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[发明专利]一种高效抗氧化二维氢锗烯纳米片及其制备方法和应用-CN202110746049.1有效
发明人：林翰;陈志鑫;施剑林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01B6/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效抗氧化二维氢锗烯纳米片及其制备方法和应用。所述二维锗纳米片具有超薄层状结构，且表面共价修饰H原子。
一种高效氧化二维氢锗烯纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种含有石墨烯以及锗离子布料-CN202110303320.4在审
发明人：许宁 -专利权人：义乌市盈云科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： D04B1/16 文献下载
摘要：本发明涉及功能性面料加工技术领域，具体公开了一种含有石墨烯以及锗离子布料，锗离子纱线以及石墨烯纱线，其所述的材料重量百分比如下：锗离子纱线56％、石墨烯纱线44％，所述锗离子纱线包括，1％锗离子以及99％涤纶；所述石墨烯纱线包括，0.1％石墨烯以及99.9％涤纶，所述锗离子纱线通过所述锗离子与涤纶进行原位聚合得到，将石墨烯纱线以及锗离子纱线进行编织成布料，石墨烯纱线以及锗离子纱线混合形成特殊材质具有远红外作用
一种含有石墨以及离子布料

[发明专利]一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法-CN202210189299.4有效
发明人：王元立;贺友华;陈美琳 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本申请涉及锗晶片加工技术领域，具体公开了一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法。用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液，其由包含以下原料制备而成：改性石墨烯粉、微囊化相变材料、改性二氧化硅粉、聚苯乙烯微球、两性表面活性剂、非离子表面活性剂、硅烷偶联剂、二氯异氰尿酸钠、氟化铵、碳酸氢钠、硫酸钠、水；改性石墨烯粉为二氧化硅、银、硅烷偶联剂对石墨烯处理得到；改性二氧化硅粉为明胶、硅烷偶联剂对二氧化硅处理得到。该精抛光液，通过原料之间的协同作用，不仅降低磷对环境的影响，而且还降低锗晶片抛光处理后的表面粗糙度，提高锗晶片抛光处理的整体性能，满足市场需求。
一种用于晶片化学机械抛光抛光方法

[发明专利]一种锗嵌入石墨烯层的三维碳网络复合材料及其制备方法与应用-CN202310045206.5在审
发明人：张俊豪;顾辉;郭兴梅;郑祥俊;刘元君 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：一种锗嵌入石墨烯层的三维碳网络复合材料及其制备方法与应用。配制1~4 wt%F127溶液，再加入二氧化锗得到澄清透明的混合溶液，所述二氧化锗述与F127的质量比为1：4；取10 mg氧化石墨烯加入混合溶液中，得黑色GeO2/F127/GO复合材料，在1500 rmp的转速下，投入5~40 mg的碳纳米管，超声1~1.5 h，再以相同的转速搅拌，对样品进行冷冻干燥，得到黑色前驱体；将黑色前驱体在通有氢氩混合气的管式炉中高温碳化还原，得到锗嵌入石墨烯层的三维碳网络复合材料。
一种嵌入石墨三维网络复合材料及其制备方法应用

[发明专利]基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料及其制备方法-CN201510271326.2有效
发明人：王志勇;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料及其制备方法。在本发明的一实施方案之中，利用使用基于密度泛函理论的第一性原理方法，首先优化边缘氢化的理想锯齿形锗烯纳米带，然后研究异质掺杂对锯齿形锗烯纳米带自旋特性的影响，通过引入硼氮共掺杂并改变掺杂位置来调控锗烯纳米带的自旋特性，并与理想锯齿形锗烯纳米带作比较，从而得到具有半金属特性的锗烯纳米带。本发明无需通过加外电场或交换场等外场的作用来调节锯齿形锗烯纳米带的自旋特性，只需通过调节掺杂原子之间的距离就能够实现具有半金属特性的锗烯纳米带，从而可方便的实现基于锗烯纳米带的自旋电子器件。
基于锯齿形纳米金属材料及其制备方法

