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[发明专利]一种基于UDB的报文数据传输方法及传输装置-CN202010312215.2有效
发明人：钟济;李家翔;常培峰 -专利权人：苏州雄立科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种基于UDB的报文数据传输方法及传输装置，所述方法包括：获取待传输的有效报文数据，根据UDB配置有效报文数据的偏移量，根据偏移量在有效报文数据中掺杂无效报文数据，得到结果报文数据。与现有技术相比，本申请将利用自定义模板配置有效报文数据的偏移量，根据偏移量在有效报文数据中掺杂无效报文数据，得到的结果报文数据是有效报文数据和无效报文数据掺杂混合的数据形式。以这种混合的数据形式进行数据传输时，即使数据被窃取，由于有效报文数据中掺杂无效报文数据，窃取者没有传输数据前使用的UDB，因此无法从结果报文数据中提取到有效报文数据，从而提高数据传输的安全性。
一种基于 udb 报文数据传输方法传输装置

[发明专利]一种铁掺杂二硫化钼涂层材料及其制备方法和应用-CN201710801352.0有效
发明人：曹辉亮;唐楷为;刘宣勇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁掺杂二硫化钼涂层材料及其制备方法和应用，所述铁掺杂二硫化钼涂层材料包括原位生长于金属基底表面的掺杂有铁元素的二硫化钼纳米片，所述铁掺杂二硫化钼涂层材料中铁元素的掺杂量为1～4wt%。本发明在医用钛钛合金表面构建铁掺杂二硫化钼层，使其抗菌效果明显提高。
一种掺杂二硫化钼涂层材料及其制备方法应用

[发明专利]激光掺杂装置和半导体装置的制造方法-CN201680081317.X有效
发明人：池上浩;诹访辉;若林理 -专利权人：国立大学法人九州大学;极光先进雷射株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：激光掺杂装置具有：溶液供给系统，其对掺杂区域供给包含掺杂剂的溶液；脉冲激光系统，其输出透过溶液且包含多个脉冲的脉冲激光；第一控制部，其控制对掺杂区域照射的脉冲激光的脉冲数和掺杂区域中的脉冲激光的注量；以及第二控制部，其控制溶液的流速，以使得每次照射脉冲时在溶液内所产生的气泡从掺杂区域移开。
激光掺杂装置半导体制造方法

[发明专利]硅单晶的制造方法-CN201811548364.8有效
发明人：铃木优作 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：硅单晶的制造方法，其中，通过在向熔融带域吹附掺杂气体的同时控制电阻率的FZ法，培育硅单晶，所述方法实施下述步骤：步骤(S1)，利用规定的培育装置而获取硅单晶的培育实际数据；步骤(S2)，基于培育实际数据，演算硅单晶的电阻率的实际值与硅单晶的掺杂气体吸收率的关系；步骤(S3)，基于电阻率的实际值和掺杂气体吸收率的关系，由使用同一培育装置制造的硅单晶的电阻率的目标值，演算掺杂气体供给量；和，步骤(S4)，在利用演算的掺杂气体供给量而吹附掺杂气体的同时，控制培育的硅单晶的电阻率。
硅单晶制造方法

[发明专利]一种氮掺杂介孔中空碳球负载铂-氧化钴复合电催化材料的制备方法及其产品和应用-CN202110480941.X有效
发明人：余家国;王亚茹;邝攀勇 -专利权人：佛山仙湖实验室
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C25B11/093 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂介孔中空碳球负载铂‑氧化钴复合电催化材料的制备方法，包括如下步骤：(1)制备氮掺杂的碳包覆二氧化硅球；(2)制备氮掺杂的空心碳球；(3)制备活化的氮掺杂介孔空心碳球；(4)制备氮掺杂介孔中空碳球负载铂本发明提出的氮掺杂介孔中空碳球负载铂‑氧化钴复合电催化材料通过铂纳米颗粒与四氧化三钴的电子转移和协同效应以大大降低铂的负载量，该复合电催化材料贵金属铂的负载量仅为商业铂碳的1/19，极大地减低了材料成本
一种掺杂中空负载氧化钴复合电催化材料制备方法及其产品应用

