利]一种磁性微纳米机器人及其制备方法和应用-CN202110631624.3在审
发明人：郑裕基;江腾;穆学良;钟钰琨;宋小霞 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：所述制备方法包括如下步骤：在第一基片上形成电子束光刻胶层，经曝光和显影后将掩模板上的图案转移到所述光刻胶层上，得到第一微纳米机器人硬模板；用软质倒模材料对得到的第一微纳米机器人硬模板进行倒模，得到微纳米机器人软模板；在第二基片上形成硬质胶层，然后采用纳米压印的方法将所述微纳米机器人软模板上的图形转移到所述硬质胶层上，得到第二微纳米机器人硬模板；在第二微纳米机器人硬模板上形成磁性材料层和生物相容材料层，超声，得到磁性微纳米机器人
一种磁性纳米机器人及其制备方法应用

[发明专利]一种复合模具-CN201010527196.1无效
发明人：桑国华 -专利权人：常熟市精艺玻璃模具制造有限公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B29C33/38 文献下载
摘要：一种复合模具，包括硬模和软模，其特征在于，所述的硬模的内表面涂覆有一层混合乳液，干燥后形成软模。本发明所提供的复合模具，既有较高的机械强度，又易于脱模，不需使用脱模蜡，降低了成本。
一种复合模具

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