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[发明专利]一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法-CN200710160238.0无效
发明人：严密;顾浩;马天宇;罗伟 -专利权人：浙江大学;横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法。它用乙酸锌、醋酸亚铁作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，并加入乙醇胺作为稳定剂，抗坏血酸作为抗氧化剂，搅拌得到溶胶，将溶胶经烘干、热处理后得到氧化锌掺铁稀磁半导体材料粉末，或者将溶胶滴加在衬底上，采用旋涂的方法得到氧化锌掺铁稀磁半导体材料薄膜
一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料制备方法

[发明专利]一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法-CN201110166520.6有效
发明人：潘峰;王钰言;曾飞;陈光 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。该ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成稀磁薄膜的材料为Zn1-xTMxO，所述Zn1-xTMxO中，x为0.2％-10.0％，优选3％-5％，TM为过渡金属元素；构成反铁磁薄膜的材料选自过渡金属氧化物中的至少一种本发明通过在ZnO基稀磁薄膜上沉积一薄层反铁磁薄膜或在反铁磁薄膜上沉积一层稀磁薄膜来提高ZnO基稀磁薄膜的室温铁磁性，利用室温铁磁性TM:ZnO薄膜和反铁磁薄膜的界面近邻效应，使双层膜结构的室温饱和平均原子磁矩(μB/Co)相对单层稀磁薄膜结构的平均原子磁矩明显增大。
一种 zno 基稀磁薄膜及其制备方法

[发明专利]一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法-CN200710001132.6无效
发明人：王漪;孙雷;韩德东;刘力锋;康晋锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。采用本发明制得的室温铁磁性的掺钴氧化钛稀磁半导体材料，可用于脉冲激光沉积以及反应溅射等方法制备室温铁磁性Co_xTi_1－xO₂薄膜时的靶材
一种氧化钛掺钴室温半导体材料制备方法

[发明专利]NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法-CN201310254373.7有效
发明人：林元华;罗屹东;张玉骏;南策 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： D01F9/08 文献下载
摘要：本发明提出了NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法，NiO基稀磁半导体纳米纤维掺杂有铁和锂。制备NiO基稀磁半导体纳米纤维的方法包括：配制前驱体溶液，利用前驱体溶液进行静电纺丝，以便得到原丝；以及将原丝进行烧结处理，以便得到NiO基稀磁半导体纳米纤维；其中，前驱体溶液为包含镍元素、铁元素、锂元素和聚乙烯吡咯烷酮的有机溶液利用该方法可以制备得到一维结构的NiO基稀磁半导体纳米纤维，并且通过掺入铁元素和锂元素可以提高该纳米纤维的室温磁性。
nio 基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法

[发明专利]铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法-CN201810786224.8有效
发明人：赵洪阳;马志斌;程振祥;王欢;蔡康 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法，它以乙酰丙酮铁作为铁源，无水乙醇作为碳源，通过无水乙醇将乙酰丙酮铁引入微波等离子体化学气相沉积装置中，在基底上生长铁掺杂金刚石，实现将铁元素引入稀磁金刚石中本发明首次以乙酰丙酮铁作为铁源，通过挥发的无水乙醇将其引入，采用微波等离子体化学气相沉积法制备稀磁金刚石半导体，并成功生长出在室温下具有铁磁效应的金刚石。并且发现，随着铁源用量的增加，金刚石的磁性强度呈现一种上升的现象。针对其的研究有利于最大程度地探究铁掺杂金刚石的稀磁半导体特性，同时也有利于探索金刚石磁性掺杂的更多可能性。
掺杂金刚石半导体及其制备方法