[发明专利]一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法-CN201610642661.3有效
发明人：狄增峰;马骏;张苗;薛忠营;贾鹏飞;汪子文;王刚;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石墨烯进行退火，以从所述点缺陷处对所述石墨烯进行刻蚀，得到纳米孔。本发明的制备锗基石墨烯纳米孔的方法获得的石墨烯纳米孔具有质量好、尺寸易于调节、不会刻蚀石墨烯等优势。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺。所以本发明的制备方法将能更快地推动石墨烯在单层膜材料上的推广与应用。
石墨烯锗基纳米孔制备点缺陷衬底刻蚀离子注入技术退火半导体行业单层膜材料退火技术离子成熟应用

[发明专利]一种制备石墨烯肖特基结的方法-CN201711086556.7在审
发明人：徐安丽;王刚;陈达;郭庆磊;张楠;李久荣;向鹏程;杨思维;丁古巧 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种制备石墨烯肖特基结的方法，包括下列步骤：(1)提供一锗衬底；(2)在该锗衬底的特定区域上旋涂形成PMMA薄膜层；(3)将该锗衬底进行第一阶段保温，排除空气、增强PMMA薄膜层中PMMA活性；(4)进行第二阶段生长，使锗衬底上的特定区域的PMMA薄膜层中PMMA的碳原子分解出来并沉积于锗衬底表面形成石墨烯；(5)使锗衬底冷却降至室温；(6)在锗衬底上长有石墨烯的特定区域和没有石墨烯的区域上分别生长一层金作为电极。本发明的有益效果为：通过在锗衬底上直接生长石墨烯，避免了转移过程，不会破坏石墨烯的优异性能，从而得到稳定的石墨烯肖特基结器件结构；免转移的制作石墨烯肖特基器件有利于降低制备成本。
石墨烯衬底肖特基结薄膜层制备肖特基器件衬底表面阶段保温阶段生长排除空气器件结构优异性能直接生长碳原子电极上旋沉积冷却分解生长制作

[发明专利]柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法-CN202211473690.3在审
发明人：李连碧;丁斌斌;李蕾;贡楷文;王蓉;李泽斌;张国青;夏蔡娟;宋立勋;曹得重;臧源;胡继超;林生晃 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
柔性石墨锗异质结制备方法转移

[发明专利]富锗氨基酸复合肥的生产方法-CN200910011337.1有效
发明人：杨平;谭新国 -专利权人：大连三禾生物有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种既可促进农作物生长、提高农作物产量、补充土壤中缺乏的营养元素和有机物质，又能改善果实品质、提高农作物中有机锗含量的富锗氨基酸复合肥的生产方法，是在搪瓷反应釜中加入豆粕及水浸泡至豆粕吸水均匀；加入工业浓硫酸在110～120℃条件下搅拌水解；在釜罐内温度降温至80℃时，加碳酸氢铵调pH至中性，继续冷却至常温；按顺序边搅拌边加入如下组分：磷酸氢二氨、尿素、硫酸锌、硫酸铜、硼酸、钼酸铵、硝酸烯钍、二氧化锗、氯化钾、菜籽饼粉、中性蛋白酶；干燥造粒或静置过夜取10％的上清液。
氨基酸复合生产方法

[发明专利]在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法-CN201810803257.9有效
发明人：狄增峰;郑鹏荣;董林玺;薛忠营 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法，所述制备方法包括：提供一GOI结构，所述GOI结构包括绝缘衬底，和形成于所述绝缘衬底上的锗层；对所述GOI结构进行退火处理，以于所述绝缘衬底上形成锗量子点阵列；于所述锗量子点阵列上形成石墨烯量子点阵列，其中，所述石墨烯量子点阵列中各石墨烯量子点与所述锗量子点阵列中各锗量子点一一对应，且所述石墨烯量子点包裹所述锗量子点；以及对上一步骤所得结构中的所述锗量子点阵列进行氧化挥发处理，以去除所述锗量子点阵列，实现在所述绝缘衬底上直接制备所述石墨烯量子点阵列。通过本发明解决了现有无法制备出排列有序的石墨烯量子点阵列的问题。
绝缘衬底直接制备石墨量子阵列方法

