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[实用新型]一种气相二氧化硅生产净化设备-CN201920455676.8有效
发明人：许荣明 -专利权人：福建通源硅业有限公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B01D46/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及气相二氧化硅技术领域，且公开了一种气相二氧化硅生产净化设备，包括储气室，所述储气室的左侧固定连接有运输管，所述运输管远离储气室的一端固定安装有鼓风机，所述储气室的顶部固定连接有层板，所述层板的顶部螺纹连接有固定螺丝，所述储气室的顶部且位于层板的外部固定连接有后外壳，所述后外壳的右侧固定连接有支撑架。该气相二氧化硅生产净化设备，通过过滤板吸附气相二氧化硅内的漂浮杂质和小颗粒，利用过滤板的双层吸附使气相二氧化硅更加的纯净，达到净化气相二氧化硅的效果，拧松固定两个固定板的螺栓，将固定架和卡头分离，取出卡块和连接杆
储气室气相二氧化硅过滤板二氧化硅净化设备后外壳运输管鼓风机本实用新型螺栓固定螺丝螺纹连接双层吸附固定板固定架过滤网净化气连接杆小颗粒支撑架卡块卡头拧松吸附漂浮取出生产外部

[发明专利]表面改性、结构改性的气相法二氧化硅-CN200780038140.6无效
发明人： M·肖尔茨;J·迈尔 -专利权人：赢创德固赛有限责任公司
申请日： 2007-09-11 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C09C1/30 文献下载
摘要：本发明涉及表面改性、结构改性的气相法二氧化硅。所述表面改性、结构改性的气相法二氧化硅用含氮的硅化合物进行表面改性。所述表面改性、结构改性的气相法二氧化硅可作为填料用于树脂和粘合剂中。
表面改性结构气相法二氧化硅

[发明专利]一种复合相变材料及其制备方法和应用-CN202210616644.8有效
发明人：凌子夜;何欣;谢震霆;陈翰灏;陈星霖;张正国 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明提供的复合相变材料，包括以下制备份数的组分：1～5份二氧化硅气凝胶，5～22份气相二氧化硅，1.5～8份纤维，0.5～4份硅油和60～105份无机盐。在本发明中，气相二氧化硅表面的硅羟基和二氧化硅气凝胶表面的硅氧基形成氢键，气相二氧化硅和二氧化硅气凝胶形成稳定的网络结构提高了复合相变材料的机械强度；同时二氧化硅气凝胶起阻断熔盐的作用降低复合相变材料的热导率
一种复合相变材料及其制备方法应用

[发明专利]一种二氧化硅气凝胶浸渍处理的方法-CN201610261134.8在审
发明人：陈晓红;雷尧飞;宋怀河 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C01B33/157 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化硅气凝胶浸渍处理的方法。通过预水解溶胶对已制备的二氧化硅气凝胶进行浸渍的工艺处理，实现对二氧化硅气凝胶孔结构的调节，有效地降低了二氧化硅气凝胶中的大孔含量，从而增大了二氧化硅气凝胶对气相热传导的限制，进一步提高了二氧化硅气凝胶的隔热性能
一种二氧化硅凝胶浸渍处理方法

[发明专利]一种超高纯二氧化硅颗粒的制备方法-CN202211281267.3在审
发明人：黄耀松 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明属于材料合成技术领域，具体涉及一种超高纯二氧化硅颗粒的制备方法。该方法包括以下步骤：采用化学气相沉积法，将氢气、氧气和含硅前驱体通入炉体制备二氧化硅颗粒；将所述二氧化硅颗粒进行酸浸，去除可溶性铁；对去除可溶性铁后的二氧化硅颗粒进行络合处理；在氯气氛围下，对络合处理后的二氧化硅颗粒焙烧，得到所述超高纯二氧化硅颗粒。本发明所采用的化学气相沉积法通过设计炉体结构保持炉内高温、引导流体流动和颗粒运动，配合参数控制得到高纯度二氧化硅；通过化学气相沉积法将二氧化硅颗粒纯度提高到较高水平，然后再进行深度提纯，进一步提高纯度，
一种高纯二氧化硅颗粒制备方法

[发明专利]一种MEMS用封装胶-CN202110532969.3有效
发明人：伍得;杨轩;廖述杭;苏峻兴 -专利权人：湖北三选科技有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C09J183/07 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS用封装胶，所述MEMS用封装胶包括乙烯基硅油、含氢硅油、MQ树脂、填料、催化剂、抑制剂和助剂，所述填料包括球形颗粒二氧化硅、增强型气相二氧化硅及触变型气相二氧化硅，所述助剂包括附着力促进剂和化学除水剂本申请的MEMS用封装胶同时包含球形颗粒二氧化硅、增强型气相二氧化硅及触变型气相二氧化硅，如此可以降低MEMS用封装胶的成本，且在所述三种类型的二氧化硅填料与所述MEMS用封装胶的其它组份的协同作用下，
一种 mems 封装

