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[发明专利]一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置-CN202310230701.3在审
发明人：何燕;孟宪伟;刘亚辉 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置，所述方法包括：在MOS器件的源极和漏极之间施加测试电压，在测试过程中，逐渐增加测试电压；量测所述漏极与源极之间的电压作为测量电压；量测所述源极与接地极之间的电流作为测量电流；当所述测量电流达到预设值时,测量电压作为当前测量电流下的源漏击穿电压。根据本发明提供的MOS器件的源漏击穿电压的测试方法和装置，通过在源漏极之间施加测试电压的同时，测量源极与接地极之间的电流以及漏极与源极之间的电压，并将测量电流达到预设值时的测量电压作为源漏击穿电压，减少了测试电压的施加时间
一种 mos 器件击穿电压测试方法装置

[发明专利]半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置-CN201610796634.1有效
发明人：染谷满;武井学;原田信介 -专利权人：富士电机株式会社;国立研究开发法人产业技术总合研究所
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供即使对栅极施加AC电压，也能够正确测定导通时的阈值电压的波动的半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置。作为被测定物的MOSFET的漏极与恒定电压源连接，源极和基体接地。AC电压源通常对MOSFET的栅极持续施加最大电压为MOSFET的阈值电压以上的应力电压。恒定电压源在MOSFET被施加有应力电压时，向MOSFET的源极‑漏极间施加源极‑漏极间电压，并且持续测定并监视流通于MOSFET的源极‑漏极间电流。MOSFET的阈值电压的波动量基于由恒定电压源测定的MOSFET的源极‑漏极间电流的波动量而得到。
半导体装置评价方法

[发明专利]存储单元的编程方法-CN200810091745.8有效
发明人：吴昭谊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-04-14 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储单元的编程方法，此编程方法为，进行一第一编程，对栅极施加第一栅极电压，漏极施加第一漏极电压，源极施加第一源极电压，以及对衬底施加第一衬底电压，以使电子进入靠近漏极侧的氮化物层中。然后，进行一第二编程，对栅极施加第二栅极电压，对漏极施加第二漏极电压，对源极施加第二源极电压以及对衬底施加第二衬底电压，以使电子进入靠近源极侧的氮化物层中。其中，第二栅极电压小于第一栅极电压。
存储单元编程方法

[发明专利]用于仿真电阻器的集成电路-CN201110363002.3有效
发明人：赫里特·威廉·登贝斯特 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03H11/28 文献下载
摘要：在采用晶体管的情况下，晶体管被偏置到在其线性区工作，并且将依赖于AC源极-漏极电压的电压耦合到栅极电压，从而提高漏极-源极电阻相对于漏极-源极电压的线性度。通过改变栅极电压可以改变传递函数，以使得漏极-源极电阻不再依赖于漏极-源极电压。
用于仿真电阻器集成电路

[发明专利]一种原边反馈变换器、及其动态响应优化方法和装置-CN202210870793.7在审
发明人：王廷营;陆杨军;朱守伟;唐海瑞;牟恬恬;王亚洲;朱民杰;李春鹏;郝英杰;孙宇;王朝英;顾亮 -专利权人：连云港杰瑞电子有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本公开提供了一种原边反馈变换器、及其动态响应优化方法和装置，装置包括：同步整流驱动器、同步整流管和调节电路，所述同步整流管的漏极连接所述调节电路的漏极电压输入端，所述同步整流管的源极连接所述调节电路的源极电压输入端，所述调节电路的漏极电压输出端连接所述同步整流驱动器的漏极电压输入端，所述调节电路的源极电压输出端连接所述同步整流驱动器的源极电压输入端；所述同步整流管漏极电压和源极电压送入所述调节电路，经所述调节电路处理后输出调节后的漏极电压和源极电压；所述调节后的漏极电压和源极电压输入所述同步整流驱动器，用于触发所述同步整流驱动器输出所同步整流管的驱动控制信号。
一种反馈变换器及其动态响应优化方法装置

