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[发明专利]抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案的制造方法以及镀敷造型物的制造方法-CN202110189234.5在审
发明人：杉原昌子;西村崇;中西润次 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种对镀敷处理具有充分的耐性且能够精度优良地形成抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物。并提供使用了该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的制造方法、以及使用了该抗蚀剂图案的镀敷造型物的制造方法。本发明涉及含有具有醌二叠氮基磺酰基的化合物(I)、包含具有对酸不稳定的基团的结构单元的树脂(A1)、碱可溶性树脂(A2)及酸产生剂(B)的抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物制造抗蚀剂图案的方法、以及使用该抗蚀剂图案制造镀敷造型物的方法
抗蚀剂组合图案制造方法以及造型

[发明专利]光致抗蚀剂蚀刻中前边界点技术-CN200310100592.6有效
发明人：韩太准;姚小强 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2003-10-20 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制等离子体处理室中光致抗蚀剂蚀刻步骤的方法。光致抗蚀剂蚀刻步骤设计成将沉积在衬底表面上的光致抗蚀层向后蚀刻成具有预定光致抗蚀剂厚度的更薄的光致抗蚀层。该方法包括使用等离子体蚀刻过程蚀刻光致抗蚀层，并检测来自该光致抗蚀层的干涉图案。该方法还包括在干涉图案的分析表明达到该预定光致抗蚀剂厚度时终止该光致抗蚀剂蚀刻步骤，从而该预定光致抗蚀剂厚度大于零。
光致抗蚀剂蚀刻边界技术

[发明专利]一种水工混凝土耐空蚀抗冲磨剂及其制备方法-CN202211082358.4在审
发明人：李伟;田勤朴;王学振 -专利权人：新特新材料集团（河南）股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B24/34 文献下载
摘要：本发明涉及混凝土外加剂技术领域，具体为一种水工混凝土耐空蚀抗冲磨剂，包括以下重量份数配比的原料：漂珠1～50份，氧化镁膨胀剂1～50份，聚羧酸减水剂1～50份，硅酸钠1～35份，松香酸钠1～20份，纳米抗裂防渗剂该水工混凝土耐空蚀抗冲磨剂及其制备方法，通过漂珠、氧化镁膨胀剂、聚羧酸减水剂、硅酸钠、松香酸钠、纳米抗裂防渗剂、乳胶粉和水的混合配置，在配制水工混凝土耐空蚀抗冲磨混凝土时，用这种水工混凝土耐空蚀抗冲磨剂等量取代3～5％的水泥，可提高混凝土抗冲磨强渡3～5倍，干缩率大幅度降低，抗渗等级提高3～5个等级，抗开裂性能大幅度提高，增加其使用寿命。
一种水工混凝土耐空蚀抗冲磨剂及其制备方法

[发明专利]微细加工方法及微细加工装置-CN201110226018.X有效
发明人：中川泰忠;河野拓也;米田郁男;幡野正之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：根据一个实施方式，提供利用抗蚀剂的微细加工方法。按图案形成面的第一区域决定所需的抗蚀剂量。决定图案形成面整个区域的抗蚀剂总量。抗蚀剂总量除以抗蚀剂滴的容量。决定抗蚀剂滴的总数，对于该总数个抗蚀剂滴中的每个抗蚀剂滴，决定在图案形成面中的临时位置。按最接近的抗蚀剂滴分配各个第一区域。按第二区域重新划分图案形成面，该第二区域按抗蚀剂滴分配。按第二区域，决定一个抗蚀剂滴的容量除以对属于第二区域内的第一区域中的每个第一区域决定的需要的抗蚀剂量的总计而得到的值。在除法运算得到的值在图案形成面内的分布处于设为目标的范围内时，确定全部抗蚀剂滴的位置。
微细加工方法装置

[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用-CN202111463400.2在审
发明人：韩传龙;李伟杰;张浙南;朱薛妍;陈涛;黄磊 -专利权人：杭州福斯特电子材料有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用，所述干膜抗蚀剂层压体包括支撑膜、保护膜以及设于支撑膜与保护膜之间的抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜由感光性树脂组合物涂布在所述支撑膜表面经干燥后形成，且所述支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度为3.0‑17.0 N/m，支撑膜达因值为35‑45 mN/m。本发明通过控制抗蚀剂膜中的溶剂残存量以及支撑膜达因值，从而控制支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度，使得最终得到的干膜抗蚀剂层压体中的支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度适中，能够保证在贴膜过程中支撑膜和抗蚀剂膜无剥离，显影过程中支撑膜与抗蚀剂膜易剥离的特点
一种干膜抗蚀剂层压及其制备方法应用

[发明专利]光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置-CN200580040035.7有效
发明人：谷口克人;小岛一弘;能谷敦子 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法，以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置，其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置，可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光致抗蚀剂涂布液供给装置具有用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器；循环过滤装置，用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液，将其过滤并返回至缓冲容器；和用于将涂布液从缓冲容器或循环装置供给至涂布装置的管。还提供使用所述光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法，以及将涂布液供给装置与狭缝涂布装置组合使用的光致抗蚀剂涂布装置。
光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用方法光致抗蚀剂涂布

