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[发明专利]一种检测孤岛的方法、装置及光伏并网发电系统-CN202010228325.0有效
发明人：刘江波;易德刚;资志翔 -专利权人：深圳市首航新能源股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及光伏并网发电领域，公开了一种检测孤岛的方法，应用于与外部电网连接的光伏并网发电系统，通过从所述光伏并网发电系统的存储单元中获取孤岛检测参数；采集与所述外部电网连接的光伏并网发电系统的电学参数；根据所述电学参数和所述孤岛检测参数，对所述光伏并网发电系统进行孤岛检测；若所述光伏并网发电系统发生孤岛，则记录所述光伏并网发电系统处于孤岛的时长；获取在预定时间段内所述光伏并网发电系统处于孤岛的时长小于预设阈值时的外部电网的电学参数；根据获取到的所述外部电网的电学参数，调整所述孤岛检测参数。从而，实现自动调整孤岛检测参数，以适配不同的电网环境，能够提高检测准确性，以及减少电网维护的工作量。
一种检测孤岛方法装置并网发电系统

[发明专利]基于机器学习和模型的半导体器件电学特性仿真方法-CN202210686282.X在审
发明人：郭宇锋;姚清;陈静;张珺;姚佳飞;代玙璇;张茂林;刘建华 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了基于机器学习和模型的半导体器件电学特性仿真方法，包括步骤1、确定仿真模型；步骤2、确定结构参数或工艺参数；步骤3、获取数据集；步骤4、建立机器学习回归模型；步骤5、预测输入模型参数；步骤6、电学特性仿真。本发明利用机器学习和确定的仿真模型，实现了半导体器件从结构参数与工艺参数到电学特性的仿真，具有仿真速度快，收敛性好，节约计算资源等优点。同时该发明中构建的回归模型能实现从工艺参数到模型参数、工艺参数到结构参数、结构参数到模型参数的预测，能提高设计人员的设计效率，节省设计时间。
基于机器学习模型半导体器件电学特性仿真方法

[发明专利]基于模拟退火算法的半导体器件结终端几何参数设计方法-CN202310827829.8有效
发明人：陈静;郭宇锋;夏仁吉;姚清;张珺;姚佳飞 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于模拟退火算法的半导体器件结终端几何参数设计方法，包括S1：确定除待设计结终端结构几何参数以外的器件参数并设为定值；S2：确定待设计的结终端结构几何参数的取值空间；S3：定义基于电学性能指标的优化函数，搭建基于模拟退火算法的器件结终端结构几何参数设计框架；S4：定义循环设计周期，运行步骤3中搭建好的设计框架；S5：输出定义循环周期内使优化函数达到极值的器件结终端结构几何参数和对应最优的电学性能。本发明基于模拟退火算法，对器件的结终端结构几何参数进行设计，无需人工参与，可实现器件的电学性能的提升。该方法优化设计后的结终端结构，可大幅提升器件的电学性能。
基于模拟退火算法半导体器件终端几何参数设计方法

[发明专利]一种热载流子注入测试MOS器件的方法-CN200810035113.X有效
发明人：唐逸 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2008-03-25 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供的一种热载流子注入测试MOS器件的方法包括以下步骤：1.根据JEDEC标准，对器件进行热载流子注入实验，计算所测试出的电学参数衰退幅度值；2.将不同时间点下计算出的MOS器件电学参数衰退幅度数据利用公式y＝Atⁿ+Bexp(c/t)+Dln(t)+E进行拟合；3.据步骤2的拟合结果，确定步骤2中公式中指数n和常数A、B、C、D、E值；4.依据步骤3得出的电学参数退化规律的计算公式来推算所测试的MOS器件的电学参数的可靠性是否合格。通过采用步骤2中拟合公式可刻画MOS器件电学参数在整个阶段的变化规律，克服了胡模型中密指数函数拟合精度不高和人为因素导致的测试结果不同的问题，从而提高了MOS器件性能评估的准确度。
一种载流子注入测试 mos 器件方法

