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[发明专利]一种大数据容量的声表面波射频电子标签-CN201010171976.7有效
发明人：李红浪;程利娜;刘久玲;何世堂 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及一种大数据容量的声表面波射频电子标签，包括：压电基片、叉指换能器和分布式反射栅阵，所述的叉指换能器与分布式反射栅阵位于所述的压电基片之上，其特征在于，所述的第一叉指换能器和第一分布式反射栅阵的传播路径之间设置有第二叉指换能器；所述的第一分布式反射栅阵的脉冲信号的无编码间隔的脉冲间隔之间设置有第二分布式反射栅阵，该第二分布式反射栅阵用于与第二叉指换能器组成针对另一频率的声表面波电子标签。本发明在单个频率叉指换能器和分布式反射栅阵结构的基础上，利用声波传播路径和脉冲信号的无编码间隔，添加第二组另一频率叉指换能器和反射栅阵，在不增加射频电子标签尺寸的基础上，大幅扩充电子标签的编码容量。
一种数据容量表面波射频电子标签

[实用新型]一种大数据容量的声表面波射频电子标签-CN201020188790.8有效
发明人：李红浪;程利娜;何世堂 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大数据容量的声表面波射频电子标签，包括：压电基片、叉指换能器和分布式反射栅阵，所述的叉指换能器与分布式反射栅阵位于所述的压电基片之上，其特征在于，所述的第一叉指换能器和第一分布式反射栅阵的传播路径之间设置有第二叉指换能器；所述的第一分布式反射栅阵的脉冲信号的无编码间隔的脉冲间隔之间设置有第二分布式反射栅阵，该第二分布式反射栅阵用于与第二叉指换能器组成针对另一频率的声表面波电子标签。本实用新型在单个频率叉指换能器和分布式反射栅阵结构的基础上，利用声波传播路径和脉冲信号的无编码间隔，添加第二组另一频率叉指换能器和反射栅阵，在不增加射频电子标签尺寸的基础上，大幅扩充电子标签的编码容量。
一种数据容量表面波射频电子标签

[发明专利]一种高品质因数声表面波谐振器-CN202110187466.7在审
发明人：董树荣;张季恺;付从艺;轩伟鹏;陈金凯;金浩;骆季奎 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开一种高品质因数声表面波谐振器，该谐振器为单端口谐振器，该谐振器包括衬底层、设置在衬底层上的压电基底、设置在压电基底上的金属电极层；金属电极层包括叉指电极、母线和反射栅，反射栅对称布置在叉指电极的两侧，母线与叉指电极连接；沿着声表面波谐振器的主传播方向，反射栅的栅条为长度递增的直线段，或者，反射栅的栅条包括中部的竖直直线段和两端向叉指电极方向弯折的弯折段，使得单侧的反射栅整体呈扇形，竖直直线段的长度不小于叉指电极的孔径本发明利用扇形反射栅，并同时采用栅形母线，将由中间叉指电极向声表面波主传播方向以外方向的声表面波反射回去，减少能量损失，提高品质因数。
一种品质因数表面波谐振器

[实用新型]一种声表面波滤波器-CN201721749623.4有效
发明人：罗艳 -专利权人：四川九鼎智远知识产权运营有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：其包括压电基片以及设置在压电基片上的第一叉指换能器组、第二叉指换能器组和多个反射栅，两个叉指换能器组连接成凸字形结构，第一叉指换能器组包括四个串联的叉指换能器，第二叉指换能器组包括两个并联的叉指换能器，每一叉指换能器的两侧设置有反射栅，第一叉指换能器组中的叉指换能器的厚度大于第二叉指换能器组的叉指换能器的厚度，叉指换能器包括两个汇流排和多根电极条，多根电极条互相间隔交错设置并与两侧的汇流排电连接，反射栅的一端与相邻的叉指换能器的汇流排电连接，第一叉指换能器组两端的叉指换能器的汇流排分别连接有输入电极和输出电极。
叉指换能器汇流排反射栅声表面波滤波器本实用新型压电基片电极条电连接凸字形结构互相间隔交错设置两侧设置输出电极输入电极组连接并联减小串联

[发明专利]一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构-CN200910200719.9有效
发明人：程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构，其由多个垂直栅SOI CMOS器件并列排布而成，其中相邻的垂直栅SOI CMOS器件的PMOS区与PMOS区相邻，NMOS区与NMOS区相邻；所有垂直栅SOICMOS器件的源区位于同一侧，漏区位于另一侧；所有垂直栅SOI CMOS器件的栅极从侧面引出形成叉指栅极。相邻的PMOS区共用一个体电极，相邻的NMOS区共用一个体电极，所有体电极并行相连形成叉指体电极。所有源区引出的源极并行连接形成叉指源极；所有漏区引出的漏极并行连接形成叉指漏极。本发明将多个CMOS器件的栅极通过叉指型拓扑结构并联起来，相当于提高了垂直栅SOI CMOS器件的等效栅宽，可以起到调节其沟道电流的目的。
一种调节垂直 soi cmos 器件沟道电流叉指型结构

