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[发明专利]一种氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法-CN202011247446.6在审
发明人：赫文秀;韩晓星;兰大为;张永强;孙雪姣;崔金龙 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法，属于透明导电薄膜材料领域。提供的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜的制备方法包括在CVD法制备石墨烯薄膜时第一次掺杂适量氮硼和在将氮、硼共掺杂石墨烯引入目标基体时的第二次掺杂过程，两次掺杂工艺简单，掺杂剂掺杂稳定，使得制备得到的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜不仅具有较小的厚度
一种掺杂石墨复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种氮化钒杂化和氮掺杂的多孔碳材料及其制备方法和应用-CN202010448236.7在审
发明人：耿建新;杨欣玥;贾云灿 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C01B32/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钒杂化和氮掺杂的多孔碳材料(包括氮掺杂的多孔石墨化碳)，以及杂化在所述氮掺杂的多孔石墨化碳中的氮化钒；其中，按重量份计，各组分的含量为：氮掺杂的多孔石墨化碳100份、氮化钒0.1‑400份、氮在氮掺杂的多孔石墨化碳中的掺杂量为0.01‑55atom％。
一种氮化钒杂化掺杂多孔材料及其制备方法应用

[发明专利]硅基复合材料及其制备方法、锂离子电池-CN202311035447.8在审
发明人：朱岩;秦曦;周敏;李腾飞;卫郝;林森;董一航 -专利权人：陕西埃普诺新能源科技有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基复合材料及其制备方法、锂离子电池，硅基复合材料包括以下质量百分比的组分：60％～90％氮掺杂的硅基材料和8％～30％氮掺杂的碳包覆层；氮掺杂的碳包覆层包覆在氮掺杂的硅基材料表面。通过氮掺杂的硅颗粒和氮掺杂的碳包覆层之间的协同作用，不仅提高了硅基材料的电子导电率，提升其倍率性能，还有效缓冲硅基材料在脱嵌锂过程中由于体积膨胀产生的应力，提升材料循环稳定性。
复合材料及其制备方法锂离子电池

[发明专利]一种Janus氮掺杂碳纳米纤维薄膜及制备方法与应用-CN202010490452.8有效
发明人：赵相龙;陈婷;王惠临;庞岩涛;陈艳平;李鲁艳;时术华 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Janus氮掺杂碳纳米纤维薄膜及制备方法与应用，其制备方法为：在惰性气氛中，向碳纳米纤维薄膜通入氨气与惰性气体的混合气体，加热至850～950℃，处理3～15min，获得氮掺杂碳纳米纤维薄膜；将氮掺杂碳纳米纤维薄膜一面的氮掺杂层去除获得Janus氮掺杂碳纳米纤维薄膜。本发明提供的Janus氮掺杂碳纳米纤维薄膜一面疏水、另一面亲水，可以半漂浮在水面上，能够实现同时吸收水面的油类和吸附溶解在水里的染料。
一种 janus 掺杂纳米纤维薄膜制备方法应用

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510703668.7有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成第一氮掺杂层；采用含氧等离子体离子注入工艺在第一氮掺杂层表面形成氧掺杂层，所述含氧等离子体至少包括水等离子体；在所述氧掺杂层上形成第二氮掺杂层；对所述半导体衬底进行热处理，使氧掺杂层内的氧原子向第一氮掺杂层和第二氮掺杂层内扩散，形成第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层。
半导体结构形成方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201110401468.8有效
发明人：王晓亮;毕杨;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面；一非有意掺杂铟铝氮势垒层，该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
氮化镓基高电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法-CN201510158283.7有效
发明人：方小红;蔡伟;王聪;陈小源;杨立友 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤：首先提供一基底，将所述基底置于双温区系统，并在所述双温区系统中放置碳氮源，加热以在所述基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯的前驱层；然后通入气体碳源，高温条件下碳沉积反应形成氮掺杂石墨烯薄膜。本发明在固液体碳氮源生长氮掺杂石墨烯方法的基础上引入小分子气体碳源来完善前驱层，使得现有方法中缺陷较多，电学性质较差，掺杂浓度不可控的氮掺杂石墨烯薄膜质量得到改善，从而获得电学性能优秀，缺陷较少的氮掺杂可控的
一种掺杂石墨薄膜制备方法

