“测量基片”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果982041个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN202210439545.7在审
发明人：苗木俊树;山村健太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质，其能够抑制基片的膜厚测量结果的偏差。基片处理装置对要由膜厚测量装置测量的基片进行处理，其包括：加热处理部，其对涂敷有涂敷膜的基片进行加热处理；和流体供给部，其对由上述加热处理部处理中或处理后的基片供给流体，其中，上述流体能够抑制至由上述膜厚测量装置进行膜厚测量为止的测量时间的差异引起的膜厚的偏差
处理装置方法存储介质

[发明专利]基片检查系统、基片检查方法和存储介质-CN202010484089.9在审
发明人：中村泰之;鹤田丰久;野田康朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基片检查系统、基片检查方法和存储介质，其中，基片检查系统包括：拍摄部，其设置于基片处理装置中，拍摄在表面形成有膜的颜色信息用基片的表面来获取图像数据；膜厚测量部，其设置于基片处理装置中，测量以与颜色信息用基片相同的条件在表面形成了膜的膜厚测量用基片的膜厚；和模型制作部(107)，其制作膜厚模型，膜厚模型表示了基于图像数据获得的关于因膜的形成而引起的颜色信息用基片的表面的颜色变化的信息、与由膜厚测量部测量出的膜厚测量用基片的膜厚的对应关系。根据本发明，能够更简单地制作用于计算对象基片上所形成的膜的膜厚的模型。
检查系统方法存储介质

[发明专利]一种薄基片变形的测量方法与装置-CN201310187846.6有效
发明人：康仁科;董志刚;刘海军;佟宇;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-18 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄基片变形的测量方法与装置，属于物体变形的测量方法与装置领域，涉及对薄基片变形的测量方法与装置。该测量方法是将被测量的薄基片浸没于密度与之相近的液体中，采用固定销限定薄基片在液体中水平位置，在空气与液体交界处放置高平面度和平行度的透明平板，透明平板上表面在液体表面之上，透明平板下表面在液体表面之下采用光学位移传感器扫描测量薄基片的表面位移。测量装置中，光学位移传感器通过安装板固定在竖直平移台上，薄基片由三个锥形销支撑限位，整体固定于溶液中。本发明有效减少薄基片测量过程中重力附加变形的影响，可准确测量厚度较小而平面尺寸较大的薄基片变形，测量结果准确可靠。
一种薄基片变形测量方法装置

[发明专利]基片抛光设备和基片抛光方法-CN200480017029.5有效
发明人：户川哲二;深谷孝一;多田光男;高桥太郎;须藤康成 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2004-06-17 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。
抛光设备方法

[发明专利]基片搬运装置、基片处理系统和基片处理方法-CN202111524734.6在审
发明人：阪上博充;儿玉俊昭 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片搬运装置、基片处理系统和基片处理方法，在减压气氛下搬运基片的基片搬运装置中，能够始终监视基片的位置。本发明的基片搬运装置在减压气氛下对基片处理装置搬运基片，包括：基片保持部，其用于保持所述基片；和基片测量部，其被设置于所述基片保持部，对所述基片相对于该基片保持部的位置进行测量。
搬运装置处理系统方法

[发明专利]基片抛光设备-CN200480013882.X有效
发明人：广川一人;小林洋一;中井俊辅;大田真朗;佃康郎 -专利权人：株式会社荏原制作所;株式会社岛津制作所
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： B24B49/12 文献下载
摘要：一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56，58)。
抛光设备

[发明专利]膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法-CN202110224635.X在审
发明人：品田正人;竹山环;小野一修;铃木直行;千早宏昭;E·N·阿瓦拉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以in‑situ的方式测量成膜后的非常薄的膜的膜厚的膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法。膜厚测量装置是在成膜系统中以in‑situ的方式测量形成在基片上的膜的膜厚的膜厚测量装置。该膜厚测量装置包括：能够载置形成有膜的基片的载置台；测量光射出/检测单元，其具有向载置台上的基片射出膜厚测量用的光的光射出部，和接收光在基片反射后的反射光的受光传感器；使光在基片上的照射点移动的移动机构；测量受光传感器与基片上的照射点之间的距离的测距仪；和调节受光传感器与基片上的照射点之间的距离的距离调节机构。
测量装置测量方法系统方法

[发明专利]一种电化学改进型电极的球形纳米传感器原位测量装置-CN202011165616.6有效
发明人：田雁飞;郭永艳;杨玲;伍惠玲;谢婷;欧宇 -专利权人：湖南有色金属职业技术学院
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01N27/28 文献下载
摘要：本发明涉及纳米传感器测量技术领域，具体为一种电化学改进型电极的球形纳米传感器原位测量装置，包括底盒，底盒的底面开设有通口，通口的内部设置有橡胶片，通口的内部插接有对接片，对接片固定在电学测量基片的底面；有益效果为：本发明提出的电化学改进型电极的球形纳米传感器原位测量装置在底盒的底面开设通口，通口内部加设橡胶片，如此电学测量基片塞入底盒后，电学测量基片底面的对接片插入通口，且电学测量基片上部被限位圈限位不会出现颠簸晃动，需要拆除电学测量基片时，从通口向上挤推橡胶片，橡胶片发生形变将对接片从通口推出，此时电学测量基片在底盒中被抬升，便于将电学测量基片从底盒取出。
一种电化学改进型电极球形纳米传感器原位测量装置