[发明专利]彩色滤光片及其制作方法-CN200810088551.2无效
发明人：罗宇城;刘佩瑜;王君铭;李怀安 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：彩色滤光片包含有基板、多个像素区域位于基板表面，以及多个彩色光致抗蚀剂。各像素区域皆包含有多个次像素区域，且各彩色光致抗蚀剂对应设置于各次像素区域内。彩色光致抗蚀剂包含有多个亲水性光致抗蚀剂与多个疏水性光致抗蚀剂，其中亲水性光致抗蚀剂与疏水性光致抗蚀剂彼此交替排列，以避免彩色光致抗蚀剂发生溢流现象。
彩色滤光及其制作方法

[发明专利]抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法-CN200410092193.4无效
发明人：盐原英志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供的一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
抗蚀剂图形形成方法半导体器件制造

[发明专利]用于SOC图案上的图案反转的被覆用组合物-CN201580043291.5有效
发明人：谷口博昭;中岛诚;柴山亘;武田谕;若山浩之;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：作为解决本发明课题的方法涉及用于下述工序的被覆用聚硅氧烷组合物，所述工序为：在半导体基板上2形成有机下层膜3的工序(1)，在有机下层膜3上涂布硅硬掩模形成用组合物进行烧成而形成硅硬掩模4的工序(2)，在上述硅硬掩模上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜5的工序(3)，将该抗蚀剂膜5进行曝光，曝光后将抗蚀剂膜显影而获得抗蚀剂图案的工序(4)，硅硬掩模4的蚀刻工序(5)，有机下层膜3的蚀刻工序(6)，在经图案化的有机下层膜3上涂布本发明的被覆用聚硅氧烷组合物，通过回蚀使该有机下层膜的上表面露出的工序(7a、7b)，对有机下层膜3进行蚀刻而将图案反转的工序(8)。
用于 soc 图案反转被覆组合

[发明专利]抗蚀剂的剥离液-CN201880078975.2在审
发明人：谷本树一;文藏隆志;新城沙耶加;都木新介 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明为用于提供容易除去微细的布线间的抗蚀剂的技术的、以含有钾盐和溶纤剂为特征的抗蚀剂的剥离液、以及以使用上述抗蚀剂的剥离液处理施加有抗蚀剂的基材为特征的抗蚀剂的除去方法。
抗蚀剂剥离

[发明专利]蒸镀掩模及其制造方法-CN202011303002.X有效
发明人：山田哲行 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一方式的蒸镀掩模的制造方法中，准备第一基板，在第一基板的第一面上涂敷光致抗蚀剂，用包含第一波长和与第一波长不同的第二波长的光来照射光致抗蚀剂的一部分，通过将除曝光的光致抗蚀剂的一部分以外的其他部分去除来形成抗蚀剂图案，在第一基板的第一面上的从抗蚀剂图案露出的区域形成金属层，去除抗蚀剂图案，去除第一基板。根据本发明，能够提供具有锥形形状的蒸镀用的蒸镀掩模。
蒸镀掩模及其制造方法

[发明专利]半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺-CN03143604.8有效
发明人：颜裕林;张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺。首先，提供一衬底，衬底上依序形成有第一抗反射介质涂层、第一光致抗蚀剂助黏层及第一图案化光致抗蚀剂层。接着，去除第一抗反射介质涂层上的第一图案化光致抗蚀剂层及第一光致抗蚀剂助黏层，例如以湿式剥离法完成。然后，形成第二抗反射介质涂层于第一抗反射介质涂层上。然后，形成第二光致抗蚀剂助黏层于第二抗反射介质涂层上。接着，形成第二图案化光致抗蚀剂层于第二光致抗蚀剂助黏层上。
半导体图案化光致抗蚀剂层工艺

[发明专利]恢复光刻工艺中横磁波对比度的方法和系统-CN200610171821.7有效
发明人：黎家辉;D·法伊弗;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板，其具有反射成像工具的射线的层，以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上，包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层，并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置，以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分，并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分，以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度
恢复光刻工艺中横磁波对比度方法系统

[发明专利]制造闪存器件的方法-CN200610091655.X无效
发明人：黄胜民 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：双用层形成在第一绝缘层之上，该双用层充当抗反射涂层和蚀刻停止层。第二绝缘层形成在双用层之上。图案化光致抗蚀剂层形成在第二绝缘层之上，该图案化光致抗蚀剂层定义位于接触塞上面的开口。第二绝缘层利用图案化光致抗蚀剂层被蚀刻，使得设置在图案化光致抗蚀剂的开口下方的部分第二绝缘层被蚀刻从而形成槽。
制造闪存器件方法

[发明专利]图案形成方法和光致抗蚀剂图案外涂层组合物-CN201810396587.0有效
发明人：侯希森;刘聪;I·考尔 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种图案形成方法，包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案外涂层组合物，其中所述图案外涂层组合物包含第二聚合物和有机溶剂，其中所述有机溶剂包含一种或多种酯溶剂，其中所述酯溶剂具有式R12，其中R1是C3‑C6烷基并且R2是C5‑C10烷基；(d)烘烤经涂布的所述光致抗蚀剂图案；和(e)用冲洗剂冲洗所述经涂布的光致抗蚀剂图案以去除所述第二聚合物。
图案形成方法光致抗蚀剂涂层组合