“结构分析”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果10160290个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]结构变体分析-CN201880086046.6在审
发明人：尼古拉斯·H·帕特南;克里斯多佛·约翰·特罗尔 -专利权人：多弗泰尔基因组学有限责任公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C12Q1/6874 文献下载
摘要：本公开内容提供了鉴定和报告基因组或染色体水平结构信息如结构变异的存在的方法、系统和算法。在一些情况下，结构变异包括拷贝数变异、倒位、缺失、串联重复或反向重复。
结构变体分析

[发明专利]多维结构分析-CN03812890.X有效
发明人： V·拉斯彻;B·莫瓦萨格希;M·格拉斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-05-21 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：提供了一种从各个预定投影方向的二维数据集中分析包含管状结构的多维结构的方法。在两个单独的初始二维数据集和另一个二维数据集中，识别出管状结构的一对相应的初始投影中心点。在所述初始二维数据集以及各个投影中心点附近的所述另一个二维数据集中，识别出管状结构的投影边缘。从该投影边缘以及预定投影方向中，导出在管状结构中心点三维空间位置的管状结构局部尺寸。
多维结构分析

[发明专利]多步生化分析的分析结构-CN202180030538.5在审
发明人：凯特琳·乙·安德森;乔舒亚·戴维斯·毕夏普;戴维·迈克尔·凯特;本杰明·戴维·格兰特;托安·黄;达米安·马丹 -专利权人：脱其泰有限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：实施例包括在一次性使用的一次性盒子中的分析装置，用于具有至少一个流体井和至少一个毛细管阀的生化分析。尽管用户同时将液体试剂添加到盒子中，但毛细管阀与分析中多孔板材的运动相结合导致在不同时间向分析添加液体试剂。
生化分析结构

[发明专利]芯片结构分析方法-CN202211062943.8在审
发明人：刘金山;刘红军;王为民 -专利权人：长电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片结构分析方法，所述分析方法包括步骤：研磨焊球，并在研磨焊球过程中，控制研磨功率使研磨产生的振动传递至中间层，在中间层上形成裂纹；去除钝化层，去除形成裂纹的中间层，对金属线路层进行分析。产生裂纹的中间层结构强度降低，并且层间结合力降低，更容易去除，无需使用特殊化学溶剂或使用专业研磨机，方法操作性强的同时效率高。
芯片结构分析方法

[实用新型]外延缺陷分析结构-CN201220641783.8有效
发明人：杨彦涛;赵仲镛;蒋敏;蒋墨染;谢波 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本实用新型对外延缺陷分析结构中的阻挡层保护区域所保护的半导体衬底和外延生长区域中形成的外延层进行缺陷相关性分析对比，判断形成外延层中的外延缺陷来自于外延工艺、外延前半导体制造工艺、还是半导体衬底，避免进行缺陷相关性分析对比时
外延缺陷分析结构

[发明专利]分析装置的进出仓结构、分析装置及分析系统-CN202180000981.8在审
发明人：马相国;刘浩男;耿凯;罗欣莹 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种分析装置的进出仓结构、分析装置及分析系统，该进出仓结构，用于运送分析装置的用于承载检测芯片的装载部，以实现装载部的进仓或出仓，其中，进出仓结构包括承载主体、导向支撑组件和仓门开关组件，其中，承载主体用于承载装载部；导向支撑组件设置在分析装置的仓体内的底板上，用以支撑承载主体，且导向支撑组件与承载主体可移动地连接，以使承载主体能够沿进仓或出仓的方向移动；仓门开关组件设置在底板上，且位于承载主体的远离仓门的一侧
分析装置进出结构系统

[发明专利]芯片装载结构、分析装置及分析系统-CN202180000986.0在审
发明人：侯孟军;马相国;耿凯;吴琼;王友学;刘宗民 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：一种芯片装载结构(2)、分析装置(100)及分析系统(300)，该芯片装载结构(2)包括装载板体(21)，装载板体(21)的内部具有用于容纳检测芯片(1)的容置空间；装载板体(21)的第一板面(2a)上设置有贯通至容置空间的第一镂空区第一镂空区(23)用于暴露检测芯片(1)的反应观测区(24)；至少一个第二镂空区(24)用于暴露检测芯片(1)的至少一个试剂端口；装载板体(21)上还设置有连接部(27)，连接部(27)能够采用可拆卸地方式与分析装置
芯片装载结构分析装置系统

[发明专利]分析系统、分析方法及其流路结构-CN200910173550.2有效
发明人：庞绍华;蔡忠宪;黄富骏;杨志文 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-09-15 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开一种分析系统、分析方法及其流路结构。该分析系统，可对于具有不同成分的一工作流体进行分析。分析系统包括一均分单元、一分离单元与一侦测单元。具截面积递减的均分单元可对于所输入的工作流体进行均分。
分析系统方法及其结构