[发明专利]通信器件、传感器件、表面声波谐振器及其制作方法-CN202211105448.0在审
发明人：樊永辉;吴先民;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供了一种通信器件、传感器件、表面声波谐振器及其制作方法，表面声波谐振器包括：衬底、压电层以及金属层；压电层位于衬底上；金属层位于压电层远离衬底的一侧上，金属层包括叉指换能器与反射栅，反射栅位于叉指换能器的两侧，反射栅与叉指换能器的材质不同。根据本发明的实施例，可使反射栅与叉指换能器的传输性能各自优化，从而降低器件传输损耗、提高品质因子以及频率选择性。
通信器件传感表面声波谐振器及其制作方法

[发明专利]一种单模式突出的双端对谐振式声表面波检测器-CN201010211433.3有效
发明人：刘久玲;何世堂;李顺洲;刘明华;李红浪 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01N29/036 文献下载
摘要：本发明涉及一种单模式突出的双端对谐振式声表面波检测器，该检测器包括制作在压电晶片上3个叉指换能器和2个金属反射栅阵；其中，3个叉指换能器之间的间隔相等，且间隔是叉指换能器0.25波长的0-100倍；第一金属反射栅阵与其相邻第一叉指换能器之间的间隔，第二金属反射栅阵与其相邻第三叉指换能器之间的间隔相等，且间隔是叉指换能器0.25波长的1-10倍；3个叉指换能器的同步频率相等，叉指换能器的同步频率是金属反射栅阵同步频率的0.95-1.05倍，频率响应曲线中的两个纵向模式的能量幅度差距大于
一种模式突出谐振表面波检测器

[发明专利]一种用于气体传感器的声表面波谐振器-CN201210563315.8有效
发明人：王文;谢晓;何世堂 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H03H9/125 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于气体传感器的SAW谐振器，包括压电基片（32），置于压电基片（32）表面的第一叉指换能器（34）、第二叉指换能器（35）、分别与第一叉指换能器（34）、第二叉指换能器（35）外侧相邻的第一短路栅反射器（33）和第二短路栅反射器（36）、以及两个叉指换能器之间设置的金属膜（37），所述的第一叉指换能器（34）、第二叉指换能器（35）、第一短路栅反射器（33）、第二短路栅反射器（36）和金属膜（37）均采用厚铝薄金的双层电极结构由于采用铝/金双层电极模式，并调整了叉指换能器与反射器间距以及金属膜的宽度，使得这种SAW谐振器具有单一谐振模式，低损耗和高Q值的特点。
一种用于气体传感器表面波谐振器

[发明专利]一种基于无线温度传感器的芯片-CN201510372975.1有效
发明人：王宁;姚艳龙 -专利权人：深圳华远微电科技有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G01K11/22 文献下载
摘要：一种基于无线温度传感器的芯片包括叉指换能器、反射栅及压电基底，所述叉指换能器和反射栅设置于压电基底之上，所述反射栅对称设置于叉指换能器的两侧，所述叉指换能器、反射栅及压电基底设于传感器的外壳内部，所述叉指换能器的指条从左至右采用变级加权方式变化即从左至右相邻指条的重叠长度按照余弦函数变化，所述反射删采用点阵加权即在所述反射删的指条之间设置点阵。
叉指换能器反射栅无线温度传感器基底压电点阵芯片反射温度传感器芯片传输线恶劣环境条件温度测量技术传统传统对称设置加权方式外壳内部温度检测余弦函数传感器加权电源检测

[发明专利]叉指式背接触电池、其的电极结构及太阳能电池组件-CN202211042641.4在审
发明人：黄卓;陈斌;蒋秀林 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供叉指式背接触电池、其的电极结构及太阳能电池组件。本申请第一方面提供一种叉指式背接触电池的电极结构，包括：主栅线，包括沿横向间隔排布的M条正极主栅线和N条负极主栅线，细栅线，包括沿纵向间隔排布的多条正极细栅线和多条负极细栅线，其中，M条正极主栅线在横向上均匀等分各正极细栅线并且各正极主栅线与多条正极细栅线电连接，N条负极主栅线在横向上均匀等分各负极细栅线并且各负极主栅线与多条负极细栅线电连接与，且1≤MN。本申请第一方面提供的叉指式背接触电池，正极主栅线以及负极主栅线可以更均匀地收集叉指式背接触电池所产生的电流，减少叉指式背接触电池使用过程中的功率损失，降低电池的生产成本。
叉指式背接触电池电极结构太阳能电池组件