[发明专利]一种气相二氧化硅作为致孔剂制备PVC微滤膜的方法-CN201611243821.3有效
发明人：王北福;聂立宏;朱根民 -专利权人：浙江海洋大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明涉及高分子分离膜技术领域，具体涉及一种气相二氧化硅作为致孔剂制备PVC微滤膜的方法，通过制备PVC、N,N‑二甲基乙酰胺、气相二氧化硅的质量百分比为0.1～0.16:0.78～0.86:0.03～由于气相二氧化硅不溶于水，铸膜液中的N，N‑二甲基乙酰胺是亲水性物质，使气相二氧化硅在膜材料中形成一个非连续相，当非连续相较多并且能相互连通时形成贯穿膜横截面的过滤孔。本发明的气相二氧化硅作为致孔剂制备PVC微滤膜的方法，首先提高了制得的PVC微滤膜的孔径，且孔径均匀，满足微滤膜的广泛应用要求。同时气相二氧化硅和铸膜液相容性很好，不会产生沉淀等相分离，制备过程简便。
微滤膜气相二氧化硅制备致孔剂铸膜液二甲基乙酰胺二氧化硅非连续相高分子分离膜亲水性物质质量百分比不溶于水应用要求制备过程过滤孔膜材料相分离相容性连通沉淀贯穿

[发明专利]气相二氧化硅表面改性连续工艺-CN202010108155.2有效
发明人：吴春蕾;段先健;罗勇良;王跃林;王成刚 -专利权人：广州汇富研究院有限公司;湖北汇富纳米材料股份有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种气相二氧化硅表面改性连续工艺，所述工艺包括以下步骤：(1)细化和蓬松化：将气相二氧化硅粉体原料经细化和蓬松化装置进行细化和蓬松化，所述细化和蓬松化装置的转速为800～3000转/分；(2)催化混合负载：催化剂经催化混合负载装置负载在步骤(1)所得的气相二氧化硅粉体上；所述催化混合负载装置的转速为1500～3000转/分；(3)表面改性；(4)粉体脱低；(5)尾气除尘和尾气吸收；(6)粉体冷却本发明所述气相二氧化硅表面改性连续工艺可制备得到原料粉体表面改性均匀、疏水性能好的改性气相法二氧化硅。
二氧化硅表面改性连续工艺

[发明专利]一种产磁化直饮水的海水淡化复合膜及其制备方法-CN201710460970.3有效
发明人：吴小明 -专利权人：长沙无道工业设计有限公司
申请日： 2017-06-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：该海水淡化复合膜包括微孔陶瓷层、石墨烯氧化物层和二氧化硅气相层；二氧化硅气相层由二氧化硅气相涂料固化而成，二氧化硅气相涂料的制备方法如下：将正硅酸四乙酯添加到乙醇水溶液中，升温，滴加盐酸溶液，使正硅酸四乙酯反应形成二氧化硅溶胶，完全反应后，添加铁粉和碳粉，搅拌均匀后制得二氧化硅气相涂料。本发明的海水淡化复合膜以石墨烯氧化物为主要过滤介质，过滤而得的淡化水脱盐率高，可用于直饮，同时，其淡化后的淡化水经过磁化作用，有利于身体健康。
一种磁化饮水海水淡化复合及其制备方法

[发明专利]一种2-乙氧基乙胺修饰气相二氧化硅有机载体的制备方法和应用-CN202211240937.7在审
发明人：王惠;毛朝斌;马生华 -专利权人：西北大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：一种2‑乙氧基乙胺修饰气相二氧化硅有机载体的制备方法和应用，它涉及一种有机载体的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有N型电池的制备耗费大量银粉，限制N型电池应用的问题。方法：一、制备2‑乙氧基乙胺改性气相二氧化硅；二、制备有机载体。一种2‑乙氧基乙胺修饰气相二氧化硅有机载体用于制备正银浆料。使用本发明制备的2‑乙氧基乙胺修饰气相二氧化硅有机载体制备的正银浆料丝网印刷得到的太阳能电池的光电转换效率可达22.90％；使用本发明制备的2‑乙氧基乙胺修饰气相二氧化硅有机载体制备的正银浆料印刷到单晶硅片上本发明可获得一种2‑乙氧基乙胺修饰气相二氧化硅有机载体。
一种乙氧基乙胺修饰二氧化硅有机载体制备方法应用

