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[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201680043436.6有效
发明人：小笠原淳;本间史浩 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包括：掺杂物提供工序，向pn结露出的露出面中n型半导体层露出的第一露出区域提供n型掺杂物；沟道截断环形成工序，通过对第一露出区域进行激光照射，将n型掺杂物导入至n型半导体层从而形成沟道截断环至第一深度；以及氧化膜形成工序，形成氧化膜使其覆盖形成有沟道截断环的露出面，并且将沟道截断环的区域扩大至比第一深度更深的第二深度。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]集成有耗尽型结型场效应晶体管的器件及其制造方法-CN201610793855.3有效
发明人：顾炎;程诗康;张森 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成有耗尽型结型场效应晶体管的功率器件及其制造方法，所述器件包括：阱区，为第二导电类型且形成于第一导电类型区内；JFET源极，为第一导电类型且形成于阱区内；JFET源极的金属电极，形成于JFET源极上且与JFET源极接触；横向沟道区，为第一导电类型，形成于两相邻JFET源极之间且两端与两相邻JFET源极接触；JFET金属栅极，形成于阱区上。本发明可以通过调节横向沟道区的注入剂量和能量，得到不同档位的夹断电压，因而与传统的纵向沟道形成的JFET相比，其夹断电压调控更加方便。同时由于横向沟道浓度更加均匀，其夹断电压也会更加稳定。
集成耗尽型结型场效应晶体管器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN96107230.X无效
发明人：李昶权 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-04-11 - 公布日： 2001-01-10 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明揭示一个半导体器件的制造方法，特别是形成场区隔离的一种方法，场氧化膜周围的有源区的一部分用与象沟道截断杂质离子一样的杂质重掺杂的，所以，它把由场氧化的高温产生的低杂质沟道截断区转变成高杂质沟道截断区
一种半导体器件制造方法

[发明专利]方形二次电池-CN201280075245.X有效
发明人：浦野和昭;岩佐正明;纲木拓郎;松本洋 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01M2/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供具有对振动和冲撞提高了刚性的电流截断机构的方形二次电池(1)，本发明的方形二次电池(1)包括电流截断机构，该电流截断机构设置在将外部端子(61)与卷绕电极组(40)之间电连接的电流路径的途中，由于电池内压的上升而截断电流路径，电流截断机构包括配置在电池盖(3)的内侧，与外部端子(61)电连接的连接电极(67)；和与连接电极(67)接合，由于电池内压的上升而变形的导电板(68)，连接电极(67在该平板部件形成有与电池外侧连通且在平面部(67b)开口的贯通孔(61d)，导电板(68)包括随着沿轴向去直径逐渐减小的圆顶形的膜片部；和从膜片部的外形的周围边缘部向径向外侧扩展的凸缘部(68a)，膜片部覆盖连接电极(67)的贯通孔(67a)，凸缘部(68a)与连接电极(67)的平面部(67b)接合。
方形二次电池

[发明专利]具有沟道截断环的半导体器件及生产其的方法-CN201610194275.2有效
发明人： E.法尔克;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策;S.福斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有沟道截断环的半导体器件及生产其的方法。（2），位于所述衬底（2）中的有源区（AA），其具有掺杂有第一掺杂剂类型的漂移区域（22），在横向上围绕所述有源区（AA）的边缘终端区域（ER），被提供在所述前表面处并位于所述边缘终端区域（ER）中的沟道截断环端子（40），以及位于所述沟道截断环端子（40）朝向所述有源区（AA）的一侧上并被提供成与所述沟道截断环端子（40）相邻的第一抑制沟槽（50）。
具有沟道截断半导体器件生产方法

