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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]FLASH器件及其制造方法-CN201310100318.2有效
  • 朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-03-26 - 2017-02-08 - H01L27/115
  • 公开了一种FLASH器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底；半导体衬底中的阱区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括依次设置的浮栅电介质、浮栅导体、控制栅电介质和控制栅导体，并且浮栅电介质将浮栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与控制栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。
  • flash器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310050056.3有效
  • 朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-02-08 - 2014-08-13 - H01L29/78
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的接触区；位于接触区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中接触区作为背栅导体的导电路径的一部分；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与前栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310050123.1有效
  • 朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-02-08 - 2018-09-04 - H01L29/78
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的阱区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分；位于半导体鳍片下部的穿通阻止层；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310050114.2有效
  • 朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-02-08 - 2017-05-31 - H01L29/78
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底；半导体衬底中的阱区；阱区中的接触区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅金属、位于背栅金属两侧的半导体鳍片、以及将背栅金属与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中接触区和阱区作为背栅金属的导电路径的一部分，并且背栅金属经由接触区与阱区相连；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅金属上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅金属与前栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]一种半导体器件栅偏测试装置-CN202221433436.6有效
  • 李尧圣;陈艳芳;李金元;陈中圆;李翠;杨晓亮 - 国网智能电网研究院有限公司
  • 2022-06-08 - 2022-10-21 - G01R31/26
  • 本实用新型提供一种半导体器件栅偏测试装置，半导体器件栅偏测试装置包括：加热装置，用于放置待进行半导体器件栅偏测试的半导体器件以及用于为半导体器件提供预设温度的环境；正栅压施加电路，用于为半导体器件施加正向电压；负栅压施加电路，用于为半导体器件施加负向电压；电流检测装置，用于测量在半导体器件栅偏测试的过程中半导体器件的栅极泄漏电流；测试控制端，与正栅压施加电路、负栅压施加电路和电流检测装置分别连接，并用于控制正栅压施加电路和负栅压施加电路交替工作本实用新型在半导体器件栅偏测试的过程中实时监控并实时记录半导体器件的栅极泄漏电流，半导体器件栅偏测试装置的测试可靠性高。
  • 一种半导体器件测试装置
  • [发明专利]背栅FinFET SRAM-CN200510056298.9有效
  • 布伦特·A.·安德森;爱德华·J.·诺瓦克 - 国际商业机器公司
  • 2005-04-05 - 2005-12-14 - H01L27/11
  • 公开了一种具有用来控制阈值电压的背栅的紧凑的半导体结构及其制作方法。此半导体结构的制造以直接在下方电隔离层上形成半导体区而开始。然后，在半导体区上形成芯体和隔垫。接着，形成背栅区，此背栅区被背栅隔离层分隔于半导体区并被栅间隔离层覆盖。接着，清除芯体下方的半导体区部分，以便形成邻接被清除半导体区部分的有源区。最后，在被清除的半导体区部分处以及在栅间隔离层上形成主栅区。此主栅区被主栅隔离层分隔于有源区，并被栅间隔离层分隔于背栅区。
  • finfetsram
  • [发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法-CN201410049569.7在审
  • 藤井光太郎 - 株式会社东芝
  • 2014-02-13 - 2015-03-18 - H01L27/115
  • 本发明涉及非易失性半导体存储器件及其制造方法。根据一个实施例，一种非易失性半导体存储器件包括半导体区域、元件隔离区域、控制栅电极、浮栅层、第一绝缘膜、第二绝缘膜、选择栅电极和接触电极。所述元件隔离区域设置在所述半导体区域之间。所述控制栅电极设置在所述半导体区域上。所述浮栅层设置在所述半导体区域与所述控制栅电极相互交叉的位置上。所述第一绝缘膜设置在所述浮栅层与所述半导体区域之间。所述第二绝缘膜设置在所述浮栅层与所述控制栅电极之间。所述选择栅电极设置在所述半导体区域上。所述接触电极被置于所述选择栅电极的与所述控制栅电极相反的一侧，并且与所述半导体区域之一接触。
  • 非易失性半导体存储器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111344437.3在审
  • 宋寅铉;梁正吉;金民柱 - 三星电子株式会社
  • 2021-11-12 - 2022-08-16 - H01L27/092
  • 公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案；包括第一半导体图案的第一沟道图案；包括第二半导体图案的第二沟道图案；第一沟道图案和第二沟道图案上的栅电极；以及栅电极与第一沟道图案和第二沟道图案之间的栅介电层所述栅电极包括：第一半导体图案之间的第一内栅电极；第二半导体图案之间的第二内栅电极；以及第一半导体图案和第二半导体图案外部的外栅电极。所述第一内栅电极和所述第二内栅电极在最上方第一半导体图案和最上方第二半导体图案的底表面上。所述外栅电极在所述最上方第一半导体图案和所述最上方第二半导体图案的顶表面和侧壁上。所述第一内栅电极和所述第二内栅电极具有不同的功函数。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310050540.6有效
  • 朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-02-08 - 2017-04-12 - H01L29/78
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底；半导体衬底中的背栅隔离结构；以及背栅隔离结构上的相邻的场效应晶体管，其中，所述相邻的场效应晶体管中的每一个包括位于背栅隔离结构上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中，背栅隔离结构作为所述相邻的场效应晶体管的背栅导体的导电路径的一部分，并且，在所述相邻的场效应晶体管的背栅导体之间形成该半导体器件由于采用背栅隔离结构，可分别地向场效应晶体管的背栅施加不同的电压，从而相应地调节各个场效应晶体管的阈值电压。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310050125.0有效
  • 朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-02-08 - 2017-02-08 - H01L27/092
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底；半导体衬底中的背栅隔离结构；以及背栅隔离结构上的相邻的场效应晶体管，其中，所述相邻的场效应晶体管中的每一个包括位于背栅隔离结构上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中，背栅隔离结构作为所述相邻的场效应晶体管的背栅导体的导电路径的一部分，并且，在所述相邻的场效应晶体管的背栅导体之间形成该半导体器件由于采用背栅隔离结构，分别地向一个或多个场效应晶体管的背栅施加不同的电压，从而相应地调节各个场效应晶体管的阈值电压。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种半导体存储器-CN201811130401.3有效
  • 刘伟;袁愿林;刘磊;龚轶 - 苏州东微半导体股份有限公司
  • 2018-09-27 - 2022-05-17 - H01L27/11521
  • 本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器，包括：半导体衬底，以及位于所述半导体衬底中的：至少一个栅沟槽；分别位于所述栅沟槽两侧的自上而下的n型漏区、p型基区和n型源区；位于所述栅沟槽的下部的控制栅；位于所述栅沟槽的上部且位于所述控制栅之上的编程栅；位于所述栅沟槽的上部且分别位于所述编程栅两侧的两个浮栅；所述浮栅、所述控制栅、所述编程栅和所述半导体衬底之间由绝缘介质层隔离。本发明的半导体存储器在实现长电流沟道的同时可以维持很小的芯片面积，而且，本发明的半导体存储器可以采用自对准工艺制造，制程简单。
  • 一种半导体存储器
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