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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微晶玻璃及其钢化方法和应用-CN202010462068.7有效
发明人：陈亚兵;李倩倩;赵丹;许仁;王伟 -专利权人：维达力实业（赤壁）有限公司;万津科技有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C03B27/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种微晶玻璃及其钢化方法和应用。该钢化方法包括以下步骤：分别熔融玻璃原料和金属盐，制备微晶玻璃前驱体和钢化熔盐；将该微晶玻璃前驱体浸入所述钢化熔盐中，在600℃～950℃的条件下进行钢化处理，制备玻璃中间体；对该玻璃中间体进行冷却处理；所述微晶玻璃前驱体的组成包括氧化钠和/或氧化钾；所述金属盐包括锂盐。利用离子交换使微晶玻璃前驱体表层组分发生改变，形成热膨胀系数差；而通过晶化热处理，可得到表层晶相与内层晶相不一致或表层晶相比例与内层晶相比例不一致的玻璃中间体，在冷却收缩的过程中，两层之间形成应力层，提升微晶玻璃的抗力冲击强度
玻璃及其方法应用

[发明专利]一种原位掺杂非晶硅的晶化退火处理方法-CN202110835288.4有效
发明人：许佳平;张文超;王文科;曹育红;任常瑞;王敏;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位掺杂非晶硅的晶化退火处理方法，采用链式热处理炉对沉积有原位掺杂非晶硅的硅片进行晶化退火处理。本发明能省去在晶化退火处理和湿法清洗处理之间的下料和上料环节，避免在这些环节中出现碎片、不良的问题；本发明还能能减少晶化退火处理所需要的工艺时间；本发明还使用光线对硅片进行加热，由于有了光子的辅助，杂质元素更容易占据到硅材料晶格的替代位上
一种原位掺杂非晶硅退火处理方法

[发明专利]低膨胀率微晶玻璃制备方法-CN201210491458.2无效
发明人：蒋达光;顾玉华;岳丹 -专利权人：江苏宜达光电科技有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C03C10/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种微晶玻璃的制备方法，具体为低膨胀率的微晶玻璃制备方法，具体的技术方案为：称取玻璃原料，原料混匀后加入到坩埚内，升温至1550℃，保温4h，再降至1450℃保温1h；然后于680℃退火处理5h，得到基础玻璃；再进行核化和晶化，核化温度750℃，核化时间1h，晶化温度1075℃，晶化时间1.5h。本发明提供的生产方法可以有效的提供堇青石析出，降低膨胀系数，保证了微晶玻璃的性能。
膨胀率玻璃制备方法

[实用新型]晶化退火炉-CN201520378801.1有效
发明人：魏高恒;高国良 -专利权人：辽宁红山玉科技有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C03B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶化退火炉，其在冷却退火段的后半段加装抽送管，抽送风机通过抽送管将炉内微晶玻璃板材上的余热抽走，并通过排风烟囱排出，从而减少了微晶玻璃板材的排余热时间，提升了晶化质量，也压缩了冷却退火段的长度，使得冷却退火段的长度仅为晶化退火炉总长度的五分之二，从而降低了晶化退火炉的造价以及生产成本。
退火炉

[发明专利]磁盘用晶化玻璃基底的制造工艺-CN96112715.5无效
发明人：铃木富雄;竹矢文则 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 1996-10-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：制造磁盘用晶化玻璃基底的工艺，包含（a）将带有均匀厚度和二个平坦主表面的非晶玻璃板以夹层体方式夹持在与非晶玻璃不起反应并在非晶玻璃晶化加热过程中不会变形的一对冲压装置之间；（b）加热到非晶玻璃退火点以上的温度，使夹层体堆叠形式中的非晶玻璃软化，使主表面贴在冲压装置的平坦表面上以消除翘曲并整平非晶玻璃板；以及（c）将温度提高到晶体生长温度以便在非晶玻璃中生长晶体，从而将非晶玻璃板晶化而又保持其无翘曲状态，随后凝固
磁盘用晶化玻璃基底制造工艺

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN200880112607.1无效
发明人：张泽龙;李炳一 -专利权人： TG太阳能株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：根据本发明的多晶硅太阳能电池利用金属催化剂对非晶硅进行晶化退火，从而降低了晶化温度。根据本发明的太阳能电池的制造方法包括以下步骤：(a)在衬底上形成第一非晶硅层；(b)在所述第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；(c)在所述第二非晶硅层上形成金属层；(d)对所述第二非晶硅层进行晶化退火；以及(e)在步骤(d)所形成的晶体硅层上形成第三非晶硅层。
太阳能电池制造方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制作方法-CN201810052171.7有效
发明人：朱阳杰;李俊峰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制作方法，包括提供一基板；在所述基板的上表面形成量子点层；在所述量子点层上形成非晶硅薄膜；以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化，以形成多晶硅薄膜；其中，所述量子点层中的量子点密度均匀，所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽。本发明的多晶硅薄膜的制作方法在基板上形成大小及位置可控的量子点，并利用密度均匀的量子点作为诱导非晶硅晶化的晶籽，从而能增大多晶硅晶畴尺寸并改善晶畴尺寸的均一性，进而提高多晶硅的迁移率的大小和均匀性。
多晶薄膜制作方法