[发明专利]一种海洋生物附着检测方法、装置及系统-CN202210051137.4有效
发明人：张成;郑佳琳;李晓宁;张乾熙;阮建文 -专利权人：广东海洋大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种海洋生物附着检测方法、装置及系统，方法包括：获取海洋生物附着检测设备在距离各个船底部位固定距离处检测的电学参数，可以保证得到整个船底所有部位的电学参数，进而再绘制各个船底部位关于电学参数的检测附着图像显然，将被海洋生物附着前的初始附着图像与经过一段时间后检测得到检测附着图像进行对比，可以知道每个船底部位的电学参数变化情况，根据不同船底部位的光学参数的变化情况可以确定对应的船底部位被海洋生物附着的程度
一种海洋生物附着检测方法装置系统

[发明专利]光伏发电系统的稳定性分析方法、装置及实现装置-CN201811343583.2有效
发明人：高运兴;李雅文;杜鹏;张晓磊;叶俊;王建宇;荣鹏;代勇;张琳琳;伏胜群;殷凡姣 -专利权人：国网山东省电力公司泰安供电公司;国网山东省电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏发电系统的稳定性分析方法、装置及实现装置；其中，该方法包括：获取光伏发电系统的系统参数；系统参数包括光伏发电系统的等效电流源及等效阻抗；根据所述系统参数，建立逆变器组与光伏发电系统连接的电学模型；该电学模型中，逆变器组包括多个子逆变器，多个子逆变器以并联的方式接入光伏发电系统；根据电学模型及预设的子逆变器的基本参数，建立电学模型的数学模型；将预设的等效电流源的扰动输入至数学模型中，得到在扰动下电学模型中电流变化曲线
发电系统稳定性分析方法装置实现

[发明专利]引线键合焊点的电学性能的预测方法、装置、设备及介质-CN202111435861.9有效
发明人：王小平;曹万;熊波;杨军;洪鹏;王晓燕 -专利权人：武汉飞恩微电子有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种引线键合焊点的电学性能的预测方法、装置、设备及介质，该方法包括：接收引线键合焊点的电学性能的预测请求；获取所述引线键合焊点的外界环境参数；将所述外界环境参数输入至预先训练好的第一神经网络模型中进行仿真解算，得到所述引线键合焊点的参数信息；将所述参数信息输入至预先训练好的第二神经网络模型中进行电学性能预测，得到所述引线键合焊点的电学性能信息。本发明基于神经网络技术，结合有限元仿真计算，实现了根据实际环境对引线键合焊点的电学性能进行精准分析和预测，为下级元器件和控制装置提供决策依据，保证了产品性能，提高了运用精度和效率。
引线键合焊点电学性能预测方法装置设备介质

[发明专利]集成电路封装设计的电、热以及力学特性的建模方法-CN201110452289.7无效
发明人：付颜龙;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路封装设计的电、热以及力学特性的建模方法，用以提高封装设计的灵活性、直观性和通用性，主要包括电学参数提取模块，电学参数自动优化模块；热学参数提取模块，热学参数自动优化模块；力学参数提取模块，力学参数自动优化模块；公共数据传输模块及公共数据优化模块。
集成电路封装设计以及力学特性建模方法

[发明专利]一种基于机器学习的半导体器件敏感性分析方法-CN202110288543.8在审
发明人：苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G06F30/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机器学习的半导体器件敏感性分析方法，其可实现半导体器件性能自动分析，可提高分析准确性，该方法基于环形振荡器实现，包括：获取半导体器件工艺参数，获取半导体器件电学性能参数，对半导体器件电学性能进行敏感性分析，对关键工艺参数进行相似性检验，筛选出重要的制程变异参数，环形振荡器包括开关、半导体器件组合、与半导体器件组合并联的延时电路、放大器，半导体器件组合包括若干串联的半导体器件，延时电路连接放大器的输入端，放大器的输出端为信号输出端，延时电路包括若干串联的延迟级，电学性能参数获取方法：通过控制环形振荡器，获取半导体器件的电学性能参数。
一种基于机器学习半导体器件敏感性分析方法

