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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN01103488.2有效
发明人：村中诚志;菅野至;代田真美;近藤纯二 -专利权人：三菱电机株式会社;花王株式会社
申请日： 2001-02-07 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用单一的药液除去全部A1布线工序等中的抗蚀剂残渣。作为抗蚀剂除去或抗蚀剂残渣除去的处理液,使用含有有机酸或其盐和水且pH值小于8的药液。
半导体装置制造方法

[发明专利]抗蚀剂用共聚物以及抗蚀剂用组合物-CN201410260961.6在审
发明人：加藤圭辅;安田敦;安斋龙一;前田晋一 -专利权人：三菱丽阳株式会社
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C08F220/32 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂用共聚物，使用该抗蚀剂用共聚物时，灵敏度良好，形成的抗蚀剂图案的形状良好，抗蚀剂图案作为掩膜进行干蚀刻时的耐干蚀刻性良好，能够控制对基板进行干蚀刻加工时形成的图案的表面粗糙度。该抗蚀剂用共聚物具有基于具有金刚烷环等的环烃基、及与该环烃基键合的2个以上氰基的(甲基)丙烯酸酯衍生物的结构单元(1)、具有内酯骨架和桥环结构的结构单元(2)和具有酸离去基团的结构单元(3)。
抗蚀剂用共聚物以及组合

[发明专利]抗蚀剂用共聚物以及抗蚀剂用组合物-CN201810272754.0在审
发明人：加藤圭辅;安田敦;安斋龙一;前田晋一 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂用共聚物，使用该抗蚀剂用共聚物时，灵敏度良好，形成的抗蚀剂图案的形状良好，抗蚀剂图案作为掩膜进行干蚀刻时的耐干蚀刻性良好，能够控制对基板进行干蚀刻加工时形成的图案的表面粗糙度。该抗蚀剂用共聚物具有基于具有金刚烷环等的环烃基、及与该环烃基键合的2个以上氰基的(甲基)丙烯酸酯衍生物的结构单元(1)、具有内酯骨架和桥环结构的结构单元(2)和具有酸离去基团的结构单元(3)。
抗蚀剂共聚物抗蚀剂图案干蚀刻环烃基丙烯酸酯衍生物表面粗糙度耐干蚀刻性金刚烷环内酯骨架桥环结构灵敏度对基板键合氰基掩膜图案加工

[发明专利]包含乙内酰脲化合物的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180060511.0在审
发明人：水落龙太;加藤祐希;田村护 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C08G73/00 文献下载
摘要：本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含反应产物、及有机溶剂，所述反应产物是(A)具有2个环氧基的含乙内酰脲的化合物和(B)与(A)不同的含乙内酰脲的化合物的反应产物。
包含乙内酰脲化合物反应产物抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]BGA型部件安装用的多层基板的制造方法-CN201480006819.7有效
发明人：斋藤宏和;吉田一郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：在安装BGA型部件(12)的多层基板(11)中形成防止信号干扰用的导电通孔(16)、并且形成抗蚀剂膜(17)的BGA型部件安装用的多层基板中，事先防止随着抗蚀剂残留于导电通孔部分而引起的不良状况的产生。在BGA型部件安装用的多层基板的制造方法中，利用空气供给机构(21)向基材的背面侧供给高压的空气来使该空气通过导电通孔，由此一边排除欲侵入该导电通孔内的抗蚀剂，一边执行用于形成抗蚀剂膜的工序中的、在基材(14)的表面部整体涂布感光性的抗蚀剂(19)的涂布工序。
bga 部件安装多层制造方法

[发明专利]抗蚀剂处理方法-CN200980126839.7无效
发明人：畑光宏;山本敏;宫川贵行 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种抗蚀剂处理方法，其中，在双图形法等多重图形法中，极微细且精度良好地形成通过第一次抗蚀剂图形形成用的抗蚀剂组合物而得到的图形。本发明为一种抗蚀剂处理方法，其中，包括：将含有树脂(A)、光酸产生剂(B)以及交联剂(C)的第1抗蚀剂组合物涂布到基体上并进行干燥而得到第1抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、全面曝光处理后隔着掩模进行曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第1抗蚀剂图形、并对其进行硬烘焙，在其上涂布第2抗蚀剂组合物并进行干燥而得到第2抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第2抗蚀剂图形的工序，其中，所述树脂(A)
抗蚀剂处理方法

[发明专利]显影方法与显影设备-CN200910225941.4无效
发明人：青木忠久 -专利权人：索尼碟片数位解决方案股份有限公司
申请日： 2009-11-23 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：显影方法包括如下步骤：在转盘上设置抗蚀剂基板，抗蚀剂基板包括基板、形成在基板上的无机抗蚀剂层和通过曝光形成的潜像；释放显影剂到无机抗蚀剂层的上表面上的显影剂涂布位置，同时转动转盘，显影剂涂布位置远离抗蚀剂基板的中心；用激光辐照无机抗蚀剂层的上表面上的监测位置，监测位置与显影剂涂布位置不同；以及连续释放显影剂，同时检测无机抗蚀剂层的上表面反射的激光的零级光和一级光的光量，并且监测一级光对零级光的光量比，直到光量比变为预定值
显影方法设备

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法-CN02145838.3有效
发明人：李有京;姜圣哲;周振豪;李东基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-10-15 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G03F7/008 文献下载
摘要：本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，约5－100重量份的1，2－醌二叠氮化合物，约2－35重量份的含氮交联剂，约0.1－10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图形的形成方法-CN200410002210.0有效
发明人：大内康秀;中山一彦;丸山健治;土井宏介 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： G03F7/022 文献下载
摘要：本发明提供一种LCD制造用的抗蚀剂材料，该抗蚀剂材料是LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物，其特征在于，包括(A)碱可溶性树脂，(B)聚苯乙烯换算质均分子量为300－1300的低分子量酚醛清漆树脂和萘醌二叠氮磺酸化合物的根据本发明的抗蚀剂组合物，即使在低NA条件下，也能够以高的析像度形成抗蚀图形，优选线性良好抗蚀剂组合物。
lcd 制造用正型光致抗蚀剂组合以及图形形成方法