[发明专利]氮掺杂碳包覆的锂离子电池正极材料及其制备方法-CN202110190525.6有效
发明人：黄仁忠;吴浩;高琦;郑江峰;张晨 -专利权人：广东佳纳能源科技有限公司;清远佳致新材料研究院有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请锂电池领域，涉及一种氮掺杂碳包覆的锂离子电池正极材料及其制备方法。该材料包括内核以及外壳。外壳包括碳原子和氮原子；以质量百分比计，外壳中氮原子含量为2.17％～6.54％。本申请的氮掺杂碳包覆的锂离子电池正极材料，外壳中氮原子含量在2.17％～6.54％范围内，外壳中氮掺杂量较高，碳包覆层较薄，有利于提高氮掺杂碳包覆的锂离子电池正极材料的充放电循环性能、倍率性能等电化学性能进一步地，本申请的氮掺杂碳包覆的锂离子电池正极材料，能够实现外壳中氮原子掺杂量的可调控性，有利于提高外壳的均一性。
掺杂碳包覆锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]用于锂离子电池正极材料的复合磷酸亚铁锂及其制备方法-CN200910110479.3无效
发明人：翟东军;龚波林 -专利权人：翟东军;龚波林
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：所述复合磷酸亚铁锂是复合材料，包括磷酸亚铁锂基体和其外的碳包覆层，所述磷酸亚铁锂基体含有非稀土金属掺杂和稀土掺杂，或非稀土金属掺杂和混合稀土掺杂，掺杂量为磷酸亚铁锂基体重量的0.01-5％，所述碳包覆层的包覆量为本发明的复合磷酸亚铁锂特别使用了稀土及混合稀土金属掺杂，可以显著改善复合磷酸亚铁锂的电化学性能，从而提高磷酸亚铁锂材料的容量和首次效率，本发明的方法易于生产控制和产业化，无有害气体排放，工艺简单、成本低廉
用于锂离子电池正极材料复合磷酸亚铁及其制备方法

[发明专利]适于形成半导体结型二极管器件的半导体晶片及其形成方法-CN200780039598.3有效
发明人：高隆庆;邝普如 -专利权人：威世通用半导体公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：所述方法首先用第一传导类型的第一掺杂剂通过背表面掺杂第一传导类型的半导体衬底，所述第一传导类型的第一掺杂剂的量足以形成具有目标正向电压降的半导体结型二极管器件。接下来，用第一传导类型的第二掺杂剂通过前表面来掺杂衬底，所述第一传导类型的第二掺杂剂的量足以形成使得其具有目标反向击穿电压的半导体结型二极管器件。
适于形成半导体二极管器件晶片及其方法

[发明专利]一种氮掺杂炭气凝胶及其制备方法和应用-CN201810074732.3在审
发明人：刘守新;李伟;孙佳明;鄂雷;马春慧;罗沙 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B01J13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂炭气凝胶的制备方法，将微晶纤维素、蛋白质、浓硫酸和水混合，将所得混合物料进行水热反应，得到氮掺杂炭气湿凝胶；将所述氮掺杂炭气湿凝胶依次进行洗涤和干燥，得到氮掺杂炭气凝胶。本发明以微晶纤维素为原料，原料来源广，价格低廉且环保可再生；水热反应后的氮元素以季铵类、吡咯或吡咯烷酮等官能团形式掺杂进入炭骨架；通过改变氮元素掺入量和水热反应条件可以调控制备不同氮掺杂量和孔隙结构的碳材料，方法简单，性能优异；本发明制备的氮掺杂炭气凝胶表现出较好的重金属离子吸附性能，在污水处理领域具有潜在的应用价值。
氮掺杂炭气凝胶制备微晶纤维素水热反应氮元素凝胶制备方法和应用重金属离子吸附水热反应条件污水处理领域官能团形式混合物料孔隙结构吡咯烷酮掺入量浓硫酸潜在的水混合碳材料炭骨架季铵吡咯蛋白质洗涤掺杂再生调控环保应用表现

[发明专利]一种吸收紫外线的纳米氧化锌-CN201910911687.7在审
发明人：张训龙;刘艺 -专利权人：安徽省含山县锦华氧化锌厂
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸收紫外线的纳米氧化锌，包含大于99重量%的锌部分、第一金属元素掺杂物部分和第二金属元素掺杂物部分；所述第一金属掺杂物部分和所述第二金属掺杂物部分以0.5‑1:1‑1.5重量比存在；所述第一金属掺杂物在氧化锌六角纤锌结构中以金属离子2+的形式存在；所述第二金属掺杂物在氧化锌六角纤锌结构中以金属离子2+、3+的形式存在或同时存在。本发明的吸收紫外线的纳米氧化锌掺杂多于氧化锌自身的电子，在当受到紫外线的照射时，价带上的电子可吸收紫外线而被激发到导带上，同时产生空穴一电子吸收并散射紫外线辐射。
金属掺杂物紫外线氧化锌金属元素掺杂纳米氧化锌金属离子六角纤锌空穴紫外线辐射电子吸收可吸收重量比散射导带价带吸收照射掺杂激发