[发明专利]一种纳米尺度复合分子筛的制备方法-CN202110779108.5在审
发明人：李法齐 -专利权人：山东亮剑环保新材料有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C01B39/38 文献下载
摘要：所述制备方法包括以下步骤：通过水热合成法制备介孔分子筛的晶化液，其中，所述晶化液的晶化温度为100‑200℃，晶化时间为0‑72小时；在介孔分子筛的晶化液中引入微孔分子筛，并添加模板剂，使其充分反应；对反应后的晶化液进行抽滤
一种纳米尺度复合分子筛制备方法

[发明专利]图案化第一半导体晶圆的光刻方法和图案化的半导体晶圆-CN202110560337.8在审
发明人：吴小真;杨棋铭;刘旭水 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了用于图案化第一半导体晶圆的光刻方法。将光学掩模定位在第一半导体晶圆上方。通过将来自光源的光引导穿过光掩模的透明区域来图案化第一半导体晶圆的第一区域。通过将来自能量源的能量引导至第二区域来图案化第一半导体晶圆的第二区域，其中第二区域的图案化包括直射束写入。本发明的实施例还涉及通过工艺生产的图案化的半导体晶圆和在半导体晶圆上写入光刻伪图案的方法。
图案第一半导体光刻方法

[发明专利]使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割-CN201280033999.9有效
发明人：类维生;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;S·辛格;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：描述一种切割半导体晶圆的方法，其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。
使用可水溶管芯附接膜激光等离子体蚀刻切割

[发明专利]评价非晶合金薄带的脆化的方法和非晶合金薄带脆化评价用试验装置-CN202111617112.8在审
发明人：森次仲男;高岛洋 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：提供一种评价非晶合金薄带的脆化的方法和非晶合金薄带脆化评价用试验装置。一种评价非晶合金薄带的脆化的方法，在非晶合金薄带的多个位置从一面侧按压加压构件，使通过按压上述加压构件而形成了的压痕的加压部散布在上述非晶合金薄带中，利用发生破裂的加压部的数量或分布对脆化进行评价。
评价合金方法薄带脆化试验装置

[发明专利]大环内酯固态晶型-CN201310280525.0在审
发明人： F·布拉特尔;M·布伦纳;G·胡;T·拉赫尔;R·瓦拉斯 -专利权人：英特威国际有限公司;公益财团法人微生物化学研究会
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C07H17/08 文献下载
摘要：本发明涉及20,23-二哌啶基-5-O-碳霉糖基-太乐内酯溶剂化和非溶剂化晶型和制备这类晶型的方法、包含(或衍生自)这类晶型的药物、制备包含(或衍生自)这类晶型的药物的方法、使用这类晶型的治疗方法和包含这类晶型的试剂盒
内酯固态

[发明专利]大环内酯固态晶型-CN201310280228.6有效
发明人： F·布拉特尔;M·布伦纳;G·胡;T·拉赫尔;R·瓦拉斯 -专利权人：英特威国际有限公司;公益财团法人微生物化学研究会
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C07H17/08 文献下载
摘要：本发明涉及20,23-二哌啶基-5-O-碳霉糖基-太乐内酯溶剂化和非溶剂化晶型和制备这类晶型的方法、包含(或衍生自)这类晶型的药物、制备包含(或衍生自)这类晶型的药物的方法、使用这类晶型的治疗方法和包含这类晶型的试剂盒
内酯固态

[发明专利]大环内酯固态晶型-CN201310279877.4有效
发明人： F·布拉特尔;M·布伦纳;G·胡;T·拉赫尔;R·瓦拉斯 -专利权人：英特威国际有限公司;公益财团法人微生物化学研究会
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C07H17/08 文献下载
摘要：本发明涉及20,23-二哌啶基-5-O-碳霉糖基-太乐内酯溶剂化和非溶剂化晶型和制备这类晶型的方法、包含(或衍生自)这类晶型的药物、制备包含(或衍生自)这类晶型的药物的方法、使用这类晶型的治疗方法和包含这类晶型的试剂盒
内酯固态

[发明专利]大环内酯固态晶型-CN201310280229.0有效
发明人： F·布拉特尔;M·布伦纳;G·胡;T·拉赫尔;R·瓦拉斯 -专利权人：英特威国际有限公司;公益财团法人微生物化学研究会
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C07H17/08 文献下载
摘要：本发明涉及20,23-二哌啶基-5-O-碳霉糖基-太乐内酯溶剂化和非溶剂化晶型和制备这类晶型的方法、包含(或衍生自)这类晶型的药物、制备包含(或衍生自)这类晶型的药物的方法、使用这类晶型的治疗方法和包含这类晶型的试剂盒
内酯固态

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