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[发明专利]大环内酯固态晶型-CN200880100551.8有效
发明人： F·布拉特尔;M·布伦纳;G·胡;T·拉赫尔;R·瓦拉斯 -专利权人：英特威国际有限公司;财团法人微生物化学研究会
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C07H17/08 文献下载
摘要：本发明涉及20，23-二哌啶基-5-O-碳霉糖基-太乐内酯溶剂化和非溶剂化晶型和制备这类晶型的方法、包含(或衍生自)这类晶型的药物、制备包含(或衍生自)这类晶型的药物的方法、使用这类晶型的治疗方法和包含这类晶型的试剂盒
内酯固态

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池-CN201110285753.8无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、P型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、N型氢化微晶硅薄膜、第二透明导电层与金属背电极。
结合氢化氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池

[发明专利]一种硅化钼晶须增韧氧化锆陶瓷手机背板的制备方法-CN201810919936.2有效
发明人：林劝雄;吴宇尧;傅华中 -专利权人：泉州市智通联科技发展有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C04B26/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅化钼晶须增韧氧化锆陶瓷手机背板的制备方法，将12重量份~18重量份硅化钼晶须分散加入到异丙醇中，搅拌得到悬浮液A；将100重量份氧化锆原料逐次加入到悬浮液A中，搅拌得到悬浮液B；将悬浮液B转移至真空干燥箱中真空干燥，得到粉状硅化钼晶须/氧化锆前驱体；将粉状硅化钼晶须/氧化锆前驱体转移至气氛炉烧结成硅化钼晶须增韧氧化锆陶瓷粉体；向硅化钼晶须增韧氧化锆陶瓷粉体中加入液体酚醛树脂，混合均匀，注塑到手机背板模具中，热压成型，得到所述硅化钼晶须增韧氧化锆陶瓷手机背板。本发明硅化钼晶须增韧氧化锆陶瓷手机背板的制备方法简单、易于操作，有利于规模化量产，提高产品的性质以及市场竞争力。
一种硅化钼晶须增韧氧化锆陶瓷手机背板制备方法

[发明专利]一种减小晶圆键合对准偏差的方法-CN201810871529.9在审
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种减小晶圆键合对准偏差的方法，包括：1）在A晶圆表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层图形化金属；2）在B晶圆表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层与图形化金属相同图形的低熔点金属；3）在A晶圆表面旋涂一层BCB；4）对A晶圆表面的BCB进行软固化；5）对A晶圆表面的BCB进行图形化干法刻蚀，直至图形化金属表面的BCB刻蚀干净；6）A晶圆和B晶圆正面相对，通过对准标记对准，升温升压，以实现金属和BCB键合优点：采用低熔点金属预键合加固的方法，减少因为晶圆键合时BCB流动而产生对准偏差的问题，提高晶圆间BCB键合的对准精度。
晶圆表面图形化金属对准偏差晶圆低熔点金属晶圆键合电镀减小键合蒸发对准升压对准标记干法刻蚀晶圆正面图形化预键合刻蚀旋涂固化金属流动

[发明专利]基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法-CN201610446252.6有效
发明人：苗东铭;戴显英;郝跃;祁林林;梁彬;焦帅 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积SiO2层；对顶层Ge层进行离子注入形成非晶化层，并去除非晶化层上的SiO2层；在顶层Ge层上淀积张应力SiN薄膜或压应力SiN薄膜后将SiN薄膜刻蚀成条状，得到单轴张应力SiN条状阵列或单轴压应力SiN条状阵列，并对带有SiN条状阵列的GeOI晶圆进行退火，使非晶化层重结晶，使SiO2埋绝缘层发生塑性形变；刻蚀掉SiN条状阵列，得到晶圆级单轴应变GeOI本发明应变量大、成本低、晶圆平整度高，可用于制作晶圆级单轴应变GeOI材料。
基于非晶化尺度效应晶圆级单轴应变 geoi 制作方法

