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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]印刷电路板-CN202080067239.4在审
发明人：南一植;金勇锡;李东根;金泰基;曹慧真 -专利权人： LG 伊诺特有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：根据实施例的印刷电路板包括：绝缘层；第一焊盘，其被设置在绝缘层的上表面上；第二焊盘，其被设置在绝缘层的下表面上；第一器件，其被安装在第一焊盘上；第二器件，其被安装在第二焊盘上；第一模制层，其被设置在绝缘层上并模制第一器件；以及第二模制层，其被设置在绝缘层的下表面上并模制第二器件。第二模制层的下表面被定位在与第二器件的下表面相同的平面上。
印刷电路板

[发明专利]半导体存储器件、包括该半导体存储器件的电子系统以及该半导体存储器件的制造方法-CN202211409023.9在审
发明人：朴珍荣;金爀;陆然根;李荣湜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：半导体存储器件可以包括：单元衬底，包括单元阵列区、第一延伸区和第二延伸区以及贯通区；第一模制结构，包括以阶梯式堆叠的第一栅电极；第一层间绝缘层，在第二延伸区上的第一栅电极上共形地延伸；第二层间绝缘层，在第一层间绝缘层上；第二模制结构，包括在第二层间绝缘层上并以阶梯式堆叠在第一延伸区上的第二栅电极；沟道结构，在单元阵列区上的第一模制结构和第二模制结构中；第一单元接触结构，在第二延伸区上的第一模制结构中；以及第二单元接触结构，在第一延伸区上的第一模制结构和第二模制结构中。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层可以具有不同的杂质浓度。
半导体存储器件包括电子系统以及制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202211478284.6在审
发明人：崔贤根;李基硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：根据本发明构思的一些实施例，半导体存储器件包括：多个模制绝缘层，位于衬底上并且彼此间隔开；多个半导体图案，分别位于所述多个模制绝缘层中的彼此相邻的模制绝缘层之间；多个栅电极，位于所述多个半导体图案中的相应的半导体图案上；信息存储元件，包括电连接到所述多个半导体图案中的每一者的第一电极、位于第一电极上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的电容器电介质膜；位线，位于衬底上并且接触半导体图案；以及绝缘缓冲膜，位于第一电极和第二电极之间，并且位于所述多个模制绝缘层中的相应的模制绝缘层的侧壁上。
半导体存储器件

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN201910387764.3在审
发明人：孙荣晥;姜书求;姜信焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：所述三维半导体存储器装置包括：栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；沟道层，贯穿栅电极和模制绝缘层；以及栅极介电层，位于栅电极与沟道层之间。栅极介电层和沟道层可以位于基底的上部中，并且可以以第一角度弯曲且在基底的上部中在模制绝缘层下方延伸。
模制绝缘层沟道层栅电极基底三维半导体存储器栅极介电层角度弯曲堆叠贯穿延伸

[发明专利]具有高电压隔离的模制半导体封装-CN202111482683.5在审
发明人：阮于萍;E·B·阿奎坦;D·I·雷诺索;J·施雷德尔;杨文毅 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种模制半导体封装包括：附接到衬底的半导体管芯，所述半导体管芯包括在所述半导体管芯的背离所述衬底的第一侧处的接合焊盘和覆盖所述第一侧的绝缘层；电导体，其附接到所述接合焊盘的通过所述绝缘层中的开口暴露的部分；包围所述半导体管芯的模制化合物；以及电绝缘材料，其填充所述绝缘层中的所述开口并且密封所述接合焊盘的通过所述绝缘层中的所述开口暴露的所述部分。所述电绝缘材料将所述模制化合物与所述接合焊盘的通过所述绝缘层中的所述开口暴露的所述部分分开。所述电绝缘材料的击穿电压大于所述模制化合物的击穿电压。
具有电压隔离半导体封装

[发明专利]具有挡板结构的半导体器件-CN202110663661.2在审
发明人：高木世济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底上的存储器堆叠，所述存储器堆叠包括栅电极、绝缘层和模制层，所述模制层在贯通电极区域中被设置在与所述栅电极相同的水平高度处；沟道结构，在单元阵列区域中竖直地延伸穿过所述栅电极；以及挡板结构，在顶视图中被设置在隔离绝缘层之间并且围绕所述贯通电极区域。所述挡板结构包括具有挡板形状的挡板绝缘层、所述挡板绝缘层内部的内部绝缘层、以及所述挡板绝缘层外部的外部绝缘层。所述内部绝缘层包括在水平方向上突出的第一突出部，并且所述外部绝缘层包括在所述水平方向上突出的第二突出部。
具有挡板结构半导体器件

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202010822815.3在审
发明人：孙龙勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：可以提供该方法，包括：通过在衬底上交替堆叠多个第一绝缘层和多个第二绝缘层来形成模制结构；对模制结构进行图案化以形成第一沟槽，第一沟槽暴露模制结构的第一内侧壁；使用衬底作为种子，在第一沟槽中生长竖直半导体层，使得竖直半导体层覆盖第一内侧壁；对模制结构进行图案化以形成第二沟槽，第二沟槽暴露模制结构的第二内侧壁；通过从模制结构中经由第二沟槽选择性地去除第二绝缘层来形成多个凹陷；以及使用竖直半导体层作为种子，在相应的凹陷中水平生长多个水平半导体层
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]固体绝缘开关设备、树脂模制品及该树脂模制品的制造方法-CN200510051823.8无效
发明人：塩入哲;槙岛聪;木下晋;清水敏夫;佐藤纯一;斋藤敏久;阪口修;宮川胜 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-01 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H02B13/00 文献下载
摘要：提供一种固体绝缘开关设备、树脂模制品及该树脂模制品的制造方法。该固体绝缘开关设备，用于把用绝缘材料进行模制且形成了多层绝缘层的电气设备相组合构成的电源系统中，该固体绝缘开关设备具有：在上述电气设备的周围，以朝外周方向介电常数减小的方式且露出主电路导体端部而形成的多层绝缘层，其特征在于：上述电气设备的电极端部和上述多层绝缘层的各界面部分的电场强度相等。
固体绝缘开关设备树脂制品制造方法

