专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]聚乳酸-改性蛭石复合材料及制备方法和应用-CN202010520240.X在审
  • 甄卫军;李柯 - 新疆大学
  • 2020-06-09 - 2020-09-01 - C09C1/42
  • 本发明涉及聚乳酸复合材料技术领域,是一种聚乳酸‑改性蛭石复合材料及制备方法和应用,前者原料包括聚乳酸树脂、改性蛭石和增塑剂。通过采用本发明所述改性蛭石制备得到的本发明所述聚乳酸‑改性蛭石复合材料较现有聚乳酸基材在冲击强度、耐热性能和结晶性能都有明显提高,并且本发明通过螺杆挤出机熔融共混制备聚乳酸‑改性蛭石复合材料,添加改性蛭石量小,效果显著,使本发明所述聚乳酸‑改性蛭石复合材料可应用于包装、建材等领域,从而拓展了聚乳酸材料的应用领域;另外,本发明所述改性蛭石对于新疆蛭石资源的高附加值开发具有重要推动意义。
  • 乳酸改性蛭石复合材料制备方法应用
  • [发明专利]聚氨酯与聚乙烯纳米改性材料-CN201210391724.4有效
  • 欧阳伟 - 广东三凯新材料股份有限公司
  • 2012-10-16 - 2012-12-26 - C08L75/04
  • 本发明公开了聚氨酯与聚乙烯纳米改性材料,涉及塑料材料领域。该改性材料由下列物质组成并且其重量份数比如下:聚氨酯PU100;聚乙烯PE30~60;环保增塑剂10~20;聚烯烃聚氯乙烯功能改性剂6~10;纳米材料0.8~2.5;抗氧化剂0.5~2.0;润滑剂0.5本发明通过对聚氨酯及聚乙烯进行改性而得到纳米改性材料,该改性材料具有弹性好、吸音、隔热、耐油、耐高温、耐寒、耐磨及减震特性,主要应用于制造皮革、高压密封件、机械设备、汽车、航空领域、船舶、潜水设备、仪表及医疗器械等领域
  • 聚氨酯聚乙烯纳米改性材料
  • [发明专利]N掺杂改性LDHs材料及其制备方法-CN202010160589.7在审
  • 李智雄;牛强 - 上海大学;内蒙古鄂尔多斯循环经济技术研发有限公司
  • 2020-03-10 - 2020-07-14 - C01B13/14
  • 本发明公开了一种N掺杂改性LDHs材料及其制备方法,属于紫外阻隔材料技术领域,具体涉及一种无机工业用LDHs类材料改性及其在紫外阻隔方面的应用,本发明先从生产企业购买工业级别LDHs类材料,然后以三聚氰胺作为氮源,通过三聚氰胺负载浓度和焙烧温度的调节实现N原子的掺杂与LDHs材料改性,并考察该改性材料在紫外阻隔方面的效果。通过该方法获得的改性LDHs类材料具有明显的双紫外吸收峰,与传统的紫外阻隔材料相比,该材料具有更加显著的紫外阻隔效果;同时,由于直接在工业级LDHs类材料上进行改性,使得该种制备方法具有价格廉价、工艺简单等优势
  • 掺杂改性ldhs材料及其制备方法
  • [发明专利]高导热性水合硝酸盐复合相变材料及制备方法-CN202111497661.6在审
  • 朱发岩;王云霞;周永全;刘红艳;贾力凡 - 中国科学院青海盐湖研究所
  • 2021-12-09 - 2022-02-18 - C09K5/06
  • 本发明公开了一种高导热性水合硝酸盐复合相变材料,包括改性膨胀石墨以及吸附在所述改性膨胀石墨周围的相变材料,所述相变材料为水合硝酸盐或者水合硝酸盐‑水合氯化钙混合物,所述改性膨胀石墨在所述复合相变材料中的质量含量为5wt%~20wt%;所述改性膨胀石墨是表面附有氧化铝膜的亲水性改性膨胀石墨。本发明还提供一种高导热性水合硝酸盐复合相变材料的制备方法,包括:步骤1,改性膨胀石墨,将膨胀石墨浸泡在可溶性铝盐溶液中,调节pH值后过滤,将固体干燥煅烧;步骤2,复合相变材料制备,将相变材料加热,将所述改性膨胀石墨与熔融状态的相变材料混合均匀,冷却后得到高导热性水合硝酸盐复合相变材料
  • 导热性水合硝酸盐复合相变材料制备方法
  • [发明专利]一种基于GaN基材料原子层刻蚀方法-CN202110710347.5在审
  • 刘建;车东晨;彭泰彦;王玉;许开东 - 江苏鲁汶仪器有限公司
  • 2021-06-25 - 2022-12-27 - H01L21/3065
  • 本发明的一种基于GaN基材料原子层刻蚀方法,包括如下步骤:步骤1,将需要改性改性材料输送至等离子蚀刻机的真空腔中进行抽真空;步骤2,将抽真空后的所述改性材料送至改性工艺腔室;步骤3,利用改性气体对所述改性材料进行改性加工;所述改性气体为Cl2、BCl3、氯基气体中的任意一种或其任意组合;步骤4,将改性气体抽离,充入蚀刻气体进行等离子体轰击;所述蚀刻气体为惰性气体或多种惰性气体的组合;步骤5,将蚀刻气体抽离并重复步骤3和步骤4,直达GaN基材料达到工艺指标要求。本发明优化了GaN基材料的制程,获得更为精确的控制及低损伤。
  • 一种基于gan基材原子刻蚀方法

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