[发明专利]硫代乳酸掺绿锈的地质聚合物吸附剂及其制备方法和应用-CN202010021022.1有效
发明人：黄涛;刘万辉;宋东平;金俊勋;刘龙飞;张树文;徐娇娇 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开硫代乳酸掺绿锈的地质聚合物吸附剂及其制备方法和应用，包括以下步骤：将凝灰岩粉末与氢氧化钠溶液混合，搅拌均匀，得地质聚合物浆体；向硫代乳酸稀溶液中通入氮气，然后将混合铁剂加入硫代乳酸稀溶液中，密封条件下搅拌直至硫酸亚铁和硫酸铁完全溶解，配制硫代乳酸铁离子混合溶液；将硫代乳酸铁离子混合溶液与地质聚合物浆体混合，搅拌均匀，超声得硫代乳酸掺绿锈加载凝灰浆；将硫代乳酸掺绿锈加载凝灰浆进行陈化，粉碎，研磨，过筛，得硫代乳酸掺绿锈加载的地质聚合物吸附剂本发明制备过程简单，相比于地质聚合物吸附剂，本发明制备的硫代乳酸掺绿锈加载地质聚合物重金属吸附容量更大，适用pH范围更广且可高效吸附多种重金属。
乳酸掺绿锈地质聚合物吸附剂及其制备方法应用

[发明专利]ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法-CN201310044088.2有效
发明人：林元华;张玉骏;罗屹东;南策文 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体，然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材，再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜，或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过溶胶凝胶法，经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程，制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小，薄膜的室温饱和磁化强度增大，而共掺Mg可以使带隙增大，薄膜室温饱和磁化强度减小。
zno 基稀磁半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]掺稀装置以及采油管柱-CN201810068526.1在审
发明人：曹鹏;刘迎斌;王宏;金子涵;陈晓东;宋春芳;董颖鑫;韩华军;官春艳;陈国泉;曾文波;胡阳阳;李子文;马金龙;吴家华;李冠军 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： E21B43/16 文献下载
摘要：本发明提供一种掺稀装置以及采油管柱，包括：混合管以及单流装置；混合管的顶端用于与油管连通，混合管的侧壁上开设有掺稀孔；掺稀孔用于与掺稀管通过单流装置连通，单流装置只允许稀油由掺稀管流向掺稀孔。通过使混合管的顶端与油管连通，混合管的侧壁上开设掺稀孔，掺稀孔与掺稀管通过单流装置连通，且单流装置只允许稀油由掺稀管流向掺稀孔；使得当油管内的原油压力升高时，单流装置能够阻止原油进入到掺稀管内；当油管压力降低时，稀油会继续进入到油管内，掺稀效果较好，降低了原油的开采难度。
单流装置混合管油管连通稀油采油管柱侧壁原油油管压力原油压力管内升高

[实用新型]掺稀装置以及采油管柱-CN201820124115.5有效
发明人：曹鹏;刘迎斌;王宏;金子涵;陈晓东;宋春芳;董颖鑫;韩华军;官春艳;陈国泉;曾文波;胡阳阳;李子文;马金龙;吴家华;李冠军 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： E21B43/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掺稀装置以及采油管柱，包括：混合管以及单流装置；混合管的顶端用于与油管连通，混合管的侧壁上开设有掺稀孔；掺稀孔用于与掺稀管通过单流装置连通，单流装置只允许稀油由掺稀管流向掺稀孔。通过使混合管的顶端与油管连通，混合管的侧壁上开设掺稀孔，掺稀孔与掺稀管通过单流装置连通，且单流装置只允许稀油由掺稀管流向掺稀孔；使得当油管内的原油压力升高时，单流装置能够阻止原油进入到掺稀管内；当油管压力降低时，稀油会继续进入到油管内，掺稀效果较好，降低了原油的开采难度。
单流装置混合管油管连通稀油采油管柱侧壁本实用新型原油油管压力原油压力管内升高

[发明专利]稠油井掺稀量的确定方法和装置-CN201611128739.6在审
发明人：杨文明;高春海;罗慎超;杨小华;张露;王宏 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G01N9/36 文献下载
摘要：本发明提供一种稠油井掺稀量的确定方法和装置，该方法包括：获取待掺稀的稠油井中的稠油密度和可进行掺稀的稀油密度；根据所述稠油密度和所述稀油密度，采用质量守恒定律获取掺稀比；根据稠油井的稠油产量和所述掺稀比，获取掺稀量。根据稀油密度以及稠油井的产量适时确定掺稀比，进而确定掺稀量，避免掺稀量太大或者太小造成经济成本增加的问题，有效提高原油产量并节约稀油。
掺稀量稠油井稀油稠油方法和装置质量守恒定律经济成本原油节约