[发明专利]一种液电效应压力多点遮断电弧的防雷装置-CN202110910631.7在审
发明人：王嬿蕾;王巨丰;骆耀敬;宋永锋;李浩;何琪文;贾征浩;陈宇宁;卢杨 -专利权人：南宁超伏电气科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01T1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种液电效应压力多点遮断电弧的防雷装置，属于灭弧防雷技术领域，防雷装置设置为一个密封管，密封管两端分别设置上电极和下电极密封设置，密封管内设置有绝缘油，密封管的侧边设置有裙边，密封管的内侧边上间隔设置有灭弧栅本发明截断电弧迅速，电弧在液体中放电产生液电效应，迅速形成冲击压力波，冲击电弧在刚刚形成之时就立即被截断。冲击电弧重燃被延迟，陶瓷管内的高压破坏了持续放电条件和重燃条件，截断冲击电弧后，重燃击穿时间被大幅度延迟十几到几十微秒以上，雷电流的陡度显著降低90％，电流幅值衰减50％以上。
一种效应压力多点遮断电弧防雷装置

[实用新型]一种液电效应压力多点遮断电弧的防雷装置-CN202121852258.6有效
发明人：王嬿蕾;王巨丰;骆耀敬;宋永锋;李浩;何琪文;贾征浩;陈宇宁;卢杨 -专利权人：南宁超伏电气科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01T1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液电效应压力多点遮断电弧的防雷装置，属于灭弧防雷技术领域，防雷装置设置为一个密封管，密封管两端分别设置上电极和下电极密封设置，密封管内设置有绝缘油，密封管的侧边设置有裙边，密封管的内侧边上间隔设置有灭弧栅本实用新型截断电弧迅速，电弧在液体中放电产生液电效应，迅速形成冲击压力波，冲击电弧在刚刚形成之时就立即被截断。冲击电弧重燃被延迟，陶瓷管内的高压破坏了持续放电条件和重燃条件，截断冲击电弧后，重燃击穿时间被大幅度延迟十几到几十微秒以上，雷电流的陡度显著降低90％，电流幅值衰减50％以上。
一种效应压力多点遮断电弧防雷装置

[发明专利]逆变器装置-CN201010200554.8有效
发明人：植木健一郎;市原孝男 -专利权人：富士电机系统株式会社
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：其具有分别输出用于开通和关断桥接电路的上臂半导体开关元件和下臂半导体开关元件的驱动信号的上臂光电耦合器和下臂光电耦合器；以及控制单元，其包括产生驱动信号并将驱动信号供应给上臂光电耦合器和下臂光电耦合器的驱动信号发生电路，其中控制单元包括上臂截断电路和下臂截断电路，所述上臂截断电路和下臂截断电路根据从外部输入的截断信号，分别截断上臂半导体开关元件的驱动信号和下臂半导体开关元件的驱动信号，并且上臂截断电路和下臂截断电路根据具有相互反转的逻辑的截断信号来执行截断操作
逆变器装置

[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法-CN201610793198.2有效
发明人：顾炎;程诗康;张森 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制造方法，所述结型场效应晶体管包括：阱区，为第二导电类型且形成于第一导电类型区内；源极，为第一导电类型且形成于阱区内；源极金属电极，形成于源极上且与源极接触；横向沟道区本发明将传统JFET的纵向沟道固化下来，通过在器件表面添加横向沟道区，提高两部分沟道的比例中的横向沟道来调节整体的夹断电压，这种方法适用于更高的电流和电压。其结合了横向JFET可调节的优势而应用于纵向器件，加长了横向沟道的长度，可以忽略纵向沟道的影响而仅通过调节横向沟道而实现整个JFET的夹断电压精确调整。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200610150319.8有效
发明人：伊藤一彦;远藤恭介;塚本英之 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及制造在沟底面设置了沟道截断环的台面型半导体装置的半导体装置的制造方法，不需要用于形成沟道截断环的掩膜形成工序且形成沟时不需要精密的蚀刻技术的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法的特征在于依次包括：从第1主面侧形成越过pn结深度的沟18的沟形成工序、至少将n型杂质20供给于沟18的底面的杂质供给工序、通过将激光照射在沟18的底面使n型杂质20扩散到第1半导体层10的内部以形成沟道截断环22的沟道截断环形成工序和在沟18的内部形成钝化层28的钝化层形成工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种高迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法-CN202210206631.3在审
发明人：李煦 -专利权人：厦门大学;厦门大学九江研究院
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率自旋场效应晶体管，包括源电极、漏电极、栅电极、半导体沟道、衬底。相对现有基于单一半导体沟道的自旋场效应晶体管，本半导体沟道结构具有能带结构可调、迁移率高、载流子浓度和种类可调、自旋扩散长度长等优势；相对传统衬底的自旋场效应晶体管，本发明引入具有压电特性的衬底，可通过衬底的表面极化电场调控载流子在半导体沟道内的自旋输运，可以有效降低开启或关断电压，提升栅极控制效果；相对现有自旋场效应晶体管制备工艺，本发明可以优化自旋隧穿层的晶体质量，提升载流子的自旋极化率，进而提高器件的开关比，降低工作电流。
一种迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]用于制造具有沟道截断区域的半导体器件的方法-CN201811570537.6在审
发明人： E.法尔克;F-J.尼德诺斯泰德;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：在构件区域（600）的与锯道区域（800）连接的边缘区域中构造沟道截断区域（191），其从第一主表面（701）出发延伸到第一导电类型的构件层（710）中。沟道截断区域（191）通过在第一光刻法之前实施的光刻法来构造，所述第一光刻法用于将掺杂物引入在沟道截断区域（191）之外的构件区域（600）的区段中。
沟道截断区域构件区域光刻法构件层主表面第一导电类型半导体器件边缘区域掺杂的掺杂物延伸锯道引入制造

