专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]二次电池-CN202080054477.1在审
  • 胁元亮一 - 三洋电机株式会社
  • 2020-09-11 - 2022-03-11 - H01M10/05
  • 二次电池包括外部端子、连接部件、集体以及集片,所述外部端子设置于外装体的封口板外侧,所述连接部件设置于封口板内侧且与外部端子连接,所述集体与连接部件连接,所述集片与电极体连接,集体沿封口板的长边方向具有第一连接、第二连接以及熔断区域,所述第一连接与集连接,所述第二连接连接部件连接,所述熔断区域设置于从第一连接至第二连接的电流路径上,第一连接在封口板的长边方向上位于外部端子的内侧,熔断区域位于与外部端子相同的位置上或所述外部端子的外侧。
  • 二次电池
  • [发明专利]光电部件-CN201080014536.9有效
  • J.兰兴;M.齐茨尔斯佩格 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
  • 2010-03-05 - 2012-03-14 - H01L27/146
  • 说明了一种光电部件(1),具有光电半导体芯片(2)、接触框架(3)、接触载体(4)、第一接触区域(5)和与该第一连接(5)电绝缘的第二连接(6),该第一连接和第二连接分别包括接触框架(3)的部分和接触载体(4)的部分,其中接触框架(3)配备有凹部(7),该凹部(7)将第一连接(5)至少局部地与第二连接(6)分开并且光电半导体芯片(2)伸入到该凹部(7)中,并且其中接触框架(3)用接触元件(30)构造,该接触元件(30)将接触框架(3)与光电半导体芯片(2)连接
  • 光电部件
  • [发明专利]压敏片和包括该压敏片的模块化系统-CN202080066660.3在审
  • 蒂姆·摩尔 - HP1科技有限公司
  • 2020-07-23 - 2022-05-06 - G01L1/16
  • 一种用于对施加到物体上的力进行检测的压敏片,该片包括:第一基底,该第一基底具有在该第一基底上的第一连接和第一电极区域,第一连接连接至第一电极区域;第二连接和第二电极区域,该第二连接连接至第二电极区域,该第二电极区域是与第一电极区域物理上分离的;压敏层,该压敏层被布置在第一电极区域与第二电极区域之间,以在第一电极区域与第二电极区域之间提供电连接,该压敏层被布置成响应压力变化而改变电阻,其中,第一连接和第二连接是沿着压敏片的不同边缘区域布置的
  • 压敏片包括模块化系统
  • [实用新型]一种用于改善极耳过流能力的转接片结构及锂电池-CN202320978461.0有效
  • 刘峰;魏思伟;蒋治亿;王红明 - 江苏天合储能有限公司
  • 2023-04-26 - 2023-09-19 - H01M50/533
  • 本实用新型属于电池转接片技术领域,具体涉及一种用于改善极耳过流能力的转接片结构及锂电池,本转接片结构包括:转接片本体;其中所述转接片本体上开设有极耳连接和极柱连接;所述极耳连接处开设有一安装缺口,所述极柱连接位于安装缺口内且与极耳连接相连;所述极耳连接的底部的与极耳相连接,且所述极柱连接的底部与极柱相抵接;本实用新型通过在极耳连接处开设安装缺口用于安装极柱连接,能够增加转接片结构与极耳焊接可利用长度,从而提高整个芯过流能力,实现充分利用电芯内部空间,提高芯装配比,提高芯充电速率与芯性能,降低芯使用过程中温度,极高芯安全性能。
  • 一种用于改善能力转接结构锂电池
  • [发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010062763.4在审
  • 吴星来;金东赫;朴泰成;丁寿男 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-01-20 - 2021-01-15 - H01L27/1157
  • 本公开涉及一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:层叠件,设置在由单元区域连接限定的衬底上方;沟道结构,穿过单元区域中的层叠件;以及狭缝,限定在层叠件中。该层叠件包括:第一介层,在单元区域连接中分隔地堆叠;电极层,在单元区域中以及与狭缝相邻的连接的外围中与第一介层交替设置;以及第二介层,在远离狭缝的连接的中央部分中与第一介层交替设置连接中狭缝之间的距离大于单元区域中狭缝之间的距离,并且在连接的外围和中央部分之间的边界处,设置在相同层上的电极层和第二介层彼此接触。
  • 半导体存储器装置及其制造方法
  • [实用新型]耳机-CN202022366423.9有效
  • 陈锋泽;彭久高;杨润;吴海全 - 深圳市冠旭电子股份有限公司;深圳市飞科笛系统开发有限公司;深圳市冠平电子有限公司
  • 2020-10-21 - 2021-06-25 - H04R1/10
  • 本申请公开了一种耳机,包括底壳、设于底壳内的喇叭、安装于底壳的电路板,以及压持于喇叭与电路板之间的导电弹性件;喇叭具有与导电弹性件连接的第一连接,电路板具有与导电弹性件连接的第二连接。同时将导电弹性件与喇叭上的第一连接接触,并将导电弹性件与电路板上的第二连接接触,进而实现喇叭通过导电弹性件与电路板连接。耳机装配时,只需要将导电弹性件正对第一连接及第二连接,然后固定电路板,使得导电弹性件被压持于喇叭与电路板之间即可,可有效的降低单个耳机的生产时间。
  • 耳机
  • [实用新型]一种芯片封装结构-CN202122664525.3有效
  • 田永平 - 上海思立微电子科技有限公司
  • 2021-11-02 - 2022-03-18 - H01L23/49
  • 本说明书公开了一种芯片封装结构,包括:包括:硅基衬底,设置有识别区域和绑定区域;超声波传感器,设置在所述识别区域上,所述超声波传感器的电极层在所述硅基衬底上的正投影与所述绑定区域不重叠,所述电极层在靠近所述绑定区域的一侧设有连接;电路板,设置有连接,所述连接的第一表面与绑定区域通过导电膜连接,所述连接的第二表面与所述连接的电极层连接
  • 一种芯片封装结构

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