[实用新型]地面掺稀工艺系统-CN201820560168.1有效
发明人：马威;韩华军;徐云春;王学勇;龙华;宋丹凤;乔文序;官春艳;黄璐;张颖;李享成;周明旺 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： E21B43/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种地面掺稀工艺系统，包括：高压掺稀泵，其出口端连接设置有高压干线截止阀的高压掺稀干线；低压掺稀泵，其出口端连接有设置有低压干线截止阀的低压掺稀干线；高压掺稀泵和低压掺稀泵连接有单井掺稀支线，其上设置有两个支线截止阀；单井阀组机构，其包括与单井掺稀支线相连接的注入管线，以及，设置在注入管线上的注入截止阀和掺稀控制阀，注入管线与单井掺稀支线的连接点位于第一支线截止阀和第二支线截止阀之间，注入截止阀沿注入管线中稀油的流动方向位于掺稀控制阀的上游本实用新型实施例的地面掺稀工艺系统可实现不同套压井的集中掺稀。
截止阀注入管线掺稀泵单井掺稀工艺本实用新型注入截止阀出口端控制阀干线高压干线连接设置点位套压稀油上游流动

[实用新型]掺稀混配器、掺稀管柱及采油设备-CN201820865352.7有效
发明人：杨小华;钟平强;杨国和;彭洋;段云江;雷晓贤;曲其森;蒋亚坤;林莹 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： E21B43/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掺稀混配器、掺稀管柱及采油设备，通过在掺稀混配器壳体的侧壁上设置多个用于掺稀油的通孔，多个通孔沿竖直方向等间距分布在壳体的侧壁上，位于同一高度的通孔沿壳体的周向均匀分布，这样，在掺稀油时可以使得油套环空中的掺稀油均匀的流入掺稀混配器中，使得原油与掺稀油在掺稀混配器中充分混合，提高了掺稀效率，保证了生产的正常进行。
掺稀混配器掺稀油壳体通孔采油设备侧壁管柱周向均匀分布本实用新型等间距分布充分混合油套环空竖直原油保证生产

[实用新型]掺稀系统-CN201720562575.1有效
发明人：冯光;于俊宇;鲁明;肖娟;王鹏飞;史智峰;崔中拓;柴伟栋;费涛;胡阳阳 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： E21B43/25 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掺稀系统。该掺稀系统包括掺稀泵以及可调节油嘴；其中，所述可调节油嘴分别与所述掺稀泵和井口连接。本实用新型通过在掺稀系统的掺稀泵与井口之间连接能够调节油嘴大小的可调节油嘴，使得当油井产量大幅度降低时，能够通过可调节油嘴实现掺稀量的进一步控制，解决了变频器采用最低工作频率时掺稀量及掺稀比偏高，稠油生产成本较高的问题
系统

[发明专利]一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法-CN200910236797.4无效
发明人：王丽;苏雪琼;陈江博;万晓婧 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co2O3为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结，得到Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材；再利用Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材，采用脉冲激光沉积法制备P型掺钴氧化锌薄膜。本发明具有操作简单易行，重复率高，所制得的稀磁半导体薄膜不仅结晶质量好、表面光滑，最重要的是成功使得n型本征ZnO转变为P型掺杂ZnO基稀磁半导体材料，为下一步制备具有稀磁特性的ZnO基同质P-N结的应用创造了良好的前提条件
一种制备型掺钴氧化锌薄膜方法

[发明专利]一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法-CN200710003498.7无效
发明人：王漪;孙雷;韩德东;刘力锋;康晋锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C01G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。即将高纯的ZnO粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后，使用行星式球磨机在玛瑙罐中混料长时间湿法球磨，球磨料经烘干、研磨，反应烧结，再特殊退火处理，即使用一定比例的惰性气体和氢气混合气体，对掺杂的氧化锌稀磁半导体材料进行退火处理退火后的Co_xZn_1－xO材料具有室温铁磁性，采用本发明可制得具有室温铁磁性的掺钴氧化锌稀磁半导体材料。
一种氧化锌室温半导体材料制备方法

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