[发明专利]整体晶化法微晶玻璃陶瓷复合砖及其生产方法-CN200610124143.9无效
发明人：孙树江;史杰 -专利权人：佛山欧神诺陶瓷有限公司
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C03C10/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种整体晶化法微晶玻璃陶瓷复合砖及其生产方法，该砖体包括微晶玻璃层和陶瓷坯层，其方法主要技术特征是采用现有玻璃成型工艺浮法、压延、格法、铸型法等，把微晶玻璃制成未晶化的透明玻璃母板，然后整片放置在经素烧的陶瓷基板上，一起放入陶瓷辊道窑内烧制成半成品，在烧制过程中微晶玻璃的核化、晶化、微晶玻璃与陶瓷的复合同时一次完成；半成品经刮平、粗磨、抛光、磨边、分选等工序生产出微晶玻璃－陶瓷复合墙地砖成品。与烧结法相比，本发明降低了生产成本并从根本上解决了微晶玻璃气孔、杂质等缺陷，大大提高了产品优等率。
整体晶化法微晶玻璃陶瓷复合及其生产方法

[发明专利]一种原位晶化制备L沸石的方法-CN201010609239.0有效
发明人：潘晖华;马怀军;阎立军;马安;田志坚 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司;中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C01B39/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种L沸石的制备方法，将固体二氧化硅和硅溶胶混合均匀，调节体系pH值为7～8，然后成形、干燥、在300～900℃下焙烧1～6小时得到预成形体；将固体铝酸钠和氢氧化钾加入到去离子水中，搅拌至溶液透明得到晶化液，晶化液中KOH/Al2O3摩尔比为1～20，H2O/Al2O3摩尔比为10～120；将所制备的预成形体加入晶化液中，晶化液与预成形体的重量比为2～10；混合均匀后在100～180℃水热晶化6～24小时，过滤、洗涤、干燥得到原位晶化L沸石；本晶化L沸石具有较高的相对结晶度和较大的中孔孔体积，中孔孔径在5～10纳米，作为载体制备的正构烷烃芳构化催化剂具有较高芳烃产率。
一种原位制备方法

[发明专利]一种通过界面调控法制备溶剂化纳米晶热电薄膜的方法-CN201610839195.8有效
发明人：唐智勇;丁德芳 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过界面调控法制备溶剂化纳米晶热电薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将溶剂化纳米晶溶液旋涂于基片上，制备纳米晶薄膜；(2)将制得的纳米晶薄膜浸泡于短链配体溶液中，剥除纳米晶薄膜表面的原始有机配体；(3)将剥除原始有机配体的纳米晶薄膜进行退火处理，得到溶剂化纳米晶热电薄膜。本发明提供的界面调控法制备的溶剂化纳米晶薄膜具有良好的热电性能，该技术与目前微电子领域的半导体器件制备方法兼容，而且可操作性高，成本低，适用性广泛，为将来微电子领域的热电薄膜器件的大规模生产制备引导了方向
一种通过界面调控法制溶剂纳米热电薄膜方法

[发明专利]一种纳米MFI/MOR共晶分子筛及纳米Ti-MFI/MOR共晶分子筛的合成方法-CN202111511790.6有效
发明人：马楠 -专利权人：格润科技（大连）有限责任公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米MFI/MOR共晶分子筛及纳米Ti‑MFI/MOR共晶分子筛的合成方法，纳米MFI/MOR共晶分子筛的合成方法，包括(1)将硅源、模板剂和水混合，老化，经水热晶化得到沸石晶种；(2)将硅源、铝源、碱源和水混合形成溶胶，加入沸石晶种，老化，水热晶化，晶化后母液经固液分离、洗涤、干燥、焙烧，得到纳米MFI/MOR共晶分子筛。将纳米MFI/MOR共晶分子筛酸洗、水洗、干燥和焙烧，得到脱铝的纳米MFI/MOR共晶分子筛；将脱铝的纳米MFI/MOR共晶分子筛与四氯化钛进行气固相同晶取代，得到纳米Ti‑MFI/MOR共晶分子筛。本发明所述方法合成的纳米Ti‑MFI/MOR共晶分子筛成本低廉，晶粒粒径小(60～190nm)，在催化环己酮氨氧化制环己酮肟和苯酚羟基化制苯二酚反应中表现出优异的催化性能，具有极大的工业应用潜力。
一种纳米 mfi mor 分子筛 ti 合成方法

