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[实用新型]改进型冠状动脉球囊扩张导管-CN01256020.0无效
发明人：董元利;徐珂 -专利权人：业聚医疗器械(深圳)有限公司
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2002-09-04 - 主分类号： A61M29/02 文献下载
摘要：一种改进型冠状动脉球囊扩张导管,它属于一种医疗器械,特别是一种用于介入治疗技术的经皮穿刺冠状动脉成形术的球囊扩张导管,包括内管、球囊,外管、扩张应力管和联接在应力管上的导管座,内管的顶端穿过球囊,且从球囊中伸出;在内管空腔中设有显影点,其特征在于外管由单腔的近端管和双腔的远端管组成;在远端管和近端管的结合处设有一导引钢丝端口;导管座与扩张应力管、近端管、远端管的外腔和球囊的外腔构成一个通道。本实用新型只需一人即能操作,就可随意交换球囊扩张导管,而不需在更换球囊的时候抽出导引钢丝,因而缩短了更换球囊导管和病人在X线下的照射时间。
改进型冠状动脉扩张导管

[发明专利]一种改善薄片翘曲的方法-CN202111567753.7在审
发明人：许有超;谭秀文;苏亚青 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶片翘曲的方法，提供晶片；在晶片的正面外表面形成具有第一张应力的第一膜层；在晶片的反面外表面形成具有第二张应力的第二膜层，其中第二张应力与第一张应力的方向相反，使得第二张应力抵消第一张应力本发明增大了晶片背面膜层的张应力，部分抵消了正面膜层的张应力，降低晶圆整体的应力，使得晶圆不会发生翘曲，不影响之后的加工。
一种改善薄片方法

[发明专利]化学强化玻璃及其制备方法和终端-CN201910576323.8有效
发明人：胡伟;范少华;胡邦红;司合帅 -专利权人：华为技术有限公司;深圳市东丽华科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供化学强化玻璃，其相对两侧分别自表面向内部形成压应力层和张应力层，张应力层的张应力线密度CT‑LD在35000Mpa/mm‑70000Mpa/mm范围内，CT‑LD＝((2×CT‑av+CT‑cv)×(T×1000/2‑DOL‑0))/T，CT‑cv为张应力层的张应力最大值，CT‑av＝CT‑s‑1.28CT‑sd，CT‑s和CT‑sd分别为张应力层的1/2厚度处与玻璃的1/2厚度处之间的区域的张应力的算术平均值和标准差，DOL‑0为压应力层深度，T为玻璃厚度。该化学强化玻璃内部具有高水平压应力和张应力，抗跌落性能优异。本发明实施例还提供该化学强化玻璃的制备方法和终端。
化学强化玻璃及其制备方法终端

[实用新型]冠状动脉球囊扩张导管-CN201220445992.5有效
发明人：王素霞;周素梅 -专利权人：王素霞
申请日： 2012-08-25 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： A61M29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冠状动脉球囊扩张导管，包括导管座，导管座的输出端固定连接有扩张应力管，扩张应力管的输出端连接有近端管，近端管的末端密封连接有球囊，近端管的管壁上设有壁孔，壁孔密封连接有内管，内管设置于近端管的管腔内且穿出球囊
冠状动脉扩张导管

[发明专利]用于制作半导体器件的应力层的刻蚀方法-CN201010131920.9有效
发明人：黄敬勇;沈满华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制作半导体器件的应力层的刻蚀方法，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域、浅沟槽区域和PMOS区域的半导体器件，所述半导体器件的上表面形成有张应力层；以光刻胶图层遮蔽所述NMOS区域上的张应力层，暴露出所述浅沟槽区域和PMOS区域的张应力层；采用各向异性的主刻蚀对所述浅沟槽区域和PMOS区域上的张应力层进行刻蚀，以除去至少部分的张应力层；和采用各向同性的过刻蚀去除所述浅沟槽区域和PMOS区域上残余的张应力层使用该方法能够较好地去除残余的不需要的应力层，不会破坏需要应力的NMOS区域的张应力层。
用于制作半导体器件应力刻蚀方法