[发明专利]一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法-CN201510952653.4有效
发明人：狄增峰;汪子文;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;张苗;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯。本发明通过在绝缘衬底上制备锗薄膜，并光刻刻蚀所述锗薄膜形成所需图形后，催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上图形石墨烯，克服了采用光刻刻蚀工艺对石墨烯进行刻蚀所带来的光刻胶等污染，提高了绝缘体上图形石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得质量很高的图形石墨烯。
石墨烯锗薄膜衬底绝缘制备绝缘体刻蚀去除生长蒸发石墨烯材料光刻胶催化剂沉积催化污染

[发明专利]一种锗碳石墨烯复合材料及其制备方法和应用-CN201310140777.3有效
发明人：欧阳柳章;郭丽娜;胡仁宗;蔡伟华;叶建山;朱敏 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗碳石墨烯复合材料，由纳米级的锗、二氧化锗、团絮状的碳和还原氧化石墨烯复合而成，其中，二氧化锗包覆在锗的表层形成核壳，形成纳米核壳颗粒；所述纳米核壳颗粒均匀地弥散分布于团絮状的碳中，并被还原氧化石墨烯网络所包覆本发明还公开了上述锗碳石墨烯复合材料的制备方法及应用。本发明制备的锗碳石墨烯复合材料兼顾了高容量、高倍率和高的循环稳定性特点，而且制备过程工艺简单，耗能少，产量高、无污染。
一种石墨复合材料及其制备方法应用

[实用新型]一种锗/石墨烯/二氧化钛纳米纤维核壳结构及电池-CN201620822928.2有效
发明人：杨与畅 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗/石墨烯/二氧化钛纳米纤维核壳结构及电池，所述核壳结构其包括外壳和内核，外壳包覆内核，所述外壳为二氧化钛薄膜层，所述内核为锗/石墨烯纳米纤维，所述二氧化钛薄膜层包覆锗/石墨烯纳米纤维形成二氧化钛薄膜层和石墨烯双重保护锗的核壳结构本实用新型外壳二氧化钛薄膜层覆盖住锗/石墨烯内核纳米纤维，确保了结构的完整性；特殊的核壳结构，石墨烯和二氧化钛可以双重保护锗纳米纤维，避免锗在充放电过程中因体积膨胀造成损坏。
一种石墨氧化纳米纤维结构电池

[发明专利]一种高敏感度NO₂气体传感器及其制备方法-CN201810809381.6在审
发明人：董林玺;郑鹏荣;狄增峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高敏感度NO₂气体传感器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一锗基底；于锗基底的上表面形成一石墨烯层，并于石墨烯层的上表面生长锗量子点；于生长有锗量子点的石墨烯层上表面形成第一电极和第二电极，其中，第一电极和第二电极之间具有一沟道，且第一电极和第二电极沿沟道的中心呈对称分布；以及对裸露在外的锗量子点和石墨烯层进行刻蚀，以保留沟道处的锗量子点和石墨烯层，同时去除位于沟道以外的锗量子点和石墨烯层，实现于锗基底上制备高敏感度NO₂气体传感器。通过本发明解决了传统NO₂气体传感器存在选择性差的问题，同时提供了一种锗衬底上石墨烯制备高敏感度气体传感器的简单方法。
石墨烯层气体传感器锗量子点制备高敏感度第二电极第一电极上表面沟道锗基对称分布生长沟道处石墨烯衬底刻蚀去除裸露保留

[发明专利]一种基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法-CN202010668120.4在审
发明人：崔大祥;蔡葆昉;王丹;金彩虹 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法。通过设计石墨烯/锗复合结构、利用石墨烯/锗复合结构能高效分离光生激子和锗对石墨烯的掺杂效应，并控制器件预处理和退火温度与时间以进行界面和材料优化，该类器件具备显著增强的侧向光伏效应和位置探测灵敏度。该方法成功构筑了对可见光响应理想的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器。
一种基于石墨复合薄膜灵敏度位置探测器构筑方法

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