[实用新型]温度冷媒表贴片PCB测试治具-CN201720072499.6有效
发明人：张炳秋;张艳娥 -专利权人：珠海华凯电子有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及温度冷媒表贴片PCB测试治具，包括机架、操作保护罩、检测探头、操控系统、显示系统、电池盒和电路系统，机架构成支撑框架，检测探头与电池盒、操控系统、显示系统和电路系统组成检测回路，检测探头进行PCB的电学参数的检测，显示系统进行所需检测的电学参数的显示，根据所显示的所述电学参数与设计的电学参数比对进行所述待测温度冷媒贴片PCB判定。本实用新型的温度冷媒表贴片PCB测试治具，通过绕转轴旋转的操作防护罩水平靠合，与电池、操控系统、显示系统电连接的所述检测探头与PCB板电触点电接触，测试得到的各种电参数通过显示屏或毫安电流表进行显示，效率高，操作简单，电参数一目了然判定，测试治具结构简单，成本低。
温度冷媒表贴片 pcb 测试

[发明专利]SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法-CN202010733221.5在审
发明人：游海龙;李文臻;曲程 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，包括：测量第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间得到第二SiC JBS二极管；测量第二SiC JBS二极管的电学特性参数、噪声特性参数；得到电学特性参数漂移程度；得到噪声特性参数漂移程度。
sic jbs 器件高温高湿反偏应力损伤表征方法

[发明专利]故障监测方法、控制器、滴定检测装置以及水供应系统-CN202111007632.7在审
发明人：刘世强;潘承胜;肖骏 -专利权人：艾欧史密斯（中国）热水器有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01N31/16 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种滴定检测装置的故障监测方法、控制器、滴定检测装置以及水供应系统，该滴定检测装置的故障监测方法包括：在滴定检测过程中，获取所述滴定检测装置的待检测物的光学参数和/或电学参数；在所述光学参数和/或电学参数的变化满足预设条件时，确定所述滴定检测过程异常。通过本申请实施例，能够基于滴定检测装置的待检测物的光学参数和/或电学参数确定滴定检测过程是否异常，从而能够实现滴定检测装置的自检，能够及时检测出滴定检测装置的故障，保证滴定的可靠性。
故障监测方法控制器滴定检测装置以及供应系统

[发明专利]一种检测雾化器的烟油量的方法、装置、雾化器及电子烟-CN201911069737.8在审
发明人：程迪 -专利权人：程迪
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： A24F47/00 文献下载
摘要：该方法通过先获取所述第一电极和第二电极所在电路中的电学参数，然后获取电学参数烟油量对应表，最后根据所述电学参数，并且结合所述电学参数烟油量对应表，确定所述雾化腔内剩余的烟油量。
烟油量电学参数第二电极第一电极雾化器雾化腔电子烟烟油间隔预定距离提醒用户准确检测种检测糊味电路补充

[发明专利]一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法-CN201210488381.3有效
发明人：郭红霞;张科营;罗尹虹;赵雯;闫逸华;王园明;张凤祁;郭晓强;丁李丽;王忠明;王燕萍 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法，设定器件的实际材料结构、几何结构、掺杂参数，实现完整的器件模型；进行半导体特性数值计算，求解扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程，获取器件的电学特征曲线；开展单粒子效应器件模型关键电学参数校准，使器件电学符合理论预期；所述关键电学参数包括晶体管转移特性曲线和存储器延迟特性曲线。本发明提出了基于数值计算的单粒子效应截面获取方法，可以定位单粒子效应错误的位置，可以实现器件的布线、尺寸与器件工艺参数与单粒子效应敏感性的关系，可以在设计阶段就实现单粒子效应性能的验证。
一种基于仿真粒子效应截面获取方法

[发明专利]基于鲁棒主成分分析的电学层析成像方法及系统-CN201610594815.6在审
发明人：叶佳敏;吴蒙;王海刚 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：一种基于鲁棒主成分分析的电学层析成像方法，包括步骤：采集待成像区域内层析成像系统的测量数据；利用图像重构算法及采集得到的测量数据进行图像重构，得到随时间连续变化的物质电学参数分布图像；以及对所述连续变化的物质电学参数分布图像进行鲁棒主成分分析通过在电学层析成像方法中引入鲁棒主成分分析，降低图像噪声，提高图像质量，该电学层析成像方法可应用于能源、医药、化工等领域。
基于鲁棒主成分分析电学层析成像方法系统