[发明专利]一种钳位光电二极管的测试方法以及装置-CN201811401039.9有效
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种钳位光电二极管的测试方法以及装置。该测试方法包括：确定施加于源极与漏极上的第一电压，并监测在第一电压作用下源极和漏极之间的第一测试电流得到第一IV曲线，其中，第一电压包括施加于源极与漏极中一个级的第一静态电压以及施加于源极与漏极中另一个级的第一动态电压；根据第一IV曲线确定施加于源极与漏极上的第二电压，并监测在第二电压作用下源极和漏极之间的第二测试电流得到第二IV曲线，其中，第二电压包括施加于源极与漏极中一个级的第二静态电压以及施加于源极与漏极中另一个级的第二动态电压；根据第一IV曲线和第二IV曲线确定钳位光电二极管中钳位层的钳位电压，钳位层接地。
一种光电二极管测试方法以及装置

[发明专利]运行期间在半桥中的功率开关的漏极到源极监控-CN202211136104.6在审
发明人： M·扎诺斯;C·穆尔塔扎;P·斯坦普林格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及运行期间在半桥中的功率开关的漏极到源极监控。驱动电路控制半桥，该半桥包括高侧功率开关和低侧功率开关。驱动器电路可以包括：高侧比较单元，被配置为确定第一漏极到源极电压，其中当高侧功率开关导通时，第一漏极到源极电压与高侧功率开关相关联；以及低侧比较单元，被配置为确定第二漏极到源极电压，其中当低侧功率开关导通时，第二漏极到源极电压与低侧功率开关相关联。高侧比较单元还可以被配置为确定第三漏极到源极电压，其中当高侧功率开关关断时，第三漏极到源极电压与高侧功率开关相关联，低侧比较单元还可以被配置为确定第四漏极到源极电压，其中当低侧功率开关关断时，第四漏极到源极电压与低侧功率开关相关联
运行期间中的功率开关漏极到源极监控

[发明专利]MOSFET本征电压的模拟计算方法-CN202110728116.7在审
发明人：顾经纶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOSFET本征电压的模拟计算方法，包括：在第一LDD区加漏极到源极的外部电压，产生的电流经过第一LDD区、第二LDD区和漏极到源极的沟道；获取漏极到源极的LDD的电阻；获取漏极到源极的初始沟道电流；从漏极到源极的外部初始电流开始，重复采用公式(1)、公式(2)和公式(3)进行迭代算法多次计算模拟电压和模拟电流，当计算得到的模拟电流与前一次计算得到的模拟电流的差值小于设定值时，停止迭代计算，模拟电压为源极和漏极以及栅极和源极之间的本征电压，模拟电流为源极和漏极之间的沟道电流。本发明可以模拟MOSFET的本征电压和沟道电流，并且模拟计算后的本征电压和沟道电流的值与实际的本征电压和沟道电流的值更接近。
mosfet 电压模拟计算方法

[发明专利]主动式显示器的驱动方法-CN200510074967.5有效
发明人：唐宇骏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-06-06 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：上述启动薄膜晶体管的步骤包括提供一栅极驱动电压于薄膜晶体管的栅极；提供一源极显示电压于薄膜晶体管的源极；以及提供一漏极显示电压于薄膜晶体管的漏极。上述重置薄膜晶体管电性的步骤包括提供一栅极重置电压予薄膜晶体管的栅极；提供一源极重置电压予薄膜晶体管的源极；以及提供一漏极重置电压予薄膜晶体管的漏极。栅极重置电压小于或等于源极重置电压或漏极重置电压，而源极重置电压或漏极重置电压为可调。
主动显示器驱动方法

[发明专利]一种负压调压电路-CN201210386252.3无效
发明人：乔晓辉;王纪云;王晓娟 -专利权人：郑州单点科技软件有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：第一PNP晶体管的源极接地，栅极接电压输入端，漏极接第三PNP晶体管的源极和第四PNP晶体管的源极；第二PNP晶体管的源极接地，栅极接电压输入端，漏极接第三NPN晶体管的漏极和电压输出端；第三PNP晶体管的栅极接负电压源，漏极接第一NPN晶体管的漏极和第三NPN晶体管的栅极；第一NPN晶体管的源极接负电压源，栅极接第四PNP晶体管的漏极和第二NPN晶体管的栅极和漏极；第二NPN晶体管的源极和第三NPN晶体管均接负电压源；第四PNP晶体管的栅极分别通过第一电阻和第二电阻接电压输出端和参考电压输出端。该电路可实现负电压的调压，体积较小、功耗小、速度高、结构简单。
一种调压电路

