“正离子”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果604668个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种双极性反射式飞行时间质量分析器-CN201220010994.1有效
发明人：黄正旭;董俊国;李梅;高伟;李磊;朱辉;周振 -专利权人：上海大学;广州禾信分析仪器有限公司
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双极性飞行时间质量分析器，包括电离引出区、正离子飞行时间质量分析器、负离子飞行时间质量分析器，其特征在于：所述电离引出区位于正离子飞行时间质量分析器与负离子飞行时间质量分析器的之间；电离引出区及正离子飞行时间质量分析器、负离子飞行时间质量分析器呈“Z”型组合排列，形成反射式结构。不仅增加离子的有效飞行长度，提高了分析器性能，并且使结构更加紧凑合理，大幅提高空间利用率。同时，采用静电聚焦透镜技术提高离子的传输效率。
一种极性反射飞行时间质量分析器

[实用新型]一种带空气净化装置的杯盖-CN201620861743.2有效
发明人：孙建 -专利权人：孙建
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带空气净化装置的杯盖，包括杯盖体，杯盖体为空腔结构，杯盖体内通过设置隔板形成开口朝下的螺纹盖安装槽和开口朝上的装配槽，螺纹盖安装槽内设置有螺纹盖，特点是装配槽内设置有与其相适配的空气净化组件，空气净化组件包括正离子喷头和负离子喷头，正离子喷头与负离子喷头伸出杯盖体与空气直接接触；优点是使用了新型的等离子技术，不但产生强浓度的负离子，同时还产生正离子，蓄电池容量更大，使用时间更长，空气净化器是设置在杯盖上的结构，从而能使正负离子长生的浓度释放更大的空间
一种空气净化装置杯盖

[发明专利]空气改质设备-CN201580038501.1有效
发明人：栗原幸大;中村芳纪;山下裕康 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： F24F7/00 文献下载
摘要：在具备西洛克风扇和收纳西洛克风扇的风扇壳体的空气改质设备中，能基本不影响释放到室内的正离子和负离子的量地使正离子和负离子的杀菌作用也作用于西洛克风扇。在两侧壁(14b、14c)中的至少一侧壁配置产生正离子和负离子的离子发生装置(30)。侧壁中接近西洛克风扇(16)的外周部的部位被选为离子发生装置(30)的配置部位。
空气设备

[实用新型]净水机-CN201820781448.5有效
发明人：吴卫平;昂永程 -专利权人：佛山市美的清湖净水设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：储水容器设置在净水机主体的外部，储水容器具有储水腔，且储水腔与制水系统通过第一水管相连接；离子发生器与储水腔相连通，以使离子发生器产生的离子能够进入储水腔。本实用新型提供的净水机，离子发生器与储水容器的储水腔相连通，离子发生器电离空气产生大量的正离子和负离子，由于离子发生器与储水腔相连通，正离子和负离子能够进入储水腔内，正离子和负离子在空气中结合时产生高能量
储水腔离子发生器储水容器负离子净水机正离子本实用新型净水机主体细菌电离空气生物结构制水系统高能量内壁面杀菌离子水管外部死亡

[实用新型]散热装置-CN200420077244.1无效
发明人：邱全成;王明磊 -专利权人：英业达股份有限公司
申请日： 2004-08-09 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G12B15/06 文献下载
摘要：一种散热装置至少包括：离子产生单元、磁极转换模块以及电源供应单元；该散热装置应用在显示装置中，通过具有正、负电极的离子产生单元将该正、负电极施加电压，使负电极释放出的电子向正电极移动，再借由撞击空气分子产生正离子，并通过磁极转换模块使该正离子受到相邻磁极的吸引开始被抽运，借由正离子的移动并与空气中的中性分子产生碰撞，从而产生气流达到散热的效果；本实用新型的散热装置可同时达到高散热效率、小体积、低噪音以及高安全性的功效
散热装置

[发明专利]离子检测器-CN201980069252.0在审
发明人：大卫·戈登;丹尼尔·詹姆斯·肯尼;理查德·巴林顿·莫尔兹;大卫·J·兰格里奇 -专利权人：英国质谱公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：一种用于质谱仪和/或离子迁移谱仪的双模式离子检测器，所述双模式离子检测器包括：第一转换电极(20)，所述第一转换电极在使用中被维持在负电位，并且被布置用于将入射的正离子(32)转换成二次电子(34)；以及第二转换电极(22)，所述第二转换电极在使用中被维持在正电位，并且被布置用于将入射的负离子(42)转换成二次正离子(44)和/或二次电子(74)。所述检测器还包括电子检测表面(26)和用于将离子吸入所述离子检测器中的入口电极(24)。所述离子检测器能够在用于检测正离子的第一模式与用于检测负离子的第二模式之间切换。
离子检测器

[发明专利]控制PVD镀膜的方法-CN202011615028.8在审
发明人：秦安立;薛世初;张磊 -专利权人：富联裕展科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种控制PVD镀膜的方法，包括：将工件置于PVD镀膜设备中，镀膜设备包括靶材，在镀膜设备中通入惰性气体；以及在靶材上施加电能以产生辉光放电，激发惰性气体产生正离子，正离子轰击靶材以产生靶材原子，靶材原子沉积在工件表面形成镀膜；在工件上施加负偏压以使正离子反溅射沉积在工件表面的靶材原子以控制镀膜速度，进而控制镀膜的厚度；其中，负偏压的电压值绝对值大于等于500V。
控制 pvd 镀膜方法