[发明专利]一种电磁能自供电传感器-CN200410040599.8无效
发明人：李平;文玉梅 -专利权人：重庆大学
申请日： 2004-09-01 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H02J17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电磁能自供电传感器，包括压电基片、天线，在压电基片上自左至右顺序制作单向叉指换能器、输出叉指换能器和反射栅，单向叉指换能器、输出叉指换能器和反射栅相互之间相隔一定间距，在单向叉指换能器与反射栅之间形成谐振腔，天线与单向叉指换能器联接，天线接收到的电磁能量沿天线、单向叉指换能器、输出叉指换能器单向传输，输出叉指换能器输出能量。
一种磁能自供传感器

[发明专利]一种可无线访问的声表面波结冰传感器-CN200810118006.3无效
发明人：李红浪;江城;何世堂 -专利权人：中国科学院声学研究所;中国人民解放军空军工程大学工程学院
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G01S15/04 文献下载
摘要：本发明的可无线访问的声表面波结冰传感器包括：压电基片、波导层、叉指换能器、反射栅和天线，叉指换能器、反射栅沉积在压电基片上，用于通过压电效应和逆压电效应对声表面波进行发射和接收。波导层依附在压电基片上，位于叉指换能器和反射栅之间、或自叉指换能器和反射栅之间向两侧延伸并覆盖叉指换能器和反射栅。另外，本发明的声表面波结冰传感器还包括封装层以保护叉指换能器、反射栅、天线以及压电基片。
一种无线访问表面波结冰传感器

[实用新型]金属点阵加权栅阵的声表面波谐振器-CN201320307230.3有效
发明人：李强;黄铁辉 -专利权人：中科微声（天津）传感技术有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本实用新型金属点阵加权栅阵的声表面波谐振器，包括压电基片，所述压电基片上溅射金属叉指换能器和金属栅阵，所述金属栅阵包括分别设置在所述金属叉指换能器左右两侧的反射栅，将左侧的反射栅称作第一反射栅，将右侧的反射栅称作第二反射栅，所述第一反射栅和第二反射栅组成的金属栅阵在所述金属叉指换能器左右两侧对称分布；所述第一反射栅和第二反射栅分别包括多根指条，在所述第一反射栅和第二反射栅的相邻指条间设置金属点阵，对反射栅阵进行加权。
金属点阵加权表面波谐振器

[实用新型]空位加权栅阵的声表面波谐振器-CN201320307460.X有效
发明人：李强;黄铁辉 -专利权人：中科微声（天津）传感技术有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本实用新型空位加权栅阵的声表面波谐振器，包括压电基片，所述压电基片上溅射金属叉指换能器和金属栅阵，所述金属栅阵包括分别设置在所述金属叉指换能器左右两侧的反射栅，将左侧的反射栅称作第一反射栅，将右侧的反射栅称作第二反射栅，所述第一反射栅和第二反射栅组成的金属栅阵在所述金属叉指换能器左右两侧对称分布；所述第一反射栅和第二反射栅分别包括多根指条，在所述第一反射栅和第二反射栅的指条上设置空位。本实用新型空位加权栅阵的声表面波谐振器能消除高阶横波模式对谐振器频率特性的影响，提高SAW谐振器的频率响应性能。
空位加权表面波谐振器

[发明专利]多叉指MOS器件版图邻近效应的建模方法-CN201611226062.X有效
发明人：刘林林;郭奥;王全;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种多叉指MOS器件版图邻近效应的建模方法，包括：设计测试结构，包括参考器件组和用于建立栅极间距版图邻近效应模型的对比器件组；基于参考器件测试数据建立多叉指器件不包含版图邻近效应的初始模型，采用多颗单栅MOS器件的并联进行建模，单栅器件的数量等于叉指数；基于每一个多叉指MOS器件的栅极间距版图邻近效应相关的版图因子构造特征尺寸，将特征尺寸作为初始模型中的单栅器件的版图因子，基于该版图因子，用所有并联的单栅器件引入的版图邻近效应的总和等效表示多叉指器件所有叉指引入的栅极间距版图邻近效应的总和；根据特征尺寸、单根叉指的宽度、长度和叉指数量来构造阈值电压和迁移率修正模型来修正初始模型。
多叉指 mos 器件版图邻近效应建模方法