“牺牲”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13493个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种输电角钢塔塔脚防腐蚀用牺牲阳极块-CN202123315245.8有效
发明人：祁纪心;荆宏勇;林后全 -专利权人：河北诚睿金属制品有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23F13/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种输电角钢塔塔脚防腐蚀用牺牲阳极块，包括安装仓，所述安装仓上开设有牺牲阳极置入槽，且牺牲阳极置入槽内设置有牺牲阳极金属块，所述安装仓贴近牺牲阳极金属块的一端安装有第一端头，且第一端头上连接有第二端头本实用新型通过在牺牲阳极置入槽内设置牺牲阳极金属块，并将第一端头和第二端头贴合在牺牲阳极金属块上与之形成电性连接，能够将牺牲阳极金属块的牺牲反应传导电子向输电角钢塔塔脚处，避免输电角钢塔塔脚受到腐蚀，保护输电角钢塔的使用稳定性
一种输电角钢塔塔脚防腐蚀牺牲阳极

[实用新型]一种通过注塑实现的牺牲阳极绝缘连接装置-CN202220381989.5有效
发明人：甄子胜;庞伟斌;贾威 -专利权人：西安海镁特镁业有限公司;青海海镁特镁业有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23F13/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通过注塑实现的牺牲阳极绝缘连接装置，包括牺牲阳极棒、贯穿于牺牲阳极棒的棒芯、以及用于连接被保护件的第一螺母；其中，第一螺母位于牺牲阳极棒的正上方、并套设于棒芯上，且第一螺母与棒芯之间通过绝缘套筒隔绝，牺牲阳极棒与第一螺母之间通过注塑成型部填充，且注塑成型部包裹在牺牲阳极棒的上端。本实用新型第一螺母与牺牲阳极的绝缘通过牺牲阳极棒上的注塑成型部以及棒芯和第一螺母之间的绝缘套筒实现绝缘，因此不需要额外安装绝缘套即可实现牺牲阳极与内胆间可靠的绝缘连接；同时，非金属注塑成型部又可实现第一螺母与水的物理分割，改善了牺牲阳极根部易腐蚀的状况，且该装置结构简单、连接可靠、易于批量化生产。
一种通过注塑实现牺牲阳极绝缘连接装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911113636.6在审
发明人：苏博;郑二虎;王彦;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始牺牲层；对所述初始牺牲层的侧壁进行改性处理工艺，在所述初始牺牲层的侧壁形成过渡层；去除所述过渡层，形成牺牲层。所述形成方法减小了牺牲层的侧壁粗糙度。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种用于钢筋混凝土的防腐牺牲阳极-CN201621424727.3有效
发明人：丁新勇;张智玲;张稳稳 -专利权人：上海法赫桥梁隧道养护工程技术有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： C23F13/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于钢筋混凝土的防腐牺牲阳极，包括牺牲阳极内核，穿设过牺牲阳极内核的金属导线，包覆在牺牲阳极内核外的包浆层，牺牲阳极内核为锌合金块。
一种用于钢筋混凝土防腐牺牲阳极

[发明专利]以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法-CN201510810301.5在审
发明人：揭建胜;邓巍;王亮 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法，包括以下步骤：1）纳米线的生长：制备模板，然后在模板上自组装生长纳米线阵列；2）基底的制作：在牺牲基底表面镀一层牺牲层，然后在牺牲层上制作栅极和源、漏电极；3）纳米线的转移：将胶带铺在生长了纳米线阵列的模板上，纳米线阵列会粘附在透明胶带上，剥离胶带，纳米线阵列会附着在胶带上一同被转移贴附在步骤2）制作的基底上；4）器件的构筑：利用胶带与牺牲层之间的粘附力较牺牲基底与牺牲层之间的粘附力大的特性，将牺牲层与牺牲基底分离，并转移至牺牲层刻蚀液中刻蚀，得到以胶带为基底的晶体管阵列。
胶带基底构建大面积柔性穿戴有机纳米场效应晶体管阵列方法