[发明专利]多功能新型模制电力设备及其制造方法-CN201010555125.2无效
发明人：栾晓健 -专利权人：大连兆阳软件科技有限公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01H11/00 文献下载
摘要：一种具有绝缘外壳的模制电力设备，所述绝缘外壳由具有较高绝缘强度的陶瓷制成。所述模制电力设备包括绝缘外壳，端板，电子元件和电绝缘层。绝缘外壳由陶瓷制成且具有末端和未上釉的外表面。端板装配在绝缘外壳末端上。电子元件通过端板安装在绝缘外壳内。电绝缘层模制成型于绝缘外壳未上釉的外表面上。
多功能新型电力设备及其制造方法

[发明专利]模制电力设备及其制造方法-CN200410068483.5无效
发明人：佐藤纯一;阪口修;宫川胜;槙岛聪;木下晋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01H33/66 文献下载
摘要：一种具有绝缘外壳的模制电力设备，所述绝缘外壳由具有较高绝缘强度的陶瓷制成。所述模制电力设备包括绝缘外壳，端板，电子元件和电绝缘层。绝缘外壳由陶瓷制成且具有末端和未上釉的外表面。端板装配在绝缘外壳末端上。电子元件通过端板安装在绝缘外壳内。电绝缘层模制成型于绝缘外壳未上釉的外表面上。
电力设备及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN202210037334.0在审
发明人：宋智娟;白寅圭;金大训;金昇埴 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：具有第一表面和第二表面的半导体基板；在第一表面上的晶体管；第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，在覆盖晶体管的第一层间绝缘膜上彼此间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；第一下电极，在穿过模制绝缘层的第一开口内部在第一下焊盘电极上；第二下电极，在穿过模制绝缘层的第二开口内部在第二下焊盘电极上；电介质膜和上电极，在第一下电极和第二下电极上；第一接触插塞，穿过模制绝缘层并且连接到第一下焊盘电极；以及第二接触插塞，穿过模制绝缘层并且连接到第二下焊盘电极。
图像传感器

[发明专利]具有隔离绝缘层的半导体装置-CN202110181920.8在审
发明人：金基玄;权宁镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底，其包括单元阵列区域、延伸区域和贯穿电极区域；存储器堆叠件，其在衬底上，并且包括第一栅电极、绝缘层和模制层，第一栅电极和绝缘层按次序堆叠，并且模制层包括绝缘材料，位于贯穿电极区域上并且与第一栅电极在同一水平；沟道结构，其竖直地穿过第一栅电极；贯穿电极，其竖直地穿过模制层；第一隔离绝缘层，其竖直地穿过存储器堆叠件，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；以及第二隔离绝缘层，其在沟道结构与贯穿电极区域之间，并且在第二方向上延伸，并且竖直地穿过第一栅电极，并且在平面图中，第二隔离绝缘层与第一隔离绝缘层相交。
具有隔离绝缘半导体装置

[发明专利]覆铜箔层压板、多层覆铜箔层压板及其制备工艺-CN96111551.3无效
发明人：冈野德男;小林和仁;中祖昭士 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 1996-09-13 - 公布日： 1997-10-01 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：一种包含电绝缘层的覆铜箔层压板，电绝缘层含有均匀分散于热固树脂内的电绝缘须晶，在绝缘层的至少一面上形成有铜箔，绝缘层和铜箔经热压模制成一整体；以及一种具有层间电路的多层覆铜箔层压板，包括一个层间电路板和一个用于外电路的铜箔，这两个之间有电绝缘层且它们经热压模制成一整体，绝缘层含有均匀分散于热固树脂内的电绝缘须晶。
铜箔层压板多层及其制备工艺

[发明专利]制造垂直存储器装置的方法-CN201910884495.1在审
发明人：金一宇;罗相虎;崔炳德;金益秀;吴民在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了一种制造垂直存储器装置的方法，该方法包括：在基底上形成第一牺牲层，第一牺牲层包括第一绝缘材料；形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠在第一牺牲层上，绝缘层和第二牺牲层分别包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料和第三绝缘材料；穿过模制体和第一牺牲层形成沟道；穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面；通过开口去除第一牺牲层以形成第一间隙；形成沟道连接图案以填充第一间隙；以及用栅电极替换第二牺牲层。
制造垂直存储器装置方法

[发明专利]集成电路器件和制造其的方法-CN202010869840.7在审
发明人：崔恩荣;李洙衡;李要韩;赵容锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该集成电路器件包括：沟道层，在穿透导电层和绝缘层的沟道孔中；电荷捕获图案，在导电层与沟道层之间在沟道孔内部；以及虚设电荷捕获图案，在绝缘层与沟道层之间在沟道孔内部。为了制造该集成电路器件，形成穿透绝缘层和模制层的沟道孔。形成连接到沟道孔的模制凹口。在模制凹口中形成初始电介质图案。氧化初始电介质图案以形成第一阻挡电介质图案。在沟道孔中形成电荷捕获层。去除模制层以形成导电空间。去除电荷捕获层的一部分以形成电荷捕获图案和虚设电荷捕获图案。
集成电路器件制造方法

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