[发明专利]氮掺杂碳微球及其制备方法与应用-CN202110020317.1在审
发明人：陈宏坤;郑瑾;杜显元;占敬敬;田佩婷;宋佳宇;梁莉;吴慧君 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂碳微球及其制备方法与应用，该制备方法包括以氨基葡萄糖硫酸盐和β‑环糊精的混合溶液为前驱液，将所述前驱液雾化为液滴，将液滴碳化、煅烧，得到所述氮掺杂碳微球。本发明还提供了上述制备方法得到的氮掺杂碳微球。本发明进一步提供了上述氮掺杂碳微球在在工业污水处理中的应用。上述制备方法利用富氮前驱体原位合成氮掺杂碳微球，操作简单且绿色无害，无副产物产生，得到的氮掺杂碳微球具有单分散性、不易团聚。
掺杂碳微球及其制备方法应用

[发明专利]一种氮掺杂氧化石墨烯材料及其制备方法-CN201410053053.X有效
发明人：马忠;原鲜霞;李琳;马紫峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及氮掺杂氧化石墨烯材料及其制备方法，该材料为氧化石墨烯中部分碳原子被氮原子所替代。其制备方法包括：石墨粉先经预膨胀，然后通过向所得预膨胀石墨粉中掺杂氮元素得到氮掺杂石墨粉，随后利用氧化-剥离法得到氮掺杂氧化石墨，再经超声分散得到氮掺杂氧化石墨烯材料。与现有技术相比，利用本发明所公开的氮掺杂氧化石墨烯不仅可以在较温和的条件下经还原过程快速、廉价地制得高品质的石墨烯，而且有可能使氧化石墨烯表现出新的特性从而拓展其应用领域。
一种掺杂氧化石墨材料及其制备方法

[发明专利]一种规模化制备氮掺杂石墨烯的方法-CN201510945417.X在审
发明人：于淼;陈崇;孙晔;赵公元 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种规模化制备氮掺杂石墨烯的方法，本发明属于氮掺杂石墨烯制备技术领域，它为了解决现有制备氮掺杂石墨烯的方法无法大规模生产、成本高、制备条件苛刻、合成工艺复杂的问题。氮掺杂石墨烯的制备方法：一、将镁粉和碳氮源混合，得到前驱体；二、将前驱体置于惰性气体中，然后以2～50℃/min的升温速率升温至700℃～1400℃，再经过酸洗、超声、抽滤、烘干得到氮掺杂石墨烯。本发明以镁作为强还原剂，三聚氰胺等作为碳氮源，所用原料成本低廉，且后处理时仅用稀酸，工艺简单、操作方便，此外本方法生产周期短、可原位掺杂氮、易于规模化生产，制备得到的氮掺杂石墨烯层数少。
一种规模化制备掺杂石墨方法

[发明专利]氮掺杂石墨烯复合材料、其制备方法、电极片以及超级电容器-CN201210484414.7在审
发明人：周明杰;钟玲珑;王要兵;刘大喜 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01G11/32 文献下载
摘要：本发明属于电化学领域，其公开了一种氮掺杂石墨烯复合材料、其制备方法、电极片以及超级电容器；该氮掺杂石墨烯复合材料的制备方法包括步骤：制备氧化石墨烯悬浮液；制备含氧化石墨烯的凝聚状溶液；制备氮掺杂的氧化石墨烯溶液；制备氮掺杂石墨烯复合材料。本发明的氮掺杂石墨烯复合材料制备方法，能够得到高比表面积、高电导率的氮掺杂石墨烯复合材料，采用该氮掺杂石墨烯复合材料制备超级电容器能提高电容器的能量密度和功率密度；该方法一步到位实现了石墨烯材料的多种性能
掺杂石墨复合材料制备方法电极以及超级电容器