[发明专利]指纹识别模组及其形成方法、电子设备-CN202010266613.5在审
发明人：石虎;刘孟彬;向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种指纹识别模组及其形成方法、电子设备，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个分立的牺牲层；在牺牲层上形成压电换能器，包括第一电极、位于第一电极上的压电层以及位于压电层上的第二电极，压电层用于根据信号处理电路提供的信号产生振动，形成用于指纹识别的超声波；形成露出牺牲层部分顶部的释放孔；采用灰化工艺，通过释放孔去除牺牲层形成空腔。本发明实施例采用灰化工艺去除牺牲层，在气相条件下实现对牺牲层的释放，有利于减小牺牲层的残留、易于将牺牲层去除干净，且去除牺牲层的工艺对压电换能器的影响小；而且，本发明实施例直接在衬底上形成空腔，不需额外消耗一片承载基底
指纹识别模组及其形成方法电子设备

[发明专利]口腔护理装置-CN201980035179.5在审
发明人：帕特里克·约翰松;莱顿·戴维斯-史密斯 -专利权人：高露洁-棕榄公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： A61N1/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种口腔护理装置，其可包括：主体，所述主体包括头部；从所述头部延伸的多个牙齿清洁元件；第一牺牲电极，所述第一牺牲电极在所述头部上；第二牺牲电极，所述第二牺牲电极在所述头部上，并与所述第一牺牲电极间隔开；电源；以及控制器，所述控制器被配置成在接通状态与断开状态之间交替，其中：在所述接通状态，所述控制器将所述电源可操作地耦合至所述第一牺牲电极和所述第二牺牲电极，以在所述第一牺牲电极与所述第二牺牲电极之间产生电势
口腔护理装置

[发明专利]基于同步授时的牺牲阳极状态监测系统及其监测方法-CN202010102710.0在审
发明人：滕卫明;季寿宏;周东辉;张响;解剑波;关键;丁楠;邓江湖;龚洁 -专利权人：浙江浙能天然气运行有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C23F13/04 文献下载
摘要：本发明属于地下管道防护技术领域，具体涉及一种基于同步授时的牺牲阳极状态监测系统及其监测方法，包括若干监测装置与若干牺牲阳极，牺牲阳极与监测装置一一对应；每一牺牲阳极均与管道连接，每一牺牲阳极还通过其对应的监测装置与管道连接；每一监测装置均包括卫星授时与通讯模块、数据检测模块、信息处理模块、执行模块、电源模块以及参比电极；执行模块用于控制牺牲阳极的开断，数据检测模块根据牺牲阳极的开断检测开路电位、通路电位以及输出电流；卫星授时与通讯模块用于所有监测装置的同步授时以及数据传输本发明对牺牲阳极长期状态进行监测并同一时间获取所有牺牲阳极的状态参数，保证获得信息的同步性与精准性。
基于同步授时牺牲阳极状态监测系统及其方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201911059695.X在审
发明人：杨康 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：提供待刻蚀层；于待刻蚀层的表面形成具有开口的牺牲层，开口暴露出部分待刻蚀层的表面；于牺牲层的表面形成保护层，保护层包覆牺牲层；于保护层的表面形成侧墙材料层；去除牺牲层的顶端的保护层及侧墙材料层，暴露出牺牲层的顶端；去除牺牲层。上述半导体器件的制备方法使得线宽进一步缩小成为可能，而且于牺牲层的侧壁表面形成保护层能避免在形成侧墙材料层时对牺牲层的侧壁造成损伤，保证牺牲层的完整性，进一步使得形成的保护层和侧墙材料层的尺寸满足工艺要求
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202111114494.2在审
发明人：朱焜;李洵;任德营 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：在衬底上形成第一牺牲层、存储堆叠结构，以及穿过存储堆叠结构和第一牺牲层并延伸至衬底中的沟道结构，沟道结构具有与第一牺牲层相接触的侧壁，形成穿过存储堆叠结构的栅线隔槽，并露出第一牺牲层，向栅线隔槽中通入由四氟化碳和氧气解离而成的第一活性粒子，以清洗第一牺牲层的表面，去除第一牺牲层，并露出侧壁，之后，以第一活性粒子清洗侧壁，本发明提供的半导体器件的制备方法，通过使用第一活性粒子对第一牺牲层表面以及沟道结构侧壁进行清洗，从而避免了第一牺牲层表面和沟道结构侧壁存在的杂质使得第一牺牲层以及沟道结构侧壁的存储层不易被去除的问题出现。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011220063.X在审
发明人：武咏琴;卜伟海 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层；在所述牺牲层和沟道层顶面形成伪栅极层；刻蚀所述伪栅极层两侧的牺牲层和沟道层至暴露所述半导体衬底表面，同时使所述伪栅极层下方的牺牲层侧壁形成凹陷；在所述牺牲层和沟道层侧壁形成氧化层，位于所述牺牲层侧壁的所述氧化层保持所述凹陷的形状；在所述牺牲层侧壁的氧化层的凹陷内形成内侧墙。利用牺牲层和沟道层刻蚀速率和氧化速率的不同，在牺牲层侧壁形成凹陷，最后在所述凹陷中形成内侧墙，能够简化形成内侧墙的工艺，减少对硅通道表面的损伤，提高源极和漏极的质量，从而提高器件可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]三维存储结构及其制造方法、存储装置及系统、电子设备-CN202210581369.0在审
发明人：孙昌志;高庭庭;杜小龙;袁伟;夏志良;刘小欣 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：制造三维存储结构的方法包括：在衬底的第一侧形成包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层的预制台阶结构；在预制台阶结构的每个台阶上形成牺牲部，其中，牺牲部与每个台阶最上方的牺牲层相邻设置，并且牺牲部和牺牲层之间具有刻蚀选择性；由衬底的相对第一侧的第二侧形成导电通道孔，其中，导电通道孔从衬底的第二侧依次贯穿衬底和预制台阶结构、并延伸至牺牲部；通过导电通道孔刻蚀牺牲层的一部分形成多个扩张空间；通过在多个扩张空间内填充绝缘材料将所述导电通道孔与所述牺牲层间隔开
三维存储结构及其制造方法装置系统电子设备