[发明专利]一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法-CN201810683740.8有效
发明人：覃东欢;郭秀珍;容志滔;罗恺楹 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光电器件领域，公开了一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法。所述方法为：在碲化镉纳米晶薄膜上盖上掩膜版，然后用刻蚀溶液的蒸汽对碲化镉纳米晶薄膜表面进行微刻蚀，得到刻蚀后的碲化镉纳米晶薄膜。本发明方法可避免损坏薄膜的PN结而造成器件漏电的问题，同时降低高功函数碲化镉与电极的肖特基势垒。
一种碲化镉纳米薄膜刻蚀方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN94117333.X无效
发明人：竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-08-27 - 公布日： 1998-08-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过选择加入对晶化非晶硅和退火有催化作用的金属元素，在预定方向晶化硅膜。在制造ＴＦＴ过程中，利用晶化硅膜，如此提供ＴＦＴ以致于晶化方向大致平行于源和漏之间的电流方向，以及如此提供ＴＦＴ以致于晶化方向大致垂直于源和漏之间的电流方向。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]微晶玻璃热处理条件的确定方法-CN200610070350.0无效
发明人：岳钦艳;张升晓;高宝玉;于惠;贾玉岩 -专利权人：山东大学
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶玻璃热处理条件的确定方法，即利用热流分析曲线上晶化峰面积对温度的曲线图来确定最佳核化温度和核化时间，利用X射线衍射分析来确定最佳的晶化温度和晶化时间；本发明方法与现有的确定微晶玻璃的热处理制度的方法相比，具有更科学，更精确，更直观的优点，为微晶玻璃研究、开发、生产提供了理论依据和参考性。
玻璃热处理条件确定方法

[发明专利]半导体复合衬底、半导体器件及制备方法-CN202111244069.5在审
发明人：田野;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体复合衬底、半导体器件及制备方法，属于微电子制造技术领域，半导体复合衬底具体包括基底层；键合界面层，位于基底层上表面；以及SiC转移层，位于键合界面层的上表面，SiC转移层由SiC晶圆的剥离转移得到半导体复合衬底制备方法：获取基底层和SiC晶圆；向SiC晶圆中注入离子形成离子化SiC晶圆；对基底层和离子化SiC晶圆进行键合形成键合体；进行高温退火，退火后离子化SiC晶圆在离子注入最大浓度所对应的深度处沿与离子化SiC晶圆表面平行的方向分裂，对离子化SiC晶圆远离键合界面层的部分进行剥离，离子化SiC晶圆靠近键合界面层的部分为SiC转移层。
半导体复合衬底半导体器件制备方法

[实用新型]一种硅异质结太阳能电池-CN202022812813.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：受光域包括第一本征非晶硅层，第一本征非晶硅层设置在硅衬底层上，第一本征非晶硅层的表面相对于其中心线对称设置有第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层，且第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层的上方分别设有第一电极第一N型非晶硅图形化层与第二N型非晶硅图形化层的表面积之和小于第一本征非晶硅层的表面积。硅异质结太阳能电池的结构简单、成本低，能够降低入射光的光损失，从而确保光在体区域中的吸收和转换。
一种硅异质结太阳能电池

[发明专利]一种陶瓷基微晶复合板的生产工艺-CN201110138844.9无效
发明人：赵保华;陈国华;梁东成;陈海 -专利权人：淄博钰晶新型材料科技有限公司;赵保华
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C03C10/14 文献下载
摘要：本发明一种陶瓷基微晶复合板的生产工艺，利用特定配方的微晶颗粒料为饰面层，特定要求的陶瓷基坯为基体层，采用“晶粒”布料技术，通过晶化烧结窑炉按特定的温度制度控制把微晶颗粒料和陶瓷基体烧结晶化成为一体的生产工艺，生产陶瓷基微晶复合板。，再经循环水淬成0～6mm颗粒，然后烘干筛分，通过采用“晶粒”布料技术工艺，均布于特定的陶瓷基体之上，装入模具后放入晶化烧结窑炉内按特定温度制度在1110～1180℃范围内晶化烧结，晶化保温时间10～100分钟，然后退火出窑，经脱模、研磨、抛光、切割等加工处理、包装后即得陶瓷基微晶复合板成品，本发明中采用“晶粒”布料技术工艺，布上一层3～5mm的特定配方的微晶颗粒料，放入晶化烧结窑炉中按特定的温度制度工艺烧结晶化而成的由陶瓷基体和微晶颗粒料组成的复合板材，再经磨抛切工艺，经检验后，包装即为成品，生产陶瓷基微晶复合板，颜色可以根据特定配方中的微晶颗粒料添加着色剂进行调整，适宜自动化批量生产，大大降低生产成本，缩短晶化烧结时间，提高劳动生产率和产品附加值，
一种陶瓷基微晶复合板生产工艺