[发明专利]离子传感器、显示装置、离子传感器驱动方法和离子浓度计算方法-CN201180027417.1无效
发明人：村井淳人;片冈义晴;渡部卓哉;久田祐子;堀内智 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：本发明提供能够在两离子混合存在的检体中高精度地测量离子浓度的离子传感器、显示装置、离子传感器的驱动方法和离子浓度的计算方法。本发明为包括场效应晶体管的离子传感器，上述离子传感器使用上述场效应晶体管检测负离子和正离子中的一个后，接着使用上述场效应晶体管检测负离子和正离子中的另一个。
离子传感器显示装置驱动方法浓度计算方法

[发明专利]一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法-CN202110123883.5在审
发明人：邵国键;林罡;任彬;陈韬;刘柱;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述势垒层上方设有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有栅极；其中，所述沟道层内具有二维电子气，所述势垒层内具有离子掺杂区域，且所述离子掺杂区域位于栅极与漏极之间，靠近栅极一侧，所述离子掺杂区域中的掺杂离子为正离子。本发明通过在制作栅极、漏极以及源极之前在外延层内引入正离子掺杂区域，使得器件可以承受更高的漏极电压。最终器件的击穿电压得到提升，且器件的频率特性不会降低。
一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压结构及其制备方法

[发明专利]检测冻干过程中多组分气体的质谱装置及方法-CN201910759283.0有效
发明人：孙露露;薛兵;于佳佳;胡波;胡继闯;沈辉;周旭;唐朝阳;景加荣 -专利权人：上海裕达实业有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测冻干过程中多组分气体的质谱装置及方法，包括：内胆电极；进样管，一端朝向所述内胆电极，将待测气体引入所述内胆电极；第一电离源，朝向所述内胆电极，电离待测气体中的水分子、氮气分子或氧气分子，得到相应的正离子；第二电离源，朝向所述内胆电极，电离待测气体中的硅油中性分子，得到相应的正离子；质量分析器，与所述内胆电极之间设置有传输聚焦电极；其中，正离子受所述内胆电极所产生的电场力牵引，并通过所述传输聚焦电极将正离子引入所述质量分析器
检测过程组分气体装置方法

[发明专利]一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管-CN202110179118.5有效
发明人：代倩;吴自力 -专利权人：金陵科技学院
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括：衬底、成核层、非掺杂GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，以及在AlGaN势垒层上分别引出的源极、栅极和漏极；与此同时，在栅极下方的GaN沟道层中设置一个正离子注入区。一方面，当栅极下方的GaN沟道层注入正离子之后，相当于在能带上增加了势垒高度，拉升了势阱，从而实现了沟道内二维电子气(2DEG)的耗尽，成为增强型器件；另一方面，正离子注入可以有效降低AlGaN势垒层的表面损伤和缺陷
一种基于正离子注入增强 algan gan 电子迁移率晶体管

[实用新型]电子源器件-CN201621474934.X有效
发明人：刘伟基 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01J37/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电子源器件，包括射频电源、射频感抗匹配网络、起辉维持极、射频线圈、绝缘电离腔体和正离子收集极。射频感抗匹配网络连接射频电源和射频线圈，绝缘电离腔体罩设于正离子收集极，且与正离子收集极围合形成绝缘电离腔室；绝缘电离腔体开设有发射孔，起辉维持极开设有与发射孔对应的通孔；正离子收集极开设有用于通入惰性气体的进气通道
电子器件

[发明专利]一种正负离子发生电极及正负离子发生器-CN201610776688.1在审
发明人：沈晓;陈天佑 -专利权人：无锡德润电子有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：本发明适用于离子发生器技术领域，提供了一种正负离子发生电极及正负离子发生器，所述电极包括等离子体发生电极、垂直穿设于等离子体发生电极第一通孔的正离子发生端、以及垂直穿设于等离子体发生电极第二通孔的负离子发生端；所述正离子发生端通过第一高压软导线连接多根第一碳素纤维，所述负离子发生端通过第二高压软导线连接多根第二碳素纤维；所述等离子体发生电极、正离子发生端、负离子发生端连接正负离子发生电路。本发明实施例解决了现有的离子发生器仅产生负离子，杀菌效果并不理想，同时电极普遍采用针状电极作为负离子的发生部分，电极部分位置相对固定，拆装不便，不便于在不同场合的安装使用的问题。
一种正负离子发生电极发生器

[发明专利]图像形成装置-CN201010116667.X有效
发明人：富浪数正 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G03G21/00 文献下载
摘要：在图像形成装置的主体上部，后附安装有用于产生正离子及负离子的离子产生装置，根据图像形成装置是动作状态还是非动作状态，而切换从该离子产生装置产生的正离子及负离子的配比，在图像形成装置的动作状态中增大负离子的释放比例
图像形成装置

[发明专利]一种气溶胶带电粒子的转化与衰减过程-CN202310878009.1在审
发明人：刘宝山 -专利权人：青岛岩旭生物科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气溶胶带电粒子的转化与衰减过程，由于带电粒子占比例最大的是正离子和电子，所以带电粒子的电荷转移主要是正离子的电荷转移，其特征在于，离子的电荷转移主要包括平衡谐振电荷转移和非平衡谐振电荷转移两种本发明通过对带电粒子的转化和衰减进行研究，证明了除电场加速的快电子碰撞中性粒子会产生电子和正离子，而这些带电粒子经过电场加速获取能量，继续与中性粒子碰撞又产生电子和正离子，这样会导致带电粒子浓度越来越大之外
一种气溶胶带电粒子转化衰减过程