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[发明专利]蚀刻辅助特征-CN201680082533.6在审
发明人： W·T·特尔;T·I·瓦洛 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：提供一种工艺，该工艺包括：获得布局，所述布局至少部分地指定通过图案化过程和蚀刻过程转移到衬底上的图案；以及利用一个或更多个处理器修改所述布局以包括蚀刻辅助特征，该蚀刻辅助特征大于图案化过程的分辨率极限且小于蚀刻过程的分辨率极限，该蚀刻辅助特征配置成减小图案化过程或蚀刻过程的偏差，以减小所述布局中的特征的归因于蚀刻过程的蚀刻诱发移位，或者扩展另一个图案化过程的过程窗口。
蚀刻图案化过程辅助特征分辨率极限减小辅助特征配置处理器衬底移位诱发图案

[发明专利]具有修正的蚀刻-CN200480035066.9有效
发明人： K·卡纳里克;A·埃普勒 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2004-09-15 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种经由衬底上的掩模蚀刻蚀刻层中的特征的方法。将衬底放置在工艺腔室中。将蚀刻等离子体提供给该工艺腔室，在此该蚀刻等离子体开始蚀刻。用该蚀刻等离子体蚀刻该蚀刻层中的特征。在该特征的蚀刻期间修正至少一个蚀刻等离子体参数，以随着蚀刻深度的改变来优化等离子体参数，并且用该修正的等离子体来蚀刻该特征直至将该特征蚀刻到一特征深度为止。
具有修正蚀刻

[发明专利]使用蚀刻掩模堆叠的多掩模处理-CN200680023375.3有效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：提供一种用于在基片上的蚀刻层中形成蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成蚀刻掩模堆叠。在该蚀刻掩模堆叠上形成第一掩模。在该第一掩模上形成侧壁层，其减小由该第一掩模限定的间距的宽度。穿过该侧壁层将第一特征组蚀刻入该蚀刻掩模堆叠。去除该掩模和该侧壁层。执行额外的特征步骤，包括在该蚀刻掩模堆叠上形成额外掩模，在该额外掩模上形成侧壁层，将第二特征组至少部分蚀刻入该蚀刻掩模堆叠。穿过该蚀刻掩模堆叠中的第一特征组和第二特征组将多个特征蚀刻入该蚀刻层。
使用蚀刻堆叠多掩模处理

[发明专利]蚀刻掩模特征临界尺寸的减小-CN200580047984.8无效
发明人： Z·黄;S·M·R·萨亚迪;J·马克斯 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在蚀刻层上具有蚀刻掩模的蚀刻叠层中的蚀刻层内形成特征的方法，其中该蚀刻掩模具有带有侧壁的蚀刻掩模特征，其中该蚀刻掩模特征具有第一临界尺寸。执行循环临界尺寸减小以形成具有第二临界尺寸的沉积层特征，该第二临界尺寸小于该第一临界尺寸。各个周期包括沉积阶段，用于在蚀刻掩模特征的包括垂直侧壁的暴露表面上沉积一沉积层，以及蚀刻阶段，用于回蚀刻该沉积层，在该垂直侧壁上留下选择性沉积。在该蚀刻层内蚀刻形成特征，其中该蚀刻层特征具有第三临界尺寸，该第三临界尺寸小于该第一临界尺寸。
蚀刻模特临界尺寸减小

[发明专利]自对准的节距缩减-CN200680044677.9无效
发明人：金智洙;李尚宪;崔大汉;S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供了一种在蚀刻层中提供特征的方法。在该蚀刻层上形成牺牲层。将牺牲层特征组蚀刻入该牺牲层。穿过该牺牲层将第一蚀刻层特征组蚀刻入该蚀刻层。利用填充材料填充该第一蚀刻层特征组和该牺牲层特征组。穿过该收缩侧壁沉积物将第二蚀刻层特征组蚀刻入该蚀刻层。去除该填充材料和收缩侧壁沉积物。
对准缩减

[发明专利]混合特征蚀刻和倒角蚀刻的系统-CN201410335866.8有效
发明人：安德列亚斯·费希尔;约翰·霍兰 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及混合特征蚀刻和倒角蚀刻的系统，具体提供了具有用于执行衬底的等离子体处理以及利用至少第一处理状态和第二处理状态的至少等离子体处理室的等离子体处理系统。
混合特征蚀刻倒角系统

[发明专利]增强等离子体蚀刻性能的方法-CN200380105311.4有效
发明人：李鲁民;雷扎·萨德杰迪;Z·黄 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2003-10-06 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种用于通过蚀刻掩模在层中蚀刻特征的方法。用钝化气体混合物在蚀刻掩模的暴露表面和所述特征的侧壁上形成保护层。用包含至少一种蚀刻化学制品和至少一种钝化化学制品的反应性蚀刻混合物通过蚀刻掩模蚀刻所述特征。
增强等离子体蚀刻性能方法