[发明专利]一种墨粉组合物及其应用-CN202110230650.5在审
发明人：史轩钧 -专利权人：深圳市南方煜森电子有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G03G9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种墨粉组合物，包括着色剂和添加剂，所述添加剂包括树脂和蜡，其特征在于，所述添加剂还包括以下质量分数的成分：1.0‑10.0％的气相二氧化硅A；1.0‑9.0％的气相二氧化硅B；1.0‑11.0％的二氧化钛A；0.1‑3％的二氧化钛B；1.0‑11.5％的一氧化钛；所述气相二氧化硅A的粒径为5‑20nm，所述气相二氧化硅B的粒径为30‑150nm，所述二氧化钛A的粒径为20‑50nm，所述二氧化钛B的粒径为50‑200nm，本发明提供的墨粉组合物通过搭配不同粒径的二氧化硅和二氧化钛、一氧化钛提高打印的成像质量；本发明提供的墨粉组合物可以搭配普通的打印机就可以打印出符合诊断要求的扫描图像，从而可以降低医院和患者的经济负担
一种组合及其应用

[发明专利]一种高纯度二氧化硅的规模化生产方法-CN202111208352.2在审
发明人：蔡轩臣 -专利权人：江苏东方硕华光学材料有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明属于二氧化硅制备领域，具体公开了一种高纯度二氧化硅的规模化生产方法，包括以下步骤：首先在常规制备过程中加入高纯度二氧化硅晶体，作为晶种，制备干燥粗制二氧化硅颗粒；随后将粗制二氧化硅颗粒放入到气相流化床反应器中将反应器内的温度升至900‑1000℃，通入保护气体与氧气，并调整反应器内的氧气含量为20‑35％，干燥粗制二氧化硅颗粒中剩余的Na2SiO 3在高温氧气等离子体下反应，形成气相二氧化硅，与原先的二氧化硅融合形成高纯度二氧化硅。本发明公开的高纯度二氧化硅的规模化生产方法具有技术创新，可以充分利用现有技术，分2个阶段，简便快速的制备高纯度的二氧化硅，可以广泛应用于光学仪器的制作中。
一种纯度二氧化硅规模化生产方法

[发明专利]具有降低的硅烷醇基团密度的气相二氧化硅粉末-CN202280014541.2在审
发明人： M·吉塞尔勒;F·门策尔;A·雷金;R·戈尔凯尔特 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：用于生产具有降低的硅烷醇基团密度的气相二氧化硅粉末的方法，其包含在350℃至1250℃的温度下，对硅烷醇密度dSiOH为至少1.2SiOH/nm2且粒度d90不超过10μm的未经表面处理的气相二氧化硅粉末热处理5分钟至5小时，其中选择该热处理的温度和持续时间，使得该二氧化硅的dSiOH相对于所采用的未经热处理的二氧化硅的dSiOH，降低10％‑70％，其中该热处理是在该气相二氧化硅粉末处于运动状态时进行的由该方法获得的未经表面改性和经表面改性的气相二氧化硅粉末及其用途。
具有降低硅烷基团密度二氧化硅粉末

[发明专利]一种在二氧化硅气凝胶颗粒表面包覆高疏水氮化硼纳米片薄层的简易方法-CN201911422651.9有效
发明人：赵海谦;刘景雯;王忠华;刘晓燕;贾永英;武传燕 -专利权人：东北石油大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C01B33/157 文献下载
摘要：一种在二氧化硅气凝胶颗粒表面包覆高疏水氮化硼纳米片薄层的简易方法，它涉及表面改性领域，具体涉及二氧化硅气凝胶颗粒表面改性方法。本发明的目的是为解决现有改性方法制备的疏水二氧化硅气凝胶颗粒在高温环境下疏水性能降低或丧失的问题。方法：一、制备载有尿素或三聚氰胺、硼酸和二氧化硅气凝胶颗粒混合物的陶瓷舟；二、化学气相沉积；三、自然冷却，得到表面包覆高疏水氮化硼纳米片薄层的二氧化硅气凝胶颗粒。本发明可获得表面包覆高疏水氮化硼纳米片薄层的二氧化硅气凝胶颗粒。
一种二氧化硅凝胶颗粒表面包覆高疏水氮化纳米薄层简易方法

[发明专利]一种二氧化硅气凝胶小球的制备方法-CN202010908948.2在审
发明人：云山;魏鹏 -专利权人：昆山达富久新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01B33/158 文献下载
摘要：本发明属于纳米多孔材料制备技术领域，涉及一种二氧化硅气凝胶小球的制备方法。其制备方法是先以硅酸钠溶液为原料，加入酸催化剂后将溶液滴到超疏水气相二氧化硅粉末中形成小球，凝胶后在气相二氧化硅粉末中加入一定量的水，分离出凝胶小球，将凝胶小球浸入含改性剂的异丙醇/正己烷溶液中，最后常压干燥得到二氧化硅气凝胶小球本发明制备方法简单，制备的二氧化硅气凝胶小球球形度高，流动性好。
一种二氧化硅凝胶小球制备方法