[发明专利]一种铜掺杂型二氧化锰催化剂及其制备方法-CN201610033716.0有效
发明人：黄建国;肖鸽 -专利权人：宁波钛安新材料科技有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜掺杂型二氧化锰催化剂的制备方法，包括以下步骤：在溶剂中加入高锰酸盐、Mn^II盐、铜粉这三种原料得到反应液，并加入酸使反应液呈强酸性，搅拌并进行沉淀反应得到含有前躯体的混合溶液；将上述沉淀反应之后的混合溶液加入到反应釜中进行水热反应，然后经过清洗、过滤及干燥滤渣，即得到铜掺杂型二氧化锰催化剂材料。本发明的制备方法可以控制铜的掺杂量、掺杂反应充分且能大大增加铜的掺杂量。本发明制备的催化剂为铜掺杂二氧化锰催化剂材料，实现了晶格铜的掺杂，大大增加了其催化分解反应的活性。
一种掺杂二氧化锰催化剂及其制备方法

[发明专利]硅基集成啁啾光栅可调光延迟线-CN201210444561.1无效
发明人：邹志;周林杰;谢静雅;陆梁军;孙晓萌;孙丽丽;李新碗;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，包括在绝缘体上硅基底上两个重掺杂区域及该两个重掺杂区域之间的本征区的光波导变迹光栅，所述的两个重掺杂区域为p型和n型重掺杂区域或p型和p型重掺杂区域，形成p-i-n结或p-i-p结构形式，所述的光波导变迹光栅是由高折射率差的硅基材料构成，中间为常规硅波导，旁边为硅锯齿和空气缝相间形成的光栅，在所述的p型重掺杂区域和n型重掺杂区上淀积金属电极，用来和外部电路相连以加载电压通过改变外加电压可以改变光栅的啁啾量，实现对光信号延迟量的动态调节，具有加工简单，调节迅速，可调范围大等优点。
集成啁啾光栅调光延迟线

[发明专利]一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法-CN201810162045.7在审
发明人：赵子强;赵云彪;付恩刚;王绪;韩冬 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法，包括以下步骤：提供多层膜衬底，所述多层膜衬底包括依次设置的Si层、SiO2层、非晶SiC层、Cu层和Ni层；所述非晶SiC层可替换为DLC膜；在所述多层膜衬底的Ni层表面进行氮离子注入，得到氮掺杂衬底；将所述氮掺杂衬底进行退火，得到氮掺杂石墨烯。本发明结合离子注入技术和固态碳源法，以非晶SiC或者DLC膜为碳源，通过氮离子注入，使氮原子和碳原子共偏析一步制备出氮掺杂的石墨烯；通过对离子注入参数的控制实现对氮原子的掺杂量的控制。实验结果表明，本发明提供的方法能够精确控制氮原子的掺杂量，得到的氮掺杂石墨烯电子迁移率可达850cm2V‑1s‑1。
衬底氮掺杂石墨烯氮掺杂氮原子多层膜非晶掺杂量氮离子制备离子退火离子注入参数离子注入技术电子迁移率固态碳源一步制备依次设置可替换石墨烯碳原子偏析

[发明专利]一种硼磷共掺杂多孔硅负极材料及制备方法-CN201911119743.X有效
发明人：杨娟;唐晶晶;周向阳;张佳明;任永鹏;周昊宸;王鹏;胡挺杰 -专利权人：中南大学;湖南宸宇富基新能源科技有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明的公开了一种硼磷共掺杂多孔硅负极材料及其制备方法，其特征在于，该材料以单质硅为基体，掺杂有硼原子和磷原子，硼原子的质量掺杂量为0.001～0.17wt％，磷原子的质量掺杂量为0.01～2wt％，余量为硅单质本发明所采用硅源和掺杂源均为可溶性液态前驱体，可保证产物硅材料的均匀掺杂特性，并且可以通过改变添加原料配比，在较大范围调节掺杂含量。本发明采用的镁热还原法同步完成硅还原与元素掺杂过程，无需额外的复合或包覆步骤，能耗低，工艺简单，适合工业化生产。
一种硼磷共掺杂多孔负极材料制备方法

[发明专利]具有铁电阻电耦合特性的铈掺杂二氧化铪薄膜及制备方法-CN202210590041.5有效
发明人：肖娟秀;冯建波;吕荣鑫;李桂秋;谭琳惠;赵芃;沈义俊;王东 -专利权人：海南大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铁电/阻电耦合特性的铈掺杂二氧化铪薄膜材料的制备方法，包括基底预处理；薄膜缓冲层、铈掺杂二氧化铪层沉积和快速退火热处理步骤。其中通过调节铈源与铪源的循环比及总循环数控制薄膜厚度和铈掺杂量，最终制备而得铈掺杂浓度为5.7～23.0mol％，薄膜厚度为7～20nm的铈掺杂二氧化铪薄膜材料。利用本发明所提供得原子层沉积法制备铈掺杂二氧化铪基薄膜，不仅膜厚度及铈掺杂量便于调控、薄膜均匀且易于实现工业化，且所制备的铈掺杂二氧化铪薄膜材料具有优异的铁电/阻电耦合性能，展现出良好的铁电畴翻转和读写功能
具有电阻耦合特性掺杂氧化薄膜制备方法

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