[发明专利]一种高张应力薄膜的形成方法-CN200910194440.4无效
发明人：王祯贞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明揭露了一种高张应力薄膜的形成方法，通过采用不同的沉积工艺温度与紫外线暨快速热处理工艺温度，可以移除更多高张应力薄膜中的氢，从而进一步提高了高张应力薄膜的伸张应力。
一种应力薄膜形成方法

[实用新型]张应力测量设备-CN201520967108.8有效
发明人： A·帕加尼;B·穆拉里;F·G·齐格利奥利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本公开涉及张应力测量设备。一种张应力测量设备要附接到待测量对象。张应力测量设备可以包括具有半导体衬底和张应力测量电路的IC，半导体衬底具有相对的第一附接区域和第二附接区域。张应力测量设备可以包括耦合到第一附接区域并且向外延伸以附接到待测量对象的第一附接板以及耦合到第二附接区域并且向外延伸以附接到待测量对象的第二附接板。张应力检测电路可以被配置成检测在第一附接板和第二附接板附接到待测量对象时施加在第一附接板和第二附接板上的张应力。
应力测量设备

[发明专利]一种选择性张应力接触孔刻蚀停止层的制作方法-CN201410427407.2在审
发明人：雷通 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性张应力接触孔刻蚀停止层的制作方法，通过在MOS器件作为接触孔刻蚀停止层的高张应力氮化硅层上，以由氮化硅层和氧化硅层交替组成的多层叠层作为PMOS区域的紫外光阻挡层，对PMOS、NMOS区域的高张应力氮化硅层进行选择性的紫外光固化处理，得到在PMOS区域上覆盖张应力相对较低的高张应力氮化硅层，而在NMOS区域上覆盖张应力相对较高的高张应力氮化硅层，实现在PMOS、NMOS区域具有选择性的不同高张应力的氮化硅接触孔刻蚀停止层，既避免了单步高张应力氮化硅沉积对PMOS器件空穴迁移率的消极影响，又避免了两步氮化硅沉积形成双接触孔刻蚀停止层工艺的复杂性，实现用较低的成本提升了器件的电性能。
一种选择性应力接触刻蚀停止制作方法

[发明专利]晶体管的结构及其制作方法-CN201210390802.9有效
发明人：刘志建;吴姿锦;林钰书;陈哲明;邓文仪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管的结构及其制作方法，首先，提供一具有第一晶体管区域的半导体基底，接着施行一低温沉积制作工艺，形成一第一伸张应力层于第一晶体管区域内的晶体管上，其中低温沉积制作工艺的温度不大于摄氏300度，继以施行一高温退火制作工艺，其中高温退火制作工艺的温度高于低温沉积制作工艺的温度至少摄氏150度，最后于第一伸张应力层上形成一第二伸张应力层，其中第一伸张应力层的伸张应力值低于第二伸张应力层的伸张应力值
晶体管结构及其制作方法

[发明专利]具有附接板的张应力测量设备及相关的方法-CN201510850232.0有效
发明人： A·帕加尼;B·穆拉里;F·G·齐格利奥利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本公开涉及具有附接板的张应力测量设备及相关的方法。一种张应力测量设备要附接到待测量对象。张应力测量设备可以包括具有半导体衬底和张应力测量电路的IC，半导体衬底具有相对的第一附接区域和第二附接区域。张应力测量设备可以包括耦合到第一附接区域并且向外延伸以附接到待测量对象的第一附接板以及耦合到第二附接区域并且向外延伸以附接到待测量对象的第二附接板。张应力检测电路可以被配置成检测在第一附接板和第二附接板附接到待测量对象时施加在第一附接板和第二附接板上的张应力。
具有附接板应力测量设备相关方法