[发明专利]测量装置、基片处理系统和测量方法-CN202010016936.9在审
发明人：藤原慎;尾上幸太朗;田中茂喜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供测量装置、基片处理系统和测量方法。实施方式的测量装置包括输送部、拍摄部和测量部。输送部输送形成有图案的基片。拍摄部在其与基片的距离进入规定聚焦范围内的情况下，开始基片的拍摄。测量部基于通过拍摄获得的图像信息来测量图案的形状。本发明能够高精度地拍摄图案形状。
测量装置处理系统测量方法

[发明专利]基于基片集成波导的介电系数测量探头及测量系统-CN201810989450.6有效
发明人：陈倩;刘长军;黄卡玛 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及介电系数测量技术。本发明公开了一种基于基片集成波导的介电系数测量探头及测量系统。本发明基于基片集成波导的介电系数测量探头，包括基片集成波导，所述基片集成波导宽壁上设置有测量孔。本发明的介电系数测量系统，包括上述基于基片集成波导的介电系数测量探头以及测量仪；所述介电系数测量探头通过传输线与测量仪连接；所述测量仪为矢量网络分析仪，基于人工神经网络，根据S参数计算被测介质的介电系数本发明的有益效果是，基片集成波导结构易于加工，实测模型与仿真模型一致性好，可利用神经网络对微波测量仪的测量数据进行反演，直接得到待测物的介电系数及相关参数，测试具有实时、准确的特点。
基于集成波导系数测量探头系统

[发明专利]一种透过率测量准确性标定方法-CN201910338867.0在审
发明人：刘卫静;廖志杰;何毅;林妩媚;邢廷文 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种透过率测量准确性标定方法，该方法用于光学元件透过率测量装置的透过率测量准确性标定中。根据光学元件基片透过率稳定的特点，测量光学元件单片及多片组合的透过率，通过比较多个基片的透过率测量值和单个基片测量结果计算得到多个基片透过率计算值，得到透过率测量的准确性。
透过率测量标定透过率测量光学元件光学元件基片单个基片多片组合光学元件单片

[发明专利]温度测量装置、热处理装置和温度测量方法-CN202110880288.6在审
发明人：沟部优 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够模拟地测量用高温的热板加热时的基片的温度的温度测量装置、基片处理装置和温度测量方法。温度测量装置包括：测量用基片，其搭载有测量温度的传感器；获取上述传感器的检测结果的信息处理部；和将上述传感器与上述信息处理部连接的电缆，上述信息处理部构成为，可拆装地安装在与设置有热板的加热区域隔着冷却区域相对的被安装部，上述电缆构成为，在上述被安装部安装有上述信息处理部的状态下通过使载置有上述测量用基片的冷却板从上述冷却区域移动到上述加热区域来将上述测量用基片载置在上述热板时，能够跟随上述测量用基片的移动。
温度测量装置热处理测量方法

[发明专利]一种基于EMNZ媒质的温湿度传感器及其制备方法-CN202310664112.6在审
发明人：吴赞红;亢中苗;邓晓智 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力调度控制中心
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于EMNZ媒质的温湿度传感器及其制备方法，包括：第一基片集成波导结构、第二基片集成波导结构和空气波导结构；所述空气波导结构设置于所述第一基片集成波导结构和所述第二基片集成波导结构之间，所述空气波导结构的内部介质为空气，内部设置有若干测量区域，所述测量区域用于添加待测量物质的掺杂材料；所述第一基片集成波导结构和所述第二基片集成波导结构的外边均设置有若干金属化过孔；所述第一基片集成波导结构设置有第一同轴馈线，所述第二基片集成波导结构设置有第二同轴馈线。本发明解决了现有技术中传感器测量精度低、测量效率低的技术问题。
一种基于 emnz 媒质温湿度传感器及其制备方法

[发明专利]成膜系统、磁化特性测量装置和成膜方法-CN202010933375.9在审
发明人：千早宏昭;E·N·阿瓦拉;石桥翔太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供成膜系统及其中使用的磁化特性测量装置和成膜方法。成膜系统包括：在基片上形成磁性膜的处理单元；磁化特性测量装置，其测量在处理单元中形成的磁性膜的磁化特性；以及在处理单元与磁化特性测量装置之间输送基片的输送部。磁化特性测量装置包括：磁场施加机构，其具有对基片施加磁场并能够调节施加到上述基片的磁场的永磁体磁路；和检测上述基片的磁化特性的检测器。本发明能够测量所形成磁性膜的磁化特性。
系统磁化特性测量装置方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202110981153.9在审
发明人：御所真高;山本周;浦智仁;冈村聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置和基片处理方法，其能够简化对在排出管线中流动的流体中的干燥液的浓度进行测量的浓度测量部的结构。基片处理装置通过将形成于基片的干燥液的液膜置换为超临界流体，来使上述基片干燥。基片处理装置包括压力容器、排出管线、减压阀和浓度测量部。上述压力容器在内部收纳形成有上述液膜的上述基片。上述排出管线将上述压力容器的内部的流体排出。上述减压阀设置在上述排出管线的中途。上述浓度测量部测量在上述排出管线中流动的流体中的上述干燥液的浓度。上述浓度测量部设置在比上述排出管线的上述减压阀靠下游处，测量由上述减压阀减压了的流体中的上述干燥液的浓度。
处理装置方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条