[发明专利]用于形成用以图案化衬底的结构的方法、图案化衬底的方法以及形成掩膜的方法-CN201780045678.3有效
发明人：约翰·哈塔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种用于形成用以图案化衬底的结构的方法、图案化衬底的方法以及形成掩膜的方法，该用于形成用以图案化衬底的结构的方法可包含：在安置于衬底上的掩模中提供初始掩模特征，初始掩模特征包括第一材料，衬底限定衬底平面；将离子作为离子束相对于衬底平面的垂线以非零入射角θ引导到初始掩模特征，其中形成复合掩模特征，复合掩模特征包括安置在初始掩模特征上的帽材料，帽材料包括离子；以及执行衬底蚀刻，其中在衬底中形成蚀刻特征，其中初始掩模特征的至少一部分在衬底蚀刻之后仍保留，其中衬底蚀刻以第一蚀刻速率蚀刻第一材料且以第二蚀刻速率蚀刻帽材料，第一蚀刻速率大于第二蚀刻速率。
用于形成用以图案衬底结构方法以及

[发明专利]无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻-CN201510672929.3在审
发明人：金智洙;彼得·西里格利亚诺;李尚宪;许东浩;崔大汉;S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种用于将特征蚀刻入蚀刻层的方法，该蚀刻层设在光刻胶掩模下方而没有中间硬掩模。提供多个蚀刻循环。每个蚀刻循环包括提供沉积蚀刻阶段，其将特征蚀刻入该蚀刻层和将聚合物沉积在这些特征的侧壁上和该光刻胶之上，以及提供清理阶段，其去除沉积在这些侧壁上的聚合物。
无限选择性光刻胶掩膜蚀刻

[发明专利]无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻-CN200780013713.X无效
发明人：金智洙;彼得·西里格利亚诺;李尚宪;许东浩;崔大汉;S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种用于将特征蚀刻入蚀刻层的方法，该蚀刻层设在光刻胶掩膜下方而没有中间硬掩膜。提供多个蚀刻循环。每个蚀刻循环包括提供沉积蚀刻阶段，其将特征蚀刻入该蚀刻层和将聚合物沉积在这些特征的侧壁上和该光刻胶之上，以及提供清理阶段，其去除沉积在这些侧壁上的聚合物。
无限选择性光刻胶掩膜蚀刻

[发明专利]用于控制玻璃-陶瓷制品上的表面特征体的方法以及利用该方法形成的制品-CN201680023820.X有效
发明人： B·A·巴泽莫;侯军;金宇辉;E·帕克;T·L·佩特里司凯 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：一种用于增加玻璃‑陶瓷制品触感的方法，所述方法包括：(a)用第一蚀刻剂对玻璃‑陶瓷制品的表面进行第一蚀刻，以在表面上产生多个特征体，其中，第一蚀刻剂包含氢氟酸和无机氟化物盐，且多个特征体包含突起和凹陷；以及(b)用不同于第一蚀刻剂的第二蚀刻剂对表面进行第二蚀刻，以增大相邻同类型特征体之间的距离，其中，第二蚀刻在第一蚀刻之后进行，在第二蚀刻之后，相邻同类型特征体之间的平均距离在0.5μm‑20μm的范围内，且同类型特征体的密度在9000‑25000个特征体/毫米2的范围内，并且表面在第二蚀刻后的触感大于该表面在第一蚀刻之前的触感。
用于控制玻璃陶瓷制品表面特征方法以及利用形成制品

[发明专利]临界尺寸减小及粗糙度控制-CN200680018775.5有效
发明人：李尚宪;崔大汉;金智洙;彼得·西里格利亚诺;黄志松;罗伯特·沙拉安;S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供了一种用于在蚀刻层形成特征的方法。光刻胶层在蚀刻层上形成。光刻胶层被图案化，以形成带有光刻胶侧壁的光刻胶特征。控制层在光刻胶层以及光刻胶特征底部上形成。共形层沉积在光刻胶特征的侧壁以及控制层上，以减小光刻胶特征的临界尺寸。利用控制层突破化学成分，在控制层打开开口。利用蚀刻化学成分将特征蚀刻入蚀刻层中，该蚀刻化学成分不同于控制层突破化学成分，其中，控制层比共形层更加抗蚀利用蚀刻化学成分的蚀刻。
临界尺寸减小粗糙控制

[发明专利]对于具有三层掩膜的蚀刻线弯曲和倾斜的预防-CN201210129355.1有效
发明人：安云今;竹下健二;高桥仁 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种对于具有三层掩膜的蚀刻线弯曲和倾斜的预防。提供了一种在蚀刻层上蚀刻特征的方法。用硬掩膜作为蚀刻掩膜，蚀刻有机掩膜层。通过针对所述有机掩膜和蚀刻层选择性地蚀刻所述硬掩膜，从而去除硬掩膜。用所述有机掩膜作为蚀刻掩膜，在所述蚀刻层上蚀刻特征。
对于具有三层蚀刻弯曲倾斜预防

[发明专利]垂直形貌修整-CN201410571349.0在审
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种在蚀刻层中蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整

[发明专利]垂直形貌修整-CN200680036913.2无效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种在蚀刻层中蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整

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