[发明专利]分析系统及其分析方法、流路结构-CN200810109929.2有效
发明人：蔡忠宪;曾景泰;黄建志;谢文彬;蔡晓忠;柯震宇 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： G01N1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种分析系统及其分析方法、流路结构。该分析系统，包括一工作流体、一均分单元与一分离单元。工作流体包括了具有不同性质的一第一成分与一第二成分。
分析系统及其方法结构

[发明专利]半导体结构的分析方法及分析装置-CN202010517129.5有效
发明人：黄宗炼;王亚东;彭冰川;熊柯迪;柳祚钺 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的分析方法及分析装置。所述半导体结构的分析方法包括如下步骤：提供一待测样品，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同本发明实现了对具有相同材料、不同致密度的膜层之间界面的定位；并且，实现了对缺陷的定位，提高了半导体结构分析的准确度和可靠性。
半导体结构分析方法装置

[发明专利]半导体结构的分析方法及分析装置-CN202011525982.8有效
发明人：张硕 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的分析方法及分析装置。所述半导体结构的分析方法包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构中具有呈周期性排布的多个重复结构单元；发射一检测光至所述半导体结构，获取经所述半导体结构衍射的空间衍射光强数据；对所述空间衍射光强数据进行傅里叶变换处理，得到多个所述重复结构单元产生的样品衍射图样；根据所述样品衍射图样的光强分布获取所述半导体结构相对于预设基准线的偏转角度；根据所述偏转角度旋转所述半导体结构；拍摄所述半导体结构的图像。本发明对半导体结构的偏转角度进行了自动补偿，提高了后续对半导体结构的特征尺寸进行测量的准确度。
半导体结构分析方法装置

[发明专利]导流罩结构分析方法、装置、设备及存储介质-CN202211481850.9在审
发明人：刘凯扬;张瑞俊;邓聚才;张锦宙;段小勇;陈思佳 -专利权人：东风柳州汽车有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于车辆技术领域，公开了一种导流罩结构分析方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取待分析导流罩结构的导流罩数模；对所述导流罩数模进行模型建立，得到待分析模型；根据预设分析工况和所述待分析模型进行结构分析，得到分析结果；根据所述分析结果完成对所述待分析导流罩结构的分析。通过上述方式，根据导流罩数模进行模型建立，并根据预设分析工况和待分析模型进行结构分析，从而得到分析结构，最终根据分析结果可完成对待分析导流罩结构的分析，实现了对导流罩的结构进行准确高效的分析，为后续车型开发过程中产品结构设计提供理论依据
导流结构分析方法装置设备存储介质

[发明专利]分析离子结构的方法-CN201410454208.0在审
发明人：徐伟;贺木易;方向 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种分析离子结构的方法，包括以下步骤：囚禁、激发离子：向一离子质量分析器施加具有高阶成分的射频电场、辅助交流电场或施加一宽频激发电场使样品离子被激发到一运动幅度，但不超过离子质量分析器的囚禁能力，此时运动幅度记为初始运动幅度，此时刻记为第一时刻；向离子质量分析器持续通入载气，并使离子质量分析器中保持一定真空度，样品离子与载气发生碰撞，运动幅度逐渐减小，直到第二时刻，采集从第一时刻到第二时刻过程中样品离子产生的镜像电流的时域信号；信号处理：通过时频分析方法对时域信号进行分析，获得包含有相应尺寸的离子的运动频率与该离子与载气的碰撞截面积的对应关系的时变特征曲线，从而区别出不同尺寸的离子。
分析离子结构方法

[发明专利]使用层次结构分析数据-CN201610206769.8有效
发明人：保罗·德卢戈施 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请涉及使用层次结构分析数据。本发明描述用于分析数据的设备、系统及方法。可使用层次结构来分析所述数据。一个此种层次结构可包含多个层，其中每一层对输入数据执行分析并基于所述分析而提供输出。可将来自所述层次结构中的较低层的输出作为输入提供到较高层。以此方式，较低层可执行较低层级的分析(例如，较基本/基础分析)，而较高层可使用来自一个或一个以上较低层的所述输出执行较高层级的分析(例如，较复杂分析)。在一实例中，所述层次结构执行型式辨识。
使用层次结构分析数据

[发明专利]失效分析方法及结构-CN202010095996.4有效
发明人：杜晓琼;卜丽丽;费腾;刘慧丽;李品欢 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种失效分析方法及结构，方法包括：获取测试结构的位置以及与所述测试结构对应的目标焊盘的位置；将所述目标焊盘电连接至空白焊盘上；通过所述空白焊盘对所述测试结构进行失效分析，其中，所述目标焊盘位于所述测试结构上方该申请中通过将目标焊盘与空白焊盘电连接，通过在空白焊盘扎针进行失效分析的方法，避免了直接在目标焊盘扎针进行失效分析的过程中，多次扎针引起的测试结构损伤的情况，提高了失效点定位的准确性。
失效分析方法结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top