[实用新型]一种PVC管材的截断装置-CN202020572360.X有效
发明人：邵美俊 -专利权人：邵美俊
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： B26D3/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PVC管材的截断装置，包括工作台，支架，滑轨组件，截断组件，支撑组件和电控柜，通过设置截断组件，电动推杆推动截断电机和截断盘向下移动，使截断盘抵触到PVC管材的上方，截断电机带动截断盘转动，同时电动推杆推动截断电机和截断盘向下移动，对PVC管材进行截断作业，相比采用人工进行截断作业，提高PVC管材的截断效率，且保证截断质量一致性；通过设置滑轨组件和滑块组件，截断前，推动卡板使截断盘位于截断位置的上方，刻度尺配合卡板进行截断位置的标定，提高截断位置的定位精度，便于操作人员快速对准截断位置，滑块在滑槽内移动，提高滑块组件移动的稳定性，保证截断组件平稳高效运行。
一种 pvc 管材截断装置

[发明专利]高压方波形成装置和方法-CN201310210872.6有效
发明人：丁卫东;李志兵;朱宜东;孙岗;王浩 -专利权人：国家电网公司;西安交通大学;中国电力科学研究院
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H03K3/017 文献下载
摘要：高压方波形成装置包括：脉冲形成电路和延时截断电路；脉冲形成电路用于形成阶跃波信号，并输出到延时截断电路；延时截断电路用于将阶跃波信号截断，以便得到高压方波。本发明提出了一种新型的高压方波形成方案，通过脉冲形成电路形成阶跃波信号，利用延时截断电路将阶跃波信号截断，以便得到高压方波，该方案简单、易于实现。
高压方波形成装置方法

[发明专利]圆形结构的MgZnO薄膜晶体管的太阳能电池逆变器及其制备方法-CN201910455480.3在审
发明人：黄健;周新雨;黄柘源;胡艳;尚艺;马云诚;别佳瑛;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆形结构的MgZnO薄膜晶体管的太阳能电池逆变器及其制备方法，制备了MgZnO薄膜，对太阳能电池逆变器的结构进行了设计，本发明逆变器的结构采用电极‑绝缘层‑沟道层‑电极的结构的组合形式，依次由Cr电极、SiO₂衬底、MZO沟道和Au电极四部分进行层叠组装而成。本发明相比传统的逆变器，具有较高的阻断电压以及夹断电压，并且安全无毒，适宜使用于日常生活中的太阳能发电中。本发明价格相较IGZO材料的价格低廉，适用于大规模太阳能电池中。
逆变器太阳能电池电极制备圆形结构晶体管衬底绝缘层传统太阳能电池太阳能发电层叠组装夹断电压透明薄膜阻断电压组合形式传统的沟道层沟道薄膜无毒美观玻璃安全