[发明专利]一种氮掺杂碳量子点及其制备方法和应用-CN201910361759.5在审
发明人：李承勇;苏添添;余梓桦;陆宇琴;陆子凡;洪鹏志;周春霞 -专利权人：广东海洋大学深圳研究院;广东海洋大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂碳量子点及其制备方法和应用，所述氮掺杂碳量子点的制备方法包括：以1,2,4‑三氨基苯作为碳前体，经反应、分离提纯得到。本发明以1,2,4‑三氨基苯作为碳前体，通过溶剂热法制备得到氮掺杂量子点，所制备的氮掺杂量子点表现出优异的单分散性、光稳定性和储存稳定性，具有强烈的黄色发射性；通过化学组成和结构分析，氮掺杂量子点被证实含有各种与N有关的官能团；且Ag⁺会逐渐使氮掺杂量子点产生荧光猝灭现象，因此，制备的氮掺杂碳量子点在Ag⁺检测方面具有较好选择性和灵敏检测的实用性。
氮掺杂量子点制备制备方法和应用三氨基苯碳前体储存稳定性单分散性分离提纯光稳定性化学组成结构分析灵敏检测发射性溶剂热荧光猝灭检测表现

[发明专利]硅氮共掺杂石墨烯材料及其制备方法以及其应用-CN201910630028.6在审
发明人：李新昊;翟光耀;于秋莹;吕利冰;陈接胜;野田克敏;后藤哲 -专利权人：丰田自动车株式会社;上海交通大学
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型硅氮共掺杂石墨烯材料及其制备方法，所述硅氮共掺杂石墨烯材料在石墨烯骨架中共掺杂有硅原子和氮原子。在所述硅氮共掺杂石墨烯材料的制备方法中，将含硅源、碳源、氮源的材料以一定比例混合后加水溶解，并在70‑90℃下蒸干得到混合均匀的粉末固体，并在氮气马弗炉中高温煅烧，得到黑色硅氮共掺杂石墨烯材料。本发明的新型硅氮共掺杂石墨烯材料作为一种新型催化剂或载体在电催化、光电催化及电子器件等方面有潜在的应用价值。本发明的新型硅氮共掺杂石墨烯材料的制造方法，其制作工艺简单，安全绿色且成本低廉，可以满足规模化生产的需要。
硅氮共掺杂石墨材料及其制备方法应用

[发明专利]一种氮掺杂石墨烯量子点、薄膜、制备方法、应用-CN202310467205.X在审
发明人：郭国强;陈达;李婷婷;王一茹;王昌兴;李夏梦;唐思源 -专利权人：宁波大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂石墨烯量子点、薄膜、制备方法、应用，将三聚氰胺和邻苯二胺混合溶解至溶剂中，转移至反应釜中进行水热反应，对反应产物进行过滤，将滤液进行干燥得到氮掺杂石墨烯量子点。氮掺杂石墨烯量子点和新胭脂红之间存在能量的竞争吸收，氮掺杂石墨烯量子点的发射能量转移至新胭脂红，不仅导致氮掺杂石墨烯量子在522nm处的发射峰荧光淬灭，也导致了氮掺杂石墨烯量子的两个激发峰位的信号强度差异降低由此本发明提供了一种廉价、针对新胭脂红检测下限低并能够定量检测的氮掺杂石墨烯量子点。
一种掺杂石墨量子薄膜制备方法应用

[发明专利]一种氮掺杂石墨烯基吸波材料的制备方法-CN202310704276.7在审
发明人：刘家琴;吴运飞;汪嘉恒;崔接武;张勇 -专利权人：合肥工业大学智能制造技术研究院
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：一种氮掺杂石墨烯基吸波材料的制备方法，涉及吸波材料领域，首先将铁氧体固废进行提纯处理，接着将其和氧化石墨烯、三聚氰胺超声混合后烘干，再煅烧得到氮掺杂石墨烯‑铁氧体复合材料。最后，利用有机硅树脂进行强化复合制备得到氮掺杂石墨烯基吸波材料。本发明将利用铁氧体固废制备吸波材料工艺与氮掺杂石墨烯制备工艺相结合，通过原位反应制备氮掺杂石墨烯‑铁氧体复合材料，继而实现高性能吸波材料的制备。所制备的氮掺杂石墨烯基吸波材料，在1～18GHz测试频段内屏蔽效能均超过了25dB，表明该氮掺杂石墨烯基吸波材料具有优异的电磁波吸收性能。
一种掺杂石墨烯基吸波材料制备方法