[发明专利]低噪声快速稳定锁相环电荷泵电路-CN202110981485.7在审
发明人：杨波 -专利权人：广州昌钰行信息科技有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H03L7/089 文献下载
摘要：本发明涉及一种低噪声快速稳定锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二电压缓冲的输出，第二电压缓冲的输入来自一个直流电压VP；第三电压缓冲的输入来自一个直流电压VN，输出接到第四MOS管漏极。第四MOS管源极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。这种低噪声快速稳定锁相环电荷泵电路降低了关键路径使用的MOS管数量，优化了MOS管工作电压，降低了噪声，同时电荷泵的开关管的电压范围是VDD到地，启动快，开启后能迅速稳定而且没有传统方案的静态漏电的问题
噪声快速稳定锁相环电荷电路

[发明专利]电压能阶差参考电路-CN200910204052.X无效
发明人：郑文昌 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种电压能阶差参考电路，包含：一第一NMOSFET，具有一漏极以及一源极；一第二NMOSFET，具有一漏极以及一源极，该第一NMOSFET的该源极以及该第二NMOSFET的该源极均耦接至具有一第一固定电压电平的一第一特定电压；以及一电压维持电路，耦接于该第一NMOSFET的该漏极以及该第二NMOSFET的该漏极，该电压维持电路是将该第一NMOSFET的该漏极的电压电平以及该第二NMOSFET的该漏极的电压电平维持在同一电压电平
电压能阶差参考电路

[发明专利]通过纵向源极跟随器感测的反向电流保护电路-CN201610046519.2有效
发明人： A·芬尼;B-E·马泰 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：提供了通过纵向源极跟随器感测的反向电流保护电路。单片集成电路包括低电压控制电路、纵向功率晶体管以及源极跟随器。纵向功率晶体管至少包括漏极。源极跟随器包括耦合到纵向功率晶体管的漏极的漏极、耦合到限制电压节点的栅极以及耦合到高阻抗节点的源极。源极跟随器被布置为使得在源极跟随器的源极处的源极电压是纵向功率晶体管的漏极电压的电压受限版本。低电压控制电路包括驱动器和保护电路，被布置为检测源极电压，驱动纵向功率晶体管，并且至少部分地基于源极电压来调节纵向功率晶体管如何被偏置。
通过纵向跟随器感测反向电流保护电路

[发明专利]体开关电路-CN202210561338.9在审
发明人：丹尼尔·帕斯蒂·苗尼;亚尔莫·韦内尔 -专利权人：北欧半导体公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及体开关电路，该体开关电路包括：第一晶体管，该第一晶体管耦合到负载并且具有耦合到源极电压的源极以及耦合到漏极电压的漏极；第二晶体管和第三晶体管，该第二晶体管和该第三晶体管与第一晶体管并联地彼此串联耦合在源极电压与漏极电压之间，其中，第一晶体管的体与第二晶体管和第三晶体管的体耦合，其中，第二晶体管的栅极经由第一阻抗电路耦合到源极电压并且第三晶体管的栅极经由第二阻抗电路耦合到漏极电压，以形成由源极电压和漏极电压控制的比较器开关并且将源极电压与漏极电压中的较大者动态地切换到负载
开关电路

[实用新型]一种低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路-CN201822011269.6有效
发明人：郭迪;赵聪;孙向明 -专利权人：华中师范大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：一种低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路，包括第一、第二NMOS管，第一、第二、第三、第四PMOS管；第一NMOS管的栅极接第一输入电压，漏极通过电阻、电感接第二电源电压，通过第一电容接第一PMOS管的栅极和漏极，通过第二电容接第三PMOS管的栅极和漏极，源极接电流源；第二NMOS管的栅极接第二输入电压，漏极接第四PMOS管的漏极及激光二极管VCSEL的阳极，源极接电流源；第一PMOS管的漏极接第三PMOS管的源极，源极接第一电源电压，栅极接第二PMOS管的栅极，第二PMOS管的漏极接第四PMOS管的源极，源极接第一电源电压；第三PMOS管的漏极接电流源，栅极接第四PMOS管的栅极。本实用新型实现高电源电压与低电压核心MOS管设计的结合，避免高压MOS管的使用，有效保障高带宽指标。
漏极源极电源电压电流源低电压CMOS 驱动电路输入电压电容电感本实用新型高电源电压激光二极管高压MOS管阳极有效保障低电压高带宽电阻

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