[发明专利]一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法-CN201410428687.9有效
发明人：雷通;周海锋;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法，通过在MOS器件作为接触孔刻蚀停止层的高张应力氮化硅层上，以由氮化硅层和氧化硅层交替组成的多层叠层作为PMOS区域的紫外光阻挡层，对PMOS、NMOS区域的高张应力氮化硅层进行选择性的紫外光固化处理，得到在PMOS区域上覆盖张应力相对较低的高张应力氮化硅层，而在NMOS区域上覆盖张应力相对较高的高张应力氮化硅层，实现在PMOS、NMOS区域具有不同高张应力的氮化硅双接触孔刻蚀停止层，既避免了单步高张应力氮化硅沉积对
一种接触刻蚀停止制作方法

[发明专利]一种冷轧带钢张应力偏差信号在线计算方法-CN201210207243.3无效
发明人：解相朋;褚学征;赵菁;任朝晖;李永;祝兵权;单秉仁 -专利权人：中冶南方工程技术有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： B21B37/28 文献下载
摘要：本发明提供冷轧带钢张应力偏差信号在线计算方法，包括：板形辊上线工作后，接收板形辊PCM单元实时传送的测量辊每转一周时第i个测量区的径向压力值；将接收的径向压力值Fi分别代入张应力计算公式，计算出本次第i个测量区的张应力值Ti，考虑包角补偿和带钢边部不完全覆盖情况；考虑板形辊不同测量区具有不同宽度，计算带钢张应力平均值；计算本次带钢第i个测量区张应力偏差；将张应力偏差发送至板形控制单元和操作站。本方法可以提高带钢张应力偏差信号的计算精度，有效解决带钢生产过程中由于带钢张应力偏差信号计算不准确而造成出口带钢板形控制效果变差的技术问题，为提高冷轧带钢的板形控制水平提供有力保证。
一种冷轧带钢应力偏差信号在线计算方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法-CN200710042138.8有效
发明人：吴汉明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开了一种CMOS器件应力层的形成方法，在NMOS和PMOS晶体管表面形成张应力层；在张应力层表面涂布正光刻胶；利用一掩膜版图案化所述正光刻胶，形成暴露PMOS晶体管表面的张应力层的光刻胶掩膜图形；刻蚀PMOS晶体管表面的张应力层并移除所述光刻胶掩膜图形；在张应力层和PMOS晶体管表面再沉积压应力层；在压应力层表面涂布负光刻胶；利用所述掩膜版图案化所述负光刻胶，形成暴露NMOS晶体管表面的压应力层的光刻胶掩膜图形；刻蚀NMOS晶体管表面的压应力层并移除光刻胶掩膜图形。本发明用同一块掩膜版便可形成张应力和压应力层的光刻胶掩膜图形，不但降低了制造成本，而且提高了张应力层和压应力层的衔接精度。
互补金属氧化物半导体器件应力形成方法

[发明专利]一种热轧卷取张应力分段控制方法及其装置-CN201410722663.4有效
发明人：高文刚;赵继武;王松涛;周政;王晓东;杨孝鹤;董占奎;李继新;李东宁;王超;张杰;陈彤;黄爽;詹美珠;郭卫东;任杰 -专利权人：首钢京唐钢铁联合有限责任公司
申请日： 2015-08-02 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： B21B37/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种热轧卷取张应力分段控制方法及其装置，包括：根据不同的钢种和规格设定6段卷径范围及6个张应力，根据张应力公式确定当前卷径对应的计算张应力值，PLC系统再根据芯轴转矩公式求取计算张应力值对应的计算转矩值；芯轴电机根据计算转矩值进行转矩控制，进而实现卷取过程中张应力的分段控制。
一种热轧卷取应力分段控制方法及其装置

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN200910083427.1无效
发明人：李敏;李希 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括在半导体衬底上形成有源区，以及在有源区上形成自对准硅化物区域阻挡膜，该方法还包括：在上述结构上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成具有张应力的氮化硅层；所述缓冲层具有的张应力小于所述氮化硅层具有的张应力，用于传递所述具有张应力的氮化硅层的应力。采用该方法能够使具有高张应力的氮化硅层所具有的高应力经过缓冲层有效传递到沟道内，而且防止了由于高的应力导致的裂缝。
半导体器件制作方法

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