[发明专利]一种MEMS高台阶加工制造方法-CN202210219856.2在审
发明人：王东平 -专利权人：苏州感芯微系统技术有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS高台阶加工制造方法，包括步骤：在基底上淀积膜层；通过光刻、腐蚀膜层，形成所需的膜层结构；在基底和膜层结构上淀积第一牺牲层；在第一牺牲层上淀积停止层；通过光刻、腐蚀停止层的中部区域，只保留边缘区域；在第一牺牲层和停止层结构上淀积第二牺牲层；采用CMP工艺对第二牺牲层研磨，直到边缘区域研磨到停止层，中部区域继续研磨至与停止层同样高度。本发明的牺牲层MEMS高台阶加工制造方法，在膜层上淀积两层牺牲层和一层停止层，利用牺牲层与停止层的材质不一样，其研磨速率也不一样，利用停止层可以保证圆片中部和边缘区域剩余的牺牲层厚度一致。
一种 mems 台阶加工制造方法

[发明专利]空腔型薄膜体声波谐振器的制造方法-CN202211597327.2在审
发明人：周国安;卜德冲;罗大杰;贾会来 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种空腔型薄膜体声波谐振器的制造方法，制造方法包括：在衬底表面沉积覆盖凹槽的第一牺牲层；采用刻蚀与终点检测结合的方式，去除在衬底上的正投影位于凹槽外的第一牺牲层；在衬底表面沉积第二牺牲层，第二牺牲层覆盖剩余的第一牺牲层；采用多次抛光的方式去除位于衬底表面以上的第二牺牲层和第一牺牲层，使得凹槽内剩余的第一牺牲层与衬底表面位于同一平面；在衬底表面沉积覆盖凹槽的叠层结构，叠层结构包括依次沉积的底电极、压电层和顶电极；去除凹槽内剩余的第一牺牲层
空腔薄膜声波谐振器制造方法

[发明专利]一种含Ce的镁合金牺牲阳极及其制备方法和应用-CN202310196323.1在审
发明人：辛森森;王明 -专利权人：芜湖美的厨卫电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23F13/14 文献下载
摘要：本发明涉及合金材料技术领域，具体涉及一种含Ce的镁合金牺牲阳极及其制备方法和应用。该镁合金牺牲阳极，包括由稀土镁合金材料构成的镁棒本体，稀土镁合金材料含Mg，且还包括按质量百分比计为0.01～0.8％的稀土元素；稀土元素为含Ce的铈族稀土元素；镁合金牺牲阳极中，按质量百分比计，稀土镁合金材料还包括该镁合金牺牲阳极通过添加合适量的含Ce的铈族稀土元素来减少β相在镁合金牺牲阳极组织中的含量，改善β相在组织中的分布，使得镁合金牺牲阳极的电流效率高，镁合金牺牲阳极的电流效率超过58％，可解决现有镁合金牺牲阳极作为牺牲阳极材料的腐蚀速率过快的问题
一种 ce 镁合金牺牲阳极及其制备方法应用