[发明专利]半导体基板用底涂剂及图案形成方法-CN201980025380.5在审
发明人：志垣修平;武田谕;柴山亘;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供与抗蚀剂膜的密合性高，能够形成薄膜且形成良好的抗蚀剂图案的作为新的抗蚀剂图案用表面改性剂的半导体基板用底涂剂、在基板上依次叠层了表面改性剂和抗蚀剂图案的叠层基板、图案形成方法以及半导体装置的制造方法一种抗蚀剂图案用表面改性剂，是在基板上形成0.10μm以下的抗蚀剂图案前涂布于基板来增强基板与抗蚀剂图案的密合的抗蚀剂图案用表面改性剂，其特征在于，其包含下述平均组成式(1)所示的化合物、其水解物和水解缩合物中的至少
半导体基板用底涂剂图案形成方法

[发明专利]光致抗蚀剂的去除方法以及半导体元件的制造方法-CN200510119329.0有效
发明人：黄文贤;杨闵杰;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种增进离子注入掩模用的光致抗蚀剂层的去除率的方法，此方法是在形成光致抗蚀剂层之前先对衬底进行前处理工艺，此前处理工艺例如是一种等离子体工艺。此方法可应用于半导体元件的制造中，以避免光致抗蚀剂暴裂、维持此半导体元件的完整性，以及增进离子注入掩模用的光致抗蚀剂层的去除率。
光致抗蚀剂去除方法以及半导体元件制造

[发明专利]上层膜形成用组合物、图案形成方法、抗蚀剂图案及电子器件的制造方法-CN201680017158.7有效
发明人：畠山直也;井上尚纪;丹吴直纮;白川三千纮;后藤研由 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：一种上层膜形成用组合物，其涂布于利用感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成的抗蚀剂膜上而形成上层膜，且含有树脂X及具有自由基捕获基的化合物A。一种图案形成方法，其具备：工序a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上，从而形成抗蚀剂膜；工序b，通过在抗蚀剂膜上涂布上述上层膜形成用组合物，在抗蚀剂膜上形成上层膜；工序c，将形成有上层膜的抗蚀剂膜进行曝光；及工序d，使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的抗蚀剂膜进行显影来形成图案。
上层形成组合图案方法抗蚀剂电子器件制造

[发明专利]形成电容器的方法-CN96110030.3无效
发明人：广田俊幸;黑河智美;善家昌伸;横田和树 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-05-31 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：在动态随机存取存储器的存储单元中形成电容器的新方法，包括在半导体衬底上形成层间绝缘体；在层间绝缘体上形成有至少一个开口的抗蚀剂图形；用该抗蚀剂图形作为掩模对层间绝缘体进行蚀刻以形成接触孔和/或中空部分；除去抗蚀剂图形；在层间绝缘体以及接触孔和中空部分中淀积硅膜；在硅膜上形成环形抗蚀剂图形；用该环形抗蚀剂图形作为掩模对硅膜进行蚀刻以形成底电极；除去环形抗蚀剂图形；在整个底电极表面上形成介电膜；在介电膜上形成顶电极
形成电容器方法

[发明专利]半导体元件安装用基板的制造方法-CN201110303104.6有效
发明人：细樅茂;有马博幸 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种提高电极层与树脂之间的密合性的半导体元件安装用基板的制造方法。该制造方法包括以下依次进行的工序：利用感光波长不同的抗蚀剂在金属板正面形成由下层和上层构成的2层抗蚀剂层的工序；在上述下层的抗蚀剂层未曝光的状态下对上述上层的抗蚀剂层按照规定的图案进行曝光的工序；在上述上层的抗蚀剂层上按照规定的图案形成开口部，从该开口部将未曝光的上述下层的抗蚀剂层按照上述上层的抗蚀剂层的图案形成开口部，并使上述金属板正面局部暴露出的显影工序；对上述下层的抗蚀剂层进行曝光使其固化的工序；在从上述下层的抗蚀剂层暴露出的上述金属板正面形成规定的镀层的工序；将上述由下层和上层构成的2层抗蚀剂层全部剥离的工序。
半导体元件安装用基板制造方法

[发明专利]一种紫外纳米压印抗蚀剂及其组成-CN200910197581.1无效
发明人：张剑平;张静;刘彦伯;周伟民;施利毅;赵彬 -专利权人：上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： G03F7/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种紫外纳米压印抗蚀剂及其组成，属纳米压印抗蚀剂技术领域。本发明公开的抗蚀剂由自由基固化的(甲基)丙烯酸酯预聚物、单体、光引发剂和助剂组成。本发明的抗蚀剂适用于紫外纳米压印技术，尤其适合于旋转涂布的紫外纳米压印技术。其特点是本抗蚀剂在硅片、石英片、蓝宝石片、氮化镓片、氮化镓铟片、氮化镓铝片、磷化镓铟片等基片上的固化层以及硅模板、石英模板上的残留固化层用浓硫酸、硫酸/双氧水的任意一种就可以快速、方便的去除。本抗蚀剂在硅片、石英基片上的固化残余层用氧气等离子体就能方便的扫除。本抗蚀剂还具有涂布平整度高、涂布层无缺陷、固化速度快、收缩率低、分辨率高、刻蚀选择比高等优点。
一种紫